Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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100V to 150V StrongIRFET™ Power MOSFETs

Infineon Technologies 100V to 150V StrongIRFET™ Power MOSFETs are optimized for low on-resistance (R_DS(on)) and high current capability. These devices offer an R_DS(on) as low as 1.3mΩ at 100V and a current handling capability as high as 209A at 100V. These features result in reduced conduction losses and increased power density while still accommodating legacy designs. The StrongIRFET Power MOSFETs are ideal for low-frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications, including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IRF100P219AKMA1
Infineon Technologies
1: $6.889
5.093En existencias
400En pedido

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IRF100P219AKMA1

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Infineon Technologies

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$3.734

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N-Channel

1 Channel

100 V

203 A

1.7 mOhms

20 V

3.8 V

168 nC

- 55 C

+ 175 C

341 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IRF150P221AKMA1
Infineon Technologies
1: $9.055
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IRF150P221AKMA1

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726-IRF150P221AKMA1

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$4.922

$4.386

$4.165

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TO-247-3

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1 Channel

150 V

186 A

4.5 mOhms

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4.6 V

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+ 175 C

341 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IRF100P218AKMA1
Infineon Technologies
1: $10.044
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$5.542

$5.248

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N-Channel

1 Channel

100 V

209 A

1.28 mOhms

20 V

3.8 V

330 nC

- 55 C

+ 175 C

556 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IRF150P220AKMA1
Infineon Technologies
1: $11.979
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1.200Se espera el 05-01-2027

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IRF150P220AKMA1

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$7.057

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$5.953

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N-Channel

1 Channel

150 V

203 A

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20 V

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160 nC

- 55 C

+ 175 C

556 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFP4568PBFXKMA1
Infineon Technologies
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522En existencias
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IRFP4568PBFXKMA1

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TO-247AC-3

N-Channel

1 Channel

150 V

171 A

5.9 mOhms

20 V

3 V

151 nC

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+ 175 C

517 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(120V 300V)

AUIRFP4568
Infineon Technologies
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AUIRFP4568

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

150 V

171 A

4.8 mOhms

30 V

3 V

227 nC

- 55 C

+ 175 C

517 W

Enhancement

AEC-Q101

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 100V 51A 25mOhm 66.7nCAC

IRFP3710PBF
Infineon Technologies
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IRFP3710PBF

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942-IRFP3710PBF

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 100V 51A 25mOhm 66.7nCAC

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

100 V

51 A

25 mOhms

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1.8 V

66.7 nC

- 55 C

+ 175 C

180 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFP4110PBFXKMA1
Infineon Technologies
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IRFP4110PBFXKMA1

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726-IRFP4110PBFXKMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

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TO-247AC-3

N-Channel

1 Channel

100 V

180 A

4.5 mOhms

20 V

2 V

150 nC

- 55 C

+ 175 C

370 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFP4310ZPBFXKMA1
Infineon Technologies
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419En existencias
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IRFP4310ZPBFXKMA1

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726-IRFP4310ZPBFXKMA

Infineon Technologies

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419En existencias

400Se espera el 15-10-2026

$4.186

$2.124

$1.925

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TO-247AC-3

N-Channel

1 Channel

100 V

120 A

6 mOhms

20 V

4 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

280 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFP4468PBFXKMA1
Infineon Technologies
1: $8.151
3.180En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFP4468PBFXKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRFP4468PBFXKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

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3.180En existencias

$8.151

$4.386

$4.017

$3.660

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247AC-3

N-Channel

1 Channel

100 V

290 A

2.6 mOhms

20 V

2 V

360 nC

- 55 C

+ 175 C

520 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(120V 300V)

AUIRFP4568-E
Infineon Technologies
1: $14.292
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas

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AUIRFP4568-E

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942-AUIRFP4568-E

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Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas

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TO-247-3

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150 V

171 A

5.9 mOhms

30 V

5 V

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