Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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TKx Silicon N-Channel MOSFETs

Toshiba TKx Silicon N-Channel MOSFETs are available in U-MOSX-H and DTMOSVI types and offer exceptional performance characteristics. These MOSFETs are designed with fast reverse recovery times that enhance efficiency in high-speed switching applications by reducing the delay between the turn-off and turn-on states. The low drain-source on-resistance [R_DS(on)] contributes to minimal power losses and improved thermal management, making them ideal for applications requiring high current handling with low energy dissipation.

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ

TK125A60Z1,S4X
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TO-220SIS-3

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TK080U60Z1,RQ
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TK063N60Z1,S1F
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TK068N65Z5,S1F
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Tube

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TK7R2E15Q5,S1X
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Tube

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TK7R4A15Q5,S4X
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Tube

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TK9R6E15Q5,S1X
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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 150V 1.1A N-CH

TK9R7A15Q5,S4X
Toshiba
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TK080A60Z1,S4X
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TO-220SIS-3

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600 V

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TK115A65Z5,S4X
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TO-220SIS-3

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650 V

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30 V

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TK115N65Z5,S1F
Toshiba
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N-Channel

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TK099N60Z1,S1F
Toshiba
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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

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TK155A60Z1,S4X
Toshiba
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N-Channel

1 Channel

600 V

17 A

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4 V

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TK5R0A15Q5,S4X
Toshiba
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TO-220SIS-3

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76 A

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96 nC

- 55 C

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 150V 2.2A N-CH

TK4R9E15Q5,S1X
Toshiba
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150 V

120 A

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4.5 V

96 nC

- 55 C

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