Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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N-Channel 40V & 60V Automotive Power MOSFETs

onsemi NVMFSCx Automotive Power 40V and 60V MOSFETs are available in 5mm x 6mm dual-sided cooled packages ideal for compact and efficient designs. The single N-Channel devices feature 1.5mΩ and 0.9mΩ R_DS(on) drain-source on-resistance to minimize conductive losses. The MOSFETs includes a wettable flank option available for enhanced optical inspection. The devices are also AEC-Q101-qualified and PPAP-capable, making them suitable for automotive applications.

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T6 SL IN 5X6 DUALCOOL

NVMFSC0D9N04C
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T6 SL IN 5X6 DUALCOOL

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SMD/SMT

DFN-5060-8

N-Channel

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Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V

NVMFS5C612NLWFAFT1G
onsemi
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$6.089

$3.187

$2.913

$2.619

$2.471

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$2.471

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60 V

250 A

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Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V 3.0 mOhms 150 A

NVMFS5C628NWFT1G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V 3.0 mOhms 150 A

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NVMFS5C612NLET1G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 172A 2.3M0

NVMFS5830NLWFT1G-UM
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SMD/SMT

DFN-5

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1 Channel

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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

NVMFS5C604NWFT1G
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$5.889

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NVMFS5C612NT1G
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$2.882

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NVMFS5C612NLT1G
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863-NVMFS5C612NLT1G

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$4.407

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

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$5.721

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$5.416

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DFN-5

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1 Channel

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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET

NVMFS5C604NLAFT1G
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$3.576

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Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET

NVMFS5C604NLWFAFT1G
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1: $7.351
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$7.351

$4.017

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$3.260

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SOIC-8

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1 Channel

60 V

287 A

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20 V

1.2 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG

NVMFS5C628NT1G
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NVMFS5C628NT1G

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$4.575

$2.387

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$1.704

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SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

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20 V

4 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

AEC-Q100

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL

NVMFSC0D9N04CL
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2.380En existencias
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NVMFSC0D9N04CL

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863-NVMFSC0D9N04CL

onsemi

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2.380En existencias

6.000Se espera el 02-07-2027

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$7.341

$4.648

$3.954

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Envase tipo carrete

$3.145

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

DFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

316 A

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20 V

3.5 V

86 nC

- 55 C

+ 175 C

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Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL

NVMFSC1D6N06CL
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NVMFSC1D6N06CL

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFSC1D6N06CL

onsemi

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Cinta cortada

$9.055

$4.922

$4.522

$4.449

$4.207

Envase tipo carrete

$4.207

MouseReel Disponible

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: 3.000

SMD/SMT

DFN-8

N-Channel

1 Channel

60 V

224 A

1.5 mOhms

20 V

2 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

166 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

NVMFS5C604NLWFT1G
onsemi
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NRND

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NVMFS5C604NLWFT1G

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NRND

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$7.856

$4.217

$3.860

$3.691

$3.481

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$3.481

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SMD/SMT

SO-8FL

N-Channel

1 Channel

60 V

287 A

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1.2 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V

NVMFS5C612NLAFT1G
onsemi
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NRND

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NVMFS5C612NLAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C612NLFT1G

NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V

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$5.574

$2.903

$2.640

$2.335

$2.293

Envase tipo carrete

$2.177

MouseReel Disponible

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: 1.500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

250 A

1.13 mOhms

20 V

1.2 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

3.8 W, 167 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 225A 1.65mOhms

NVMFS5C612NWFT1G
onsemi
1: $7.057
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N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C612NWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C612NWFT1

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 225A 1.65mOhms

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3.000Se espera el 02-02-2027

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$7.057

$4.333

$3.565

$3.239

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Envase tipo carrete

$3.008

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SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

225 A

1.65 mOhms

20 V

4 V

62 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

NVMFS5C604NLWFET1G
onsemi
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N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C604NLWFET1G

N.º de artículo de Mouser
863-MFS5C604NLWFET1G

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

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1.500Se espera el 30-10-2026

Cinta cortada

$7.562

$4.617

$3.902

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$3.902

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: 1.500

SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

60 V

287 A

1.2 mOhms

20 V

2 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS

NVMFS024N06CT1G
onsemi
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N.º de artículo del Fabricante
NVMFS024N06CT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS024N06CT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS

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3.000En pedido

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$2.366

$1.483

$976

$774

$688

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$688

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 1.500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

25 A

22 mOhms

20 V

4 V

5.7 nC

- 55 C

+ 175 C

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Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

NVMFWS024N06CT1G
onsemi
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3.000Se espera el 03-11-2026

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NVMFWS024N06CT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFWS024N06CT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

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Hoja de datos

3.000Se espera el 03-11-2026

Cinta cortada

$2.303

$1.104

$988

$739

$608

Envase tipo carrete

$608

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

60 V

25 A

22 mOhms

20 V

4 V

5.7 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 120A 4.2MO

NVMFS5832NLWFT1G-UM
onsemi
1: $2.335
1.500Se espera el 09-11-2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5832NLWFT1G-UM

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863-FS5832NLWFT1G-UM

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 120A 4.2MO

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1.500Se espera el 09-11-2026

Cinta cortada

$2.335

$1.483

$998

Envase tipo carrete

$998

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150

: 1.500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

4.2 mOhms

20 V

2.4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

127 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET

NVMFS5C604NLAFT3G
onsemi
5.000: $3.386
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C604NLAFT3G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C604NLFT3G

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET

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Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas

Envase tipo carrete

$3.386

Min.: 5.000
Mult.: 5.000

: 5.000

SMD/SMT

SO-8FL

N-Channel

1 Channel

60 V

40 A, 287 A

930 uOhms

20 V

1.2 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

3.9 W, 200 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

N-Channel 40V & 60V Automotive Power MOSFETs

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