Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Zener-Protected SuperMESH3 Power MOSFETs

STMicroelectronics Zener-Protected SuperMESH3™ Power MOSFETs are created through increased fine-tuning of STMicroelectronic's strip-based PowerMESH™ layout, combined with optimization of the vertical structure. In addition to significantly reducing ON-resistance, special attention has been taken to ensure these MOSFETs offer dynamic performance with a large avalanche capability. STMicroelectronics Zener-Protected SuperMESH3 Power MOSFETs are offered in voltages up to 1200V. Applications include switch-mode low-power supplies (SMPS), DC-DC converters, switching, and offline power supplies.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 40

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

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Dp - Disipación de potencia

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 Volt 3.5A Zener SuperMESH STF5NK100Z STMicroelectronics 1: $6.756 8.996Se espera el 19-11-2027	N.º de artículo del Fabricante STF5NK100Z N.º de artículo de Mouser 511-STF5NK100Z	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 Volt 3.5A Zener SuperMESH Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmsuperMESH3	Hoja de datos	8.996Se espera el 19-11-2027	$6.756 $3.543 $3.236 $2.768	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	1 kV	3.5 A	3.7 Ohms	30 V	3 V	42 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	SuperMESH	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A STF6N62K3 STMicroelectronics 1: $3.441 1.171En existencias	N.º de artículo del Fabricante STF6N62K3 N.º de artículo de Mouser 511-STF6N62K3	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmsuperMESH3	Hoja de datos	1.171En existencias	$3.441 $1.709 $1.447 $1.276 Ver $1.265 $1.113	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	620 V	5.5 A	1.28 Ohms	30 V	3.75 V	34 nC	- 55 C	+ 150 C	90 W	Enhancement	SuperMESH	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620V 1.1 STP6N62K3 STMicroelectronics 1: $3.247 185En existencias	N.º de artículo del Fabricante STP6N62K3 N.º de artículo de Mouser 511-STP6N62K3	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620V 1.1 Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmsuperMESH3	Hoja de datos	185En existencias	$3.247 $1.868 $1.447 $1.242 $1.119	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	620 V	5.5 A	1.28 Ohms	30 V	3 V	34 nC	- 55 C	+ 150 C	90 W	Enhancement	SuperMESH	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 525V 2.1 Ohm 2.5A SuperMESH 3 STU4N52K3 STMicroelectronics 1: $2.484 414En existencias	N.º de artículo del Fabricante STU4N52K3 N.º de artículo de Mouser 511-STU4N52K3	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 525V 2.1 Ohm 2.5A SuperMESH 3 Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmsuperMESH3	Hoja de datos	414En existencias	$2.484 $1.561 $1.025 $813 Ver $776 $660 $659 $630 Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-251-3	N-Channel	1 Channel	525 V	2.5 A	2.6 Ohms	30 V	3 V	11 nC	- 55 C	+ 150 C	45 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 450V 3.2 ohm 1.8 A SuperMESH3 STN3N45K3 STMicroelectronics 1: $1.720 11.911En pedido	N.º de artículo del Fabricante STN3N45K3 N.º de artículo de Mouser 511-STN3N45K3	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 450V 3.2 ohm 1.8 A SuperMESH3 Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmsuperMESH3	Hoja de datos	11.911En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: STN3N45K3 Existencias: 0 En pedido: 3.911 Se espera el 01-01-2027 8.000 Se espera el 12-03-2027 Plazo de entrega de fábrica: 32 Semanas	Cinta cortada $1.720 $760 $676 $539 $526 Envase tipo carrete $404 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4.000	Si	SMD/SMT	SOT-223-4	N-Channel	1 Channel	450 V	600 mA	4 Ohms	30 V	3 V	9.5 nC	- 55 C	+ 150 C	3 W	Enhancement	SuperMESH	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.8 ohm 3.8 A SuperMESH3 STD4N62K3 STMicroelectronics 1: $3.281 26En existencias	N.º de artículo del Fabricante STD4N62K3 N.º de artículo de Mouser 511-STD4N62K3	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.8 ohm 3.8 A SuperMESH3 Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmsuperMESH3	Hoja de datos	26En existencias	Cinta cortada $3.281 $1.686 $1.458 $1.208 $1.162 Envase tipo carrete $984 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	620 V	3.8 A	1.95 Ohms	30 V	4.5 V	14 nC	- 55 C	+ 150 C	70 W	Enhancement	MDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.28 Ohm 4.2A SuperMESH 3 STU5N62K3 STMicroelectronics 1: $3.304 74En existencias	N.º de artículo del Fabricante STU5N62K3 N.º de artículo de Mouser 511-STU5N62K3	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.28 Ohm 4.2A SuperMESH 3 Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmsuperMESH3	Hoja de datos	74En existencias	$3.304 $1.538 $1.390 $1.173 Ver $1.118 $1.085 $1.013 Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-251-3	N-Channel	1 Channel	620 V	4.2 A	1.6 Ohms	30 V	3 V	26 nC	- 55 C	+ 150 C	70 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP packa STF16N60M6 STMicroelectronics 1: $4.079 997Se espera el 17-09-2027	N.º de artículo del Fabricante STF16N60M6 N.º de artículo de Mouser 511-STF16N60M6	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP packa Obtenga más información sobre STMicroelectronics m6 mosfets	Hoja de datos	997Se espera el 17-09-2027	$4.079 $2.130 $1.914 $1.595 $1.435	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	12 A	320 mOhms	25 V	4.75 V	18 nC	- 55 C	+ 150 C	25 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 3 Ohm 4A Zener SuperMESH3 STF5N95K3 STMicroelectronics 1.000: $1.880 Plazo de entrega no en existencias 34 Semanas	N.º de artículo del Fabricante STF5N95K3 N.º de artículo de Mouser 511-STF5N95K3	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 3 Ohm 4A Zener SuperMESH3 Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmsuperMESH3	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 34 Semanas	$1.880	Min.: 1.000 Mult.: 1.000	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	950 V	4 A	3 Ohms	30 V	3 V	19 nC	- 55 C	+ 150 C	25 W	Enhancement	SuperMESH	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 950 V 1.1 7.2 A TO-220 STF7N95K3 STMicroelectronics 1.000: $2.495 Plazo de entrega no en existencias 34 Semanas	N.º de artículo del Fabricante STF7N95K3 N.º de artículo de Mouser 511-STF7N95K3	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 950 V 1.1 7.2 A TO-220 Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmsuperMESH3	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 34 Semanas	$2.495	Min.: 1.000 Mult.: 1.000	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	950 V	7.2 A	1.35 Ohms	30 V	3 V	34 nC	- 55 C	+ 150 C	35 W	Enhancement	SuperMESH	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 450V 3.2 Ohm 1.8A SuperMESH 3 STU3N45K3 STMicroelectronics 3.000: $497 Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas	N.º de artículo del Fabricante STU3N45K3 N.º de artículo de Mouser 511-STU3N45K3	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 450V 3.2 Ohm 1.8A SuperMESH 3 Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmsuperMESH3	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas	$497	Min.: 3.000 Mult.: 3.000	Si	Through Hole	TO-251-3	N-Channel	1 Channel	450 V	1.8 A	3.8 Ohms	30 V	3 V	6 nC	- 55 C	+ 150 C	27 W	Enhancement	SuperMESH	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 950V 4 A STU5N95K3 STMicroelectronics 3.000: $1.891 Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas	N.º de artículo del Fabricante STU5N95K3 N.º de artículo de Mouser 511-STU5N95K3	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 950V 4 A Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmsuperMESH3	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas	$1.891	Min.: 3.000 Mult.: 3.000	Si	Through Hole	TO-251-3	N-Channel	1 Channel	950 V	4 A	3 Ohms	30 V	3 V	19 nC	- 55 C	+ 150 C	90 W	Enhancement	SuperMESH	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 620V 1.1 Ohms 5.5A STD6N62K3 STMicroelectronics 2.500: $1.098 Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas	N.º de artículo del Fabricante STD6N62K3 N.º de artículo de Mouser 511-STD6N62K3	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 620V 1.1 Ohms 5.5A Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmsuperMESH3	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas	Envase tipo carrete $1.098	Min.: 2.500 Mult.: 2.500 : 2.500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	650 V	5.5 A	1.28 Ohms	30 V	3 V	34 nC	- 55 C	+ 150 C	90 W	Enhancement	MDmesh	Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 400V to 650V STF10N65K3 STMicroelectronics 1.000: $1.095 Plazo de entrega no en existencias 34 Semanas	N.º de artículo del Fabricante STF10N65K3 N.º de artículo de Mouser 511-STF10N65K3	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 400V to 650V Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmsuperMESH3	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 34 Semanas	$1.095 $1.050	Min.: 1.000 Mult.: 1.000	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	10 A	750 mOhms	30 V	3 V	42 nC	- 55 C	+ 150 C	35 W	Enhancement	SuperMESH	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH STU2N62K3 STMicroelectronics 3.000: $893 Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas	N.º de artículo del Fabricante STU2N62K3 N.º de artículo de Mouser 511-STU2N62K3	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmsuperMESH3	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas	$893	Min.: 3.000 Mult.: 3.000	Si	Through Hole	TO-251-3	N-Channel	1 Channel	620 V	2.2 A	3.6 Ohms	30 V	4.5 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	45 W	Enhancement	MDmesh	Tube