Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-4.0A, RDS(ON)=0.0427Ohm @ 4.5V, in UF6 package
SSM6J422TU,LF
Toshiba
1:
$649
3.471 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J422TULF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-4.0A, RDS(ON)=0.0427Ohm @ 4.5V, in UF6 package
Comentarios de Producto
3.471 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3.000
Detalles
Si
SMD/SMT
UF-6
P-Channel
1 Channel
20 V
4 A
42.7 mOhms
- 8 V, 6 V
1 V
12.8 nC
- 55 C
+ 150 C
1 W
Enhancement
AEC-Q101
U-MOSVI
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWR MGT 1.5V Drive P-Ch MOS -20V
SSM6J501NU,LF
Toshiba
1:
$797
1.606 En existencias
33.000 Se espera el 02-04-2027
N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J501NULF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWR MGT 1.5V Drive P-Ch MOS -20V
1.606 En existencias
33.000 Se espera el 02-04-2027
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3.000
Si
SMD/SMT
UDFN-6
P-Channel
1 Channel
20 V
10 A
15.3 mOhms
8 V
300 mV
29.9 nC
- 55 C
+ 150 C
2 W
Enhancement
U-MOSVI
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig P-CH MOS ID -6A -20V -8 VGSS
SSM6J502NU,LF
Toshiba
1:
$786
8.989 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J502NULF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig P-CH MOS ID -6A -20V -8 VGSS
8.989 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3.000
Detalles
Si
SMD/SMT
UDFN6B-6
P-Channel
1 Channel
20 V
6 A
60.5 mOhms
8 V
1 W
U-MOSVI
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig P-CH MOS ID -6A -20V -8 VGSS
SSM6J503NU,LF
Toshiba
1:
$809
2.999 En existencias
3.000 Se espera el 25-12-2026
N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J503NULF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig P-CH MOS ID -6A -20V -8 VGSS
2.999 En existencias
3.000 Se espera el 25-12-2026
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3.000
Detalles
Si
SMD/SMT
UDFN-6
P-Channel
1 Channel
20 V
6 A
89.6 mOhms
8 V
1 V
12.8 nC
- 55 C
+ 150 C
1 W
Enhancement
U-MOSVI
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID=-6A VDSS=-20V
SSM6J801R,LF
Toshiba
1:
$570
816 En existencias
3.000 Se espera el 05-02-2027
N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J801RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID=-6A VDSS=-20V
816 En existencias
3.000 Se espera el 05-02-2027
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSOP-6
P-Channel
1 Channel
20 V
6 A
32.5 mOhms
- 8 V, 6 V
1 V
12.8 nC
- 55 C
+ 150 C
3 W
Enhancement
U-MOSVI
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET 2 in 1 Nch+Pch ID:4A
SSM6L61NU,LF
Toshiba
1:
$911
819 En existencias
3.000 Se espera el 11-12-2026
N.º de artículo de Mouser
757-SSM6L61NULF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET 2 in 1 Nch+Pch ID:4A
819 En existencias
3.000 Se espera el 11-12-2026
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3.000
Detalles
Si
SMD/SMT
UDFN-6
N-Channel, P-Channel
2 Channel
20 V
4 A
108 mOhms, 157 mOhms
8 V, 12 V
400 mV, 500 mV
3.6 nC, 6.74 nC
- 55 C
+ 150 C
2 W
Enhancement
U-MOSVII-H / U-MOSVI
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET 0.1A -0.1A 20V 2-in1
+2 imágenes
SSM6N16FUTE85LF
Toshiba
1:
$513
153 En existencias
3.000 Se espera el 14-04-2027
N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N16FUTE85LF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET 0.1A -0.1A 20V 2-in1
153 En existencias
3.000 Se espera el 14-04-2027
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3.000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-363-6
N-Channel
2 Channel
20 V
100 mA
5.2 Ohms
10 V
1.1 V
- 55 C
+ 150 C
200 mW
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS 4.5GD
SSM6N55NU,LF
Toshiba
1:
$763
8.938 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N55NULF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS 4.5GD
8.938 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3.000
Detalles
Si
N-Channel
2 Channel
U-MOSVII-H
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET 2 in 1 Nch ID: 4A
SSM6N61NU,LF
Toshiba
1:
$911
6.214 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N61NULF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET 2 in 1 Nch ID: 4A
Comentarios de Producto
6.214 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3.000
Detalles
Si
SMD/SMT
UDFN-6
N-Channel
2 Channel
20 V
4 A
108 mOhms
8 V
400 mV
3.6 nC
- 55 C
+ 150 C
2 W
Enhancement
AEC-Q101
U-MOSVII-H
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig MOS 2 in 1 P-Ch -4A -20V 12V GS
SSM6P49NU,LF
Toshiba
1:
$889
181 En existencias
3.000 Se espera el 20-11-2026
N.º de artículo de Mouser
757-SSM6P49NULF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig MOS 2 in 1 P-Ch -4A -20V 12V GS
181 En existencias
3.000 Se espera el 20-11-2026
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3.000
Detalles
Si
SMD/SMT
UDFN-6
P-Channel
2 Channel
20 V
4 A
157 mOhms
12 V
1.2 V
- 55 C
+ 150 C
1 W
Enhancement
U-MOSVI
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS 33.8 mOhm 10V 10uA 2.0 to 3.0V
TJ10S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1:
$2.290
171 En existencias
2.000 Se espera el 20-11-2026
N.º de artículo de Mouser
757-TJ10S04M3LT6L1NQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS 33.8 mOhm 10V 10uA 2.0 to 3.0V
Comentarios de Producto
171 En existencias
2.000 Se espera el 20-11-2026
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2.000
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
P-Channel
1 Channel
40 V
10 A
33.8 mOhms
- 20 V, 10 V
3 V
19 nC
- 55 C
+ 175 C
27 W
Enhancement
AEC-Q100
U-MOSVI
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS 1100 pF 29W PD -15A -40V
TJ15P04M3,RQ(S
Toshiba
1:
$1.401
2.867 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TJ15P04M3RQS
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS 1100 pF 29W PD -15A -40V
2.867 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2.000
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
P-Channel
1 Channel
40 V
15 A
48 mOhms
20 V
2 V
26 nC
- 55 C
+ 150 C
29 W
Enhancement
U-MOSVI
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS 1770pF 41W 36nC -15A -60V
TJ15S06M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1:
$2.290
1.286 En existencias
2.000 Se espera el 20-11-2026
N.º de artículo de Mouser
757-TJ15S06M3LT6L1NQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS 1770pF 41W 36nC -15A -60V
Comentarios de Producto
1.286 En existencias
2.000 Se espera el 20-11-2026
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2.000
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
P-Channel
1 Channel
60 V
15 A
63 mOhms
36 nC
41 W
AEC-Q100
U-MOSVI
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -20A -40V 41W 1850pF 0.0222
TJ20S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1:
$2.290
136 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TJ20S04M3LT6L1NQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -20A -40V 41W 1850pF 0.0222
Comentarios de Producto
136 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2.000
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
P-Channel
1 Channel
40 V
20 A
22.2 mOhms
41 W
AEC-Q100
U-MOSVI
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063
TJ60S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1:
$2.370
6 En existencias
2.000 Se espera el 16-11-2026
N.º de artículo de Mouser
757-TJ60S04M3LT6L1NQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063
Comentarios de Producto
6 En existencias
2.000 Se espera el 16-11-2026
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2.000
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
P-Channel
1 Channel
40 V
60 A
6.3 mOhms
- 20 V, 10 V
3 V
125 nC
- 55 C
+ 175 C
90 W
Enhancement
AEC-Q100
U-MOSVI
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112
TJ60S06M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1:
$3.589
314 En existencias
6.000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
757-TJ60S06M3LT6L1NQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112
Comentarios de Producto
314 En existencias
6.000 En pedido
Ver fechas
Existencias:
314 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
2.000 Se espera el 20-11-2026
4.000 Se espera el 14-12-2026
Plazo de entrega de fábrica:
20 Semanas
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2.000
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
P-Channel
1 Channel
60 V
60 A
11.2 mOhms
- 20 V, 10 V
2 V
156 nC
- 55 C
+ 175 C
100 W
Enhancement
AEC-Q100
U-MOSVI
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -8A -60V 27W 890pF 0.104
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
Toshiba
1:
$2.199
1.500 En existencias
2.000 Se espera el 22-03-2027
N.º de artículo de Mouser
757-TJ8S06M3LT6L1NQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -8A -60V 27W 890pF 0.104
Comentarios de Producto
1.500 En existencias
2.000 Se espera el 22-03-2027
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2.000
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
P-Channel
1 Channel
60 V
8 A
104 mOhms
- 20 V, 10 V
2 V
19 nC
- 55 C
+ 175 C
27 W
Enhancement
AEC-Q100
U-MOSVI
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V FET 2580pF -10A 1.9W
+1 imagen
TPC8125,LQ(S
Toshiba
1:
$1.310
4.863 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TPC8125LQS
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V FET 2580pF -10A 1.9W
4.863 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2.500
Detalles
Si
SMD/SMT
SOP-8
P-Channel
1 Channel
30 V
10 A
17 mOhms
- 25 V, 20 V
2 V
64 nC
- 55 C
+ 150 C
1.9 W
Enhancement
U-MOSVI
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch -30V FET 1650pF -9A 1.9W
+1 imagen
TPC8129,LQ(S
Toshiba
1:
$1.242
3.157 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TPC8129LQS
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch -30V FET 1650pF -9A 1.9W
3.157 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2.500
Detalles
Si
SMD/SMT
SOP-8
P-Channel
1 Channel
30 V
9 A
28 mOhms
- 25 V, 20 V
2 V
39 nC
+ 150 C
1.9 W
Enhancement
U-MOSVI
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch -40V FET 1650pF -9A 1.9W
+1 imagen
TPC8133,LQ(S
Toshiba
1:
$1.481
1.823 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TPC8133LQS
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch -40V FET 1650pF -9A 1.9W
1.823 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2.500
Detalles
Si
SMD/SMT
SOP-8
P-Channel
1 Channel
40 V
9 A
18 mOhms
1.9 W
U-MOSVI
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI
TPH1R712MD,L1Q
Toshiba
1:
$2.928
524 En existencias
20.000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
757-TPH1R712MDL1Q
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI
524 En existencias
20.000 En pedido
Ver fechas
Existencias:
524 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
5.000 Se espera el 20-11-2026
15.000 Se espera el 15-01-2027
Plazo de entrega de fábrica:
24 Semanas
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5.000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOP-8
P-Channel
1 Channel
20 V
60 A
1.7 mOhms
12 V
500 mV
182 nC
- 55 C
+ 150 C
78 W
Enhancement
U-MOSVI
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOS VI FET ID -3.4A -20V 630pF
SSM6J215FE(TE85L,F
Toshiba
1:
$695
11 En existencias
4.000 Se espera el 20-11-2026
N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J215FETE85LF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOS VI FET ID -3.4A -20V 630pF
11 En existencias
4.000 Se espera el 20-11-2026
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
4.000
Detalles
Si
SMD/SMT
ES6-6
P-Channel
1 Channel
20 V
3.4 A
154 mOhms
8 V
1 V
10.4 nC
- 55 C
+ 150 C
500 mW
Enhancement
U-MOSVI
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Sm Sig FET Id -6A -20V -8VGSS
SSM3J328R,LF
Toshiba
1:
$581
415.430 En pedido
N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J328RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Sm Sig FET Id -6A -20V -8VGSS
415.430 En pedido
Ver fechas
En pedido:
16.430 Se espera el 27-11-2026
399.000 Se espera el 11-01-2027
Plazo de entrega de fábrica:
20 Semanas
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3.000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-23F-3
P-Channel
1 Channel
20 V
6 A
29.8 mOhms
8 V
300 mV
12.8 nC
+ 150 C
1 W
Enhancement
U-MOSVI
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-3.6A VDSS=-30V
SSM6J214FE(TE85L,F
Toshiba
1:
$763
15.728 Se espera el 18-11-2026
N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J214FETE85LF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-3.6A VDSS=-30V
15.728 Se espera el 18-11-2026
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
4.000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-563-6
P-Channel
1 Channel
30 V
3.6 A
50 mOhms
12 V
1.2 V
7.9 nC
- 55 C
+ 150 C
700 mW
Enhancement
U-MOSVI
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=--0.4A VDSS=-60V
SSM3J168F,LF
Toshiba
1:
$991
35.785 Se espera el 13-11-2026
N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J168FLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=--0.4A VDSS=-60V
Comentarios de Producto
35.785 Se espera el 13-11-2026
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3.000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-346-3
P-Channel
1 Channel
60 V
400 mA
1.3 Ohms
- 20 V, 10 V
2 V
3 nC
- 55 C
+ 150 C
1.2 W
Enhancement
AEC-Q101
U-MOSVI
Reel, Cut Tape, MouseReel