U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs offer a variety of gate drive voltages required for many different types of mobile devices. They are available in single, dual, N-channel, P-channel and various voltage versions, providing a wide variety of options for designers. Each MOSFET addresses the need to support high-current charging with low voltage and low RDS(on) requirements. The compact packages and and low voltage operation make Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs an ideal solution for high-density packaging requirements in smart phones and game consoles.

Resultados: 86
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -50A -60V 90W 6290pF 0.0138
6.818En existencias
Cinta cortada
$3.258
$1.618
$1.447
$1.173
$1.126
Envase tipo carrete
$1.034
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 50 A 13.8 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 124 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement AEC-Q100 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DPAK+ PD=180W F=1MHZ 4.489En existencias
Cinta cortada
$3.577
$1.777
$1.606
$1.299
$1.276
Envase tipo carrete
$1.162
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 90 A 4.3 mOhms - 20 V, 10 V 1 V 172 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSON-ADV MOQ=5000 PD=30W F=1MHZ 9.980En existencias
Cinta cortada
$1.584
$741
$657
$512
Envase tipo carrete
$360
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT TSON-8 P-Channel 1 Channel 30 V 23 A 7.8 mOhms - 25 V, 20 V 800 mV 76 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR PS-8 MOQ=3000 V=-40 PD=2.01W F=1MHZ
6.091En existencias
9.000Se espera el 01-03-2027
Cinta cortada
$1.344
$623
$553
$427
Envase tipo carrete
$335
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT PS-8 P-Channel 1 Channel 40 V 8 A 18 mOhms - 20 V, 10 V 2 V 44.6 nC - 55 C + 175 C 2.01 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+/-8V, ID=-3.0A, RDS(ON)=0.103Ohm @ 4.5V, in UFM package 1.581En existencias
3.000Se espera el 06-11-2026
Cinta cortada
$649
$293
$256
$193
Envase tipo carrete
$146
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT UFM-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3 A 103 mOhms 8 V 1 V 4.6 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -60V -2A AECQ MOSFET
7.134En existencias
Cinta cortada
$741
$334
$293
$221
Envase tipo carrete
$169
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 60 V 2 A 360 mOhms - 20 V, 10 V 2 V 8.3 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -20V -2A AECQ MOSFET
4.999En existencias
Cinta cortada
$581
$260
$228
$171
Envase tipo carrete
$128
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT S-Mini-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2 A 150 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 4.6 nC - 55 C + 150 C 1.2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=--4.8A VDSS=-12V 2.044En existencias
Cinta cortada
$820
$373
$328
$250
Envase tipo carrete
$183
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000
Si SMD/SMT SOT-563-6 P-Channel 1 Channel 12 V 4.8 A 26 mOhms 8 V 1 V 12.7 nC - 55 C + 150 C 700 mW Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X34 Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-4.4A
1.534En existencias
Cinta cortada
$946
$432
$381
$291
Envase tipo carrete
$223
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT UFM-3 P-Channel 1 Channel 20 V 4.4 A 25.8 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 24.8 nC + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X34 Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-5.5A
3.950En existencias
Cinta cortada
$752
$336
$296
$223
Envase tipo carrete
$170
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT UFM-3 P-Channel 1 Channel 20 V 5.5 A 29.8 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 12.8 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X34 Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3A
2.654En existencias
Cinta cortada
$649
$293
$256
$193
Envase tipo carrete
$146
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT UFM-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3 A 103 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 4.6 nC + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET 2.082En existencias
3.000Se espera el 30-10-2026
Cinta cortada
$467
$204
$179
$132
Envase tipo carrete
$98
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.9 A 93 mOhms 8 V 1 V 4.6 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-2A VDSS=-20V 6.000En existencias
Cinta cortada
$513
$226
$197
$147
Envase tipo carrete
$109
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT S-Mini-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2 A 90 mOhms 12 V 1.2 V 5.1 nC - 55 C + 150 C 600 mW Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -2A, VDSS -30V 3.590En existencias
Cinta cortada
$513
$226
$197
$147
Envase tipo carrete
$109
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-346-3 P-Channel 1 Channel 30 V 2 A 125 mOhms 20 V 2.2 V 3.4 nC - 55 C + 150 C 1.2 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V
6.711En existencias
129.000Se espera el 25-12-2026
Cinta cortada
$581
$257
$226
$169
Envase tipo carrete
$125
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 60 V 2 A 300 mOhms - 20 V, 10 V 800 mV + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X34 Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-4A
39En existencias
3.000Se espera el 06-11-2026
Cinta cortada
$501
$222
$194
$145
Envase tipo carrete
$107
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 4 A 55 mOhms - 8 V, 6 V 300 mV 10.4 nC + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -30V -6A AECQ MOSFET
8.398En existencias
15.000Se espera el 08-03-2027
Cinta cortada
$592
$267
$234
$175
Envase tipo carrete
$156
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 30 V 6 A 42 mOhms - 12 V, 6 V 1.2 V 8.2 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X34 Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-30V Vgss:-20/+10V Id:-4A
3.000En existencias
Cinta cortada
$501
$220
$193
$171
Envase tipo carrete
$120
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 30 V 4 A 71 mOhms - 20 V, 10 V 2 V 5.9 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X34 Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-2A
6.004En existencias
Cinta cortada
$444
$196
$172
$128
Envase tipo carrete
$94,6
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT S-Mini-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2 A 150 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 4.6 nC - 55 C + 150 C 1.2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X34 Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.9A
10.349En existencias
3.000Se espera el 30-10-2026
Cinta cortada
$467
$208
$182
$136
Envase tipo carrete
$100
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.9 A 93 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 4.6 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X34 Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-6A
4.979En existencias
Cinta cortada
$524
$321
$203
$152
Envase tipo carrete
$113
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 29.8 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 12.8 nC + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 6A 30VDSS 340pF
14.194En existencias
Cinta cortada
$638
$286
$251
$188
Envase tipo carrete
$141
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 6 A 56 mOhms 20 V 2.5 V 2.7 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q100 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: 1.4A, VDSS: 20V 5.387En existencias
120.000Se espera el 09-11-2026
Cinta cortada
$684
$476
$301
$189
Envase tipo carrete
$109
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 10.000
Si SMD/SMT CST3-3 N-Channel 1 Channel 20 V 1.4 A 840 mOhms 8 V 400 mV 1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOS VI FET ID -6A -20V 1650pF 3.077En existencias
Cinta cortada
$797
$491
$314
$238
Envase tipo carrete
$182
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT UF-6 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 54 mOhms 8 V 1 V 23.1 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-4.0A, RDS(ON)=0.0427Ohm @ 4.5V, in UF6 package
3.471En existencias
Cinta cortada
$649
$289
$254
$190
Envase tipo carrete
$172
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT UF-6 P-Channel 1 Channel 20 V 4 A 42.7 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 12.8 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel