MOSFETs for General Purpose Applications

Infineon Technologies MOSFETs for General Purpose Applications offer simple and price-competitive solutions with a wide availability and established quality. This portfolio covers voltage classes up to 100V. It includes single and dual N-channel MOSFETs, and products for smaller power handling (single and dual N- and P-channel MOSFETs). The selected parts come in a wide range of packages including SOT-23, PQFN 2x2, PQFN 3x3, DPAK, SO-8, SuperSO8 5x6, and TO220. These products address a broad range of general-purpose applications like adapters, chargers, battery-powered applications, motor control and drives, battery management systems, inverters, computing, and mobile applications.

Resultados: 19
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
Hoja de datos
3.403En existencias
$4.864
$1.954
$1.790
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 201 A 1.15 mOhms 20 V 3.4 V 210 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
Hoja de datos
8.698En existencias
$2.953
$1.449
$1.307
$1.042
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 185 A 1.9 mOhms 20 V 2.1 V 108 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
1.997En existencias
$4.567
$2.328
$2.108
$1.713
$1.658
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 100 V 83 A 3 mOhms 20 V 3 V 154 nC - 55 C + 175 C 41 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
1.397En existencias
$3.579
$1.790
$1.614
$1.307
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 110 A 5 mOhms 20 V 3.8 V 51 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
Hoja de datos
1.795En existencias
$3.140
$1.592
$1.416
$1.186
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 194 A 1.6 mOhms 20 V 2.1 V 155 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
Hoja de datos
4.900En existencias
$4.249
$2.152
$1.834
$1.625
$1.482
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 197 A 1.3 mOhms 20 V 3.4 V 159 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
Hoja de datos
2.735En existencias
9.000En pedido
$3.733
$1.867
$1.691
$1.372
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 193 A 1.5 mOhms 20 V 3.4 V 106 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
1.338En existencias
$4.974
$2.723
$2.470
$2.042
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 184 A 2.6 mOhms 20 V 3.8 V 103 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
Hoja de datos
6.337En existencias
$3.173
$1.570
$1.416
$1.142
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 80 V 115 A 4 mOhms 20 V 3.8 V 54 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
Hoja de datos
3.967En existencias
$2.525
$1.230
$1.095
$872
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 80 V 99 A 5.5 mOhms 20 V 3.8 V 36 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
Hoja de datos
379En existencias
1.000Se espera el 25-03-2027
$3.942
$1.987
$1.856
$1.460
$1.350
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 182 A 2.4 mOhms 20 V 3.8 V 89 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
841En existencias
$2.591
$1.329
$1.061
$932
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 100 V 77 A 8.2 mOhms 20 V 3.8 V 28 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
911En existencias
$2.492
$1.208
$1.079
$860
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 100 V 52 A 12.9 mOhms 20 V 3.8 V 19 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
Hoja de datos
963En existencias
1.000Se espera el 03-12-2026
$2.888
$1.790
$1.603
$1.307
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 198 A 1.4 mOhms 20 V 2.1 V 203 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
544En existencias
$3.195
$1.581
$1.427
$1.175
$1.021
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 100 V 46 A 8.2 mOhms 20 V 3.8 V 42 nC - 55 C + 175 C 35 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
Hoja de datos
551En existencias
1.000Se espera el 15-10-2026
$4.578
$2.328
$2.064
$1.735
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 191 A 1.9 mOhms 20 V 3.8 V 124 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
Hoja de datos
935En existencias
1.000Se espera el 24-12-2026
$2.470
$1.197
$1.068
$887
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 119 A 3.05 mOhms 20 V 3.3 V 68 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
Hoja de datos
33En existencias
2.000Se espera el 12-11-2026
$2.130
$1.017
$893
$708
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 80 A 4 mOhms 20 V 3.3 V 38 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
Hoja de datos
1.990Se espera el 19-10-2026
$4.875
$2.492
$2.262
$1.856
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 80 V 196 A 1.6 mOhms 20 V 3.8 V 170 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube