10 A Semiconductores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 1 N-CH HEXFET 14.9mOhms 39nC
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Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 30V Vds 10A 0.0135Rds(on) 14Qg
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Central Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10A,650V Through-Hole MOSFET N-Channel Super Junction T/L
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/10A
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Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 70A, Single N-Channel Power MOSFET
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Diotec Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, PowerQFN 2x2, 30V, 10A, 150C, N, AEC-Q101
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Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V, -10A, Single P-Channel Power MOSFET
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 600V-0.37ohms FDMesh 10A
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 100 V, 0.136 Ohm typ., 10 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package
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14.938Se espera el 04-12-2026
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
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Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC DISCRETE
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1.905Se espera el 24-06-2027
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -10.0 Amps -500V 1.000 Rds
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537En pedido
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V FET 2580pF -10A 1.9W
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4.926Se espera el 18-12-2026
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X35PBF Power MOSFET Transistr95ohm250V
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9.761Se espera el 07-09-2026
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 30 V, 4.0 A, 0.056Ohm@4.5V, DFN2020B(WF)
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65.900Se espera el 14-09-2026
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Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 N-CH 60V 10A
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2.869Se espera el 21-09-2026
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag
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113En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
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916En existencias
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Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 400 W 65 MHz T3C
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10Se espera el 26-10-2026
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 41V-60V
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2.500Se espera el 15-01-2027
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -20V(Vdss), -10.0A(Id), (1.8V Drive)
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3.000Se espera el 29-10-2026
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Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
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5.975Se espera el 23-11-2026
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Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 10A
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3.033Se espera el 10-09-2026
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Diodes Incorporated DMP1010UCA4-7
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DSN1212-4 T&R 3K
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2.995Se espera el 23-04-2027
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