10 A Semiconductores

Tipos de Semiconductores

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 175En existencias
5.000Se espera el 22-04-2027
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: 2.500

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 10A 179En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 1000V 265En existencias
300Se espera el 24-11-2026
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HiPERFET Id10 BVdass600 223En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -10.0 Amps -500V 1.000 Rds 26En existencias
4.031En pedido
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TenchP Power MOSFET 235En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -10 Amps -600V 1 Rds 5En existencias
300Se espera el 01-12-2026
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 250V 10A MOSFET 343En existencias
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -20V -10A Middle Power MOSFET 4.537En existencias
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: 3.000
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN2020 N-CH 40V 10A 37En existencias
3.000Se espera el 13-10-2026
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: 3.000

ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -30V(Vdss), -10.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive) 2.065En existencias
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: 3.000

ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ 940En existencias
Min.: 1
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: 2.500

ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC Transistor SiC MOSFET 1200V 450m 2nd Gen TO-247 15En existencias
450Se espera el 02-09-2026
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET V=30V, I-10A 2.453En existencias
27.000Se espera el 27-11-2026
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: 3.000

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS 33.8 mOhm 10V 10uA 2.0 to 3.0V 171En existencias
2.000Se espera el 11-09-2026
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: 2.000

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 10A 500V 45W 1050pF 0.72 230En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-3PN 4En existencias
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Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 10A 1.704En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70 380En existencias
39.000Se espera el 27-12-2027
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Máx.: 6.000
: 3.000

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 10A 1.315En existencias
8.000Se espera el 08-02-2027
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SWITCHING DEVICE 1.285En existencias
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: 3.000

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NCH+NCH 4V DRIVE SERIES 1.602En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000


onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V 10A 360 mOhm 953En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500


onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V TO220 PKG 284En existencias
800Se espera el 22-12-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V SINGLE N-CH 31mOhms 33nC 37En existencias
4.000Se espera el 29-10-2026
Min.: 1
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: 4.000