Single SiC Semiconductores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
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217En existencias
240Se espera el 10-09-2026
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
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203En existencias
240En pedido
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
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215En existencias
240Se espera el 10-09-2026
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
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240En existencias
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STMicroelectronics Controladores de puerta con aislamiento galvánico Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs
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1.853En existencias
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: 1.000

STMicroelectronics Controladores de puerta con aislamiento galvánico Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs
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2.220En existencias
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: 2.500

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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693En existencias
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: 750

onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 750V/6MOCOMBO-FETG4TO2
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165En existencias
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onsemi IGBTs 650V 75A FS4 HYBRID IGBT INDUSTRIAL (TO247-4L)
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306En existencias
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onsemi Controladores de puerta con aislamiento galvánico ISOLATED GATE DRIVER IN SOIC16WB PACKAGE
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1.584En existencias
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: 1.000

onsemi Módulos MOSFET 8M OHM 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE
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26En existencias
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Wolfspeed Módulos de semiconductores discretos SiC HalfBridgeModule 1.2kV 450A
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174En existencias
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No
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
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240En existencias
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onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 750V/11MOCOMBO-FETG4TO
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549En existencias
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onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 1700V/400MOSICJFETG3TO263-7
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1.201En existencias
1.600Se espera el 22-01-2027
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Máx.: 120
: 800

onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 650V/25MOSICJFETG3TO2
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126En existencias
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onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 650V/80MOSICJFETG3TO2
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313En existencias
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Máx.: 20

onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 1200V/65MOSICJFETG3TO
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385En existencias
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Máx.: 30

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm TO-247
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141En existencias
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Microchip Technology Módulos MOSFET MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm SOT-227
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101En existencias
250Se espera el 31-08-2026
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Microchip Technology Módulos MOSFET MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm SOT-227
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5En existencias
120Se espera el 03-09-2026
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onsemi Controladores de puerta con aislamiento galvánico ISOLATED GATE DRIVER IN SOIC16WB PACKAGE
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45En existencias
1.000Se espera el 11-06-2027
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: 1.000

STMicroelectronics Controladores de puerta con aislamiento galvánico Automotive advanced isolated gate driver for IGBTs and SiC MOSFETs
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3.485En pedido
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: 1.000

Infineon Technologies Rectificadores y diodos Schottky SIC DISCRETE
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1.680En pedido
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V < 2mohm X4 n-channel MOSFET in SMPD -X
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480En pedido
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