Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified
SQS460ENW-T1_GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified
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Rectificadores 8A If; 1200V Vr TO-252AA (DPAK)
VS-8EWF12SLHM3
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Rectificadores 8A If; 1200V Vr TO-252AA (DPAK)
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Rectificadores 30A 1200V
VS-E5TH3012-M3
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Rectificadores 30A 1200V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 30A 5.4W 3.0mohm @10V
SI7336ADP-T1-E3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 30A 5.4W 3.0mohm @10V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
SI7625DN-T1-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) BIP PNP 5A 50V
2SA2039-TL-E
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) BIP PNP 5A 50V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET 50V 3.5 OHM
BSS138-G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET 50V 3.5 OHM
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FAST 650V TO220
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NTP055N65S3H
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FAST 650V TO220
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Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) Transistor,25W,30MHz,28V
MRF428
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MRF428
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Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) Transistor,25W,30MHz,28V
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GaN FETs GaN HEMT DC-15GHz, 25 Watt
CGHV1F025S
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GaN FETs GaN HEMT DC-15GHz, 25 Watt
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Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 1200V/9MOSICFETDGG3TO
UG3SC120009K4S
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Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 1200V/9MOSICFETDGG3TO
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 300 A TOLL
XP10NA1R5TL
YAGEO XSemi
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YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 300 A TOLL
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 54.2 A PMPAK-5x6
XP3N1R0MT
YAGEO XSemi
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YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 54.2 A PMPAK-5x6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 75A TO-252
XP6NA3R0H
YAGEO XSemi
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 75A TO-252
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IGBTs 1200 V, 100 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
IKQ100N120CS7XKSA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser 726-IKQ100N120CS7XKS
Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 100 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
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IGBTs 1200 V, 120 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
IKQ120N120CS7XKSA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser 726-IKQ120N120CS7XKS
Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 120 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPB95R450PFD7ATMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser 726-IPB95R450PFD7ATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
IPTC044N15NM5ATMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser 726-TC044N15NM5ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 27A N-CH MOSFET
R6009RND3TL1
ROHM Semiconductor
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N.º de artículo de Mouser 755-R6009RND3TL1
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 27A N-CH MOSFET
5.127 En existencias
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Rectificadores RECT 600V 12A SM STD RCOVR
SE12DTLJHM3/I
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N.º de artículo de Mouser 78-SE12DTLJHM3/I
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Rectificadores RECT 600V 12A SM STD RCOVR
1.938 En existencias
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Rectificadores RECT 600V 20A SM STD RCOVR
SE20DTLJ-M3/I
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1:
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N.º de artículo de Mouser 78-SE20DTLJ-M3/I
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Rectificadores RECT 600V 20A SM STD RCOVR
2.604 En existencias
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$3.124
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Diodos Schottky de SiC RECT 650V 6A SM POWER SIC
VS-3C06ET07S2L-M3
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Diodos Schottky de SiC RECT 650V 6A SM POWER SIC
1.265 En existencias
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Diodos Schottky de SiC RECT 650V 10A SM POWER SIC
VS-3C10ET07S2L-M3
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N.º de artículo de Mouser 78-VS-3C10ET07S2L-M3
Vishay Semiconductors
Diodos Schottky de SiC RECT 650V 10A SM POWER SIC
1.329 En existencias
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$2.713
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$2.103
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2.400
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Detalles
Rectificadores 15A, 600V, "X" Series GEN 5 Fred PT
VS-E5TX1506S2L-M3
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1.480 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-VS-E5TX1506S2L-M3
Vishay Semiconductors
Rectificadores 15A, 600V, "X" Series GEN 5 Fred PT
1.480 En existencias
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$3.660
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$2.387
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MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3
+1 imagen
NTH4L040N120M3S
onsemi
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N.º de artículo de Mouser 863-NTH4L040N120M3S
onsemi
MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3
1.036 En existencias
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