Quad Semiconductores

Resultados: 186
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel Array 65En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad MOSFET ARRAY Vt=2.70V 12En existencias
50Se espera el 06-08-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
11.040Se espera el 21-10-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1.430
: 3.000


Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PREC N-CHAN EPAD CMOS MOSFET ARRAY 13En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.20V 6En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad MOSFET ARRAY Vt=2.50V 39En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual PT5 N-Ch & Dual PT1 PCH PowerTrench 1.895En existencias
15.174Se espera el 18-12-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000
: 3.000


Diodes Incorporated Diodos de Conmutación de Señal Baja Quad Low Leakage Diode, AEC-Q101
38.960Se espera el 19-05-2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000
: 3.000

THAT Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 2 NPN+2 PNP Matched Trans. Array SO-14
1.661En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Toshiba Diodos de Conmutación de Señal Baja High Speed Switching Diode
5.917Se espera el 07-08-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000


Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P&N-Ch. Pair 45En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.00V 5En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.10V 4En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad MOSFET ARRAY Vt=2.30V
450Se espera el 10-09-2026
Min.: 1
Mult.: 1


Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad EPAD(R) N-Ch
50Se espera el 06-08-2026
Min.: 1
Mult.: 1


Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad SAB MOSFET ARRAY VT=1.70V
100Se espera el 13-08-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Microchip Technology Módulos IGBT PM-IGBT-TFS-SP6C Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 5
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Microchip Technology Módulos IGBT PM-IGBT-TFS-SP6C Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 5
Mult.: 1

Microchip Technology Módulos IGBT PM-IGBT-TFS-SP3F Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 19
Mult.: 1

Microchip Technology Módulos IGBT PM-IGBT-TFS-SP1 Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 15
Mult.: 1

Microchip Technology Módulos IGBT PM-IGBT-TFS-SP3F Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 15
Mult.: 1

Microchip Technology Módulos IGBT PM-IGBT-TFS-SP3F Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 14
Mult.: 1

Microchip Technology Módulos IGBT PM-IGBT-TFS-SP4 Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 8
Mult.: 1

Microchip Technology Módulos IGBT PM-IGBT-TFS-SP3F Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 7
Mult.: 1

Analog Devices Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Matched Monolithic Quad Transistor Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500