Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 60V 7.8A 22.5mOhm STripFETIII
STL8DN6LF3
STMicroelectronics
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STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 60V 7.8A 22.5mOhm STripFETIII
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 40 / 40V 200mW
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MMDT4413-7-F
Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 40 / 40V 200mW
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Nch+Nch Power MOSFET
SH8KA2TB1
ROHM Semiconductor
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Nch+Nch Power MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ
SP8K32HZGTB
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ
SP8M3HZGTB
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ
SP8M4HZGTB
ROHM Semiconductor
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ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ
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Diodos de Conmutación de Señal Baja High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V
1SS302A,LF
Toshiba
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Toshiba
Diodos de Conmutación de Señal Baja High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V
583.888 En existencias
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Diodos de Conmutación de Señal Baja 0.1A 80V Switching High-Speed Diode
1SS362TE85LF
Toshiba
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Toshiba
Diodos de Conmutación de Señal Baja 0.1A 80V Switching High-Speed Diode
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PBSS4140DPN/SOT457/SC-74
PBSS4140DPNF
Nexperia
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PBSS4140DPN/SOT457/SC-74
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMBT2907AYS/SOT363/SC-88
PMBT2907AYSX
Nexperia
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N.º de artículo de Mouser 771-PMBT2907AYSX
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMBT2907AYS/SOT363/SC-88
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Diodos de Conmutación de Señal Baja 100 Volt 200mA 4ns 500mA IFSM
MMBD7000-E3-18
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Diodos de Conmutación de Señal Baja 100 Volt 200mA 4ns 500mA IFSM
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20/-16V Vgs PowerPAIR 3x3S
SIZ200DT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20/-16V Vgs PowerPAIR 3x3S
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
SIZ980DT-T1-GE3
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N.º de artículo de Mouser 78-SIZ980DT-T1-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L
SQJ244EP-T1_GE3
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N.º de artículo de Mouser 78-SQJ244EP-T1_GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L
5.708 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
SIA533EDJ-T1-GE3
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N.º de artículo de Mouser 781-SIA533EDJ-T1-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
ECH8695R-TL-W
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12.178 En existencias
N.º de artículo de Mouser 863-ECH8695R-TL-W
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
12.178 En existencias
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Transistor de unión de efecto de campo (JFET) NCH+NCH J-FET
NSVJ5908DSG5T1G
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N.º de artículo de Mouser 863-NSVJ5908DSG5T1G
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Transistor de unión de efecto de campo (JFET) NCH+NCH J-FET
15.045 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SC88 20V 630MA 375MO
NVJD4401NT1G
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N.º de artículo de Mouser 863-NVJD4401NT1G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SC88 20V 630MA 375MO
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 11.7 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
NVMFD5C470NT1G
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N.º de artículo de Mouser 863-NVMFD5C470NT1G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 11.7 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS
NVMFD5C672NLWFT1G
onsemi
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N.º de artículo de Mouser 863-NVMFD5C672NLWFT
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SS GP XSTR DUAL 45V
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SBC847BPDW1T1G
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N.º de artículo de Mouser 863-SBC847BPDW1T1G
onsemi
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SS GP XSTR DUAL 45V
87.973 En existencias
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Rectificadores 200V, Dual, 10A Ultra-Low Qrr IC
LQA20N200C
Power Integrations
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N.º de artículo de Mouser 903-LQA20N200C
Power Integrations
Rectificadores 200V, Dual, 10A Ultra-Low Qrr IC
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Dual N&P Chnl PowerTrench MOSFET
FDMC8097AC
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N.º de artículo de Mouser 512-FDMC8097AC
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Dual N&P Chnl PowerTrench MOSFET
3.242 En existencias
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Presupuesto
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel PowerTrench
FDML7610S
onsemi
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N.º de artículo de Mouser 512-FDML7610S
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel PowerTrench
3.691 En existencias
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Carrete :3.000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SO-8 SGL N-CH 2.5V
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FDS9926A
onsemi
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31.100 En existencias
N.º de artículo de Mouser 512-FDS9926A
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SO-8 SGL N-CH 2.5V
31.100 En existencias
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$1.146
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Carrete :2.500
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