Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Rad-Hard 80 V, 5 A NPN transistor - Engineering model
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13En existencias
Min.: 1
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SMD.5
STMicroelectronics Módulos MOSFET ACEPACK 2 power module, 3-level topology, SiC Power MOSFETs 750 & 1200V 100 A
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18En existencias
Min.: 1
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MOSFET Modules SiC Press Fit 56.7 mm x 48 mm
STMicroelectronics SCR 12 A HiTJ ACST
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3.492En existencias
Min.: 1
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SCRs


STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 1200 V 40 A low-loss MS series IGBT in a
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515En existencias
Min.: 1
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package
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630En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS Through Hole HiP247-3
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package
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540En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS Through Hole HiP-247-4


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package
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448En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS Through Hole HiP-247-4


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package
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301En existencias
600En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS Through Hole Hip247-4


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package
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250En existencias
600Se espera el 19-03-2027
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS Through Hole HiP247-3
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package
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599En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

SiC MOSFETS SMD/SMT H2PAK-7


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A
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246En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS Through Hole HiP-247-4


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
Hoja de datos
487En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS Through Hole HiP247-4


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
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481En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS Through Hole HiP247-4
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package
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1.404En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.800

SiC MOSFETS SMD/SMT TOLL-8
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET
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174En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 200

MOSFETs Si SMD/SMT ACEPACK SMIT-9
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Automotive 5000 W, 22 V TVS
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3.823En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Automotive 5000 W, 24 V TVS
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2.406En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Automotive 5000 W, 40 V TVS
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3.588En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Automotive 600 W, 16 V TVS
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11.869En existencias
6.000Se espera el 14-09-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

SOD-128-2
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Automotive 600 W, 20 V TVS
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12.000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

SOD-128-2
STMicroelectronics Rectificadores en puente Automotive high voltage rectifier for bridge applications
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1.660En existencias
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Min.: 1
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: 600

Bridge Rectifiers Si SMD/SMT HU3PAK-9

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET
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1.009En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-220FP-3
STMicroelectronics IGBTs Automotive ACEPACK SMIT half-bridge 650 V, 80 A HB series IGBT with diode
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189En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 200

IGBT Transistors Si SMD/SMT ACEPACK-5
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 1200 V, 1.45 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET
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269En existencias
1.000Se espera el 05-10-2026
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 100 V, 3.2 mOhm max., 154 A STripFET F8 Power MOSFET
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3.354En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-4