Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos

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Resultados: 4.052
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta
STMicroelectronics STPSC30G065WLY
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC Automotive 650 V, 30A High surge Silicon Carbide power Schottky diode 562En existencias
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SiC Schottky Diodes
STMicroelectronics STTH60200CSA1
STMicroelectronics Rectificadores Rad-Hard 2x30 A - 200 V Ultrafast Rectifier in SMD1 package - Engineering model 18En existencias
Min.: 1
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Rectifiers
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Automotive dual-line unidirectional 16 V ESD protection in SOT323 11.123En existencias
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: 3.000

SOT-323-3
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Automotive dual-line unidirectional ESD protection 17.604En existencias
Min.: 1
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: 3.000

SOT-323-3
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Ultra low capacitance single line bidirectional ESD protection 50.739En existencias
51.000Se espera el 24-08-2026
Min.: 1
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: 17.000

0201 (0603 metric)
STMicroelectronics Rectificadores Rad-hard 150 V, 6 A ultrafast rectifier in SOD128Flat package 140En existencias
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: 500

Rectifiers SMD/SMT SOD-128-2
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky Rad-hard 45 V, 1 A Schottky rectifier in SOD128Flat package 80En existencias
Min.: 1
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: 500

Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT SOD-128-2
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 51 mOhm typ., 39 A MDmesh DM9 Power MOSFET 170En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET 997En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220FP-3
STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT 540En existencias
600Se espera el 08-01-2027
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IGBTs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 40 V, 0.48 mOhm max., 672 A STripFET F8 Power MOSFET 436En existencias
2.000Se espera el 09-10-2026
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: 2.000

MOSFETs
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel logic level 60 V, 2.5 mOhm max., 160 A, STripFET F7 Power MOSFET 399En existencias
3.000Se espera el 04-01-2027
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: 3.000

MOSFETs
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC 650 V, 20A High surge Silicon Carbide power Schottky diode 573En existencias
600En pedido
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SiC Schottky Diodes Through Hole DO-247-2

STMicroelectronics SCR 40A 800 V High Temperature SCR in TO220-AB insulated package 366En existencias
3.000Se espera el 27-08-2026
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SCRs Through Hole TO-220AB-3
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky Aerospace 45 V power Schottky rectifier - Engineering model 52En existencias
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Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT LCC-2B
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Rad-Hard 50 V, 0.8 A NPN transistor - Engineering model 101En existencias
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT UB-4
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Rad-Hard 60 V, 0.6 A PNP transistor - Engineering model 21En existencias
Min.: 1
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT UB-4
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Rad-Hard 80 V, 5 A NPN transistor - Engineering model 13En existencias
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SMD.5
STMicroelectronics Módulos MOSFET ACEPACK 2 power module, 3-level topology, SiC Power MOSFETs 750 & 1200V 100 A 18En existencias
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MOSFET Modules SiC Press Fit 56.7 mm x 48 mm
STMicroelectronics SCR 12 A HiTJ ACST 3.492En existencias
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SCRs


STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 1200 V 40 A low-loss MS series IGBT in a 515En existencias
Min.: 1
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package 630En existencias
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SiC MOSFETS Through Hole HiP247-3
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package 540En existencias
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SiC MOSFETS Through Hole HiP-247-4


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package 448En existencias
Min.: 1
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SiC MOSFETS Through Hole HiP-247-4


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package 271En existencias
600En pedido
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SiC MOSFETS Through Hole Hip247-4