Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos
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Resultados: 4.052
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
STMicroelectronics Triacs 20 Amp 700 Volt
Hoja de datos
722En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Triacs Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.4 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET i
Hoja de datos
2.387En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
Hoja de datos
922En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor
Hoja de datos
337En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1.800

GaN FETs GaN SMD/SMT TO-LL-11
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor
Hoja de datos
728En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

GaN FETs GaN SMD/SMT PowerFLAT-8
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor
Hoja de datos
768En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

GaN FETs GaN SMD/SMT PowerFLAT-8
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in an H2PAK-2 HC package
Hoja de datos
1.095En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

MOSFETs
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC Automotive 650 V, 12A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
Hoja de datos
977En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220AC-2
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC 650 V, 12A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
Hoja de datos
930En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Schottky Diodes
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC Automotive 650 V, 16A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
Hoja de datos
999En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Schottky Diodes
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC Automotive 650 V, 20A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
Hoja de datos
992En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220AC-2
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 1500 W 10kW Transil 5.8V to 70V Uni
Hoja de datos
2.236En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 5000 W, 6.5 V TVS in SMC
Hoja de datos
2.102En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 7 Amp Zener SuperMESH
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695En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
Hoja de datos
978En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3


STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac
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561En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.325 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
Hoja de datos
1.340En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-HV-8
STMicroelectronics Triacs Hi temp 10A Triacs
Hoja de datos
1.616En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Triacs SMD/SMT D2PAK
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600 W 4kW Transil 6V to 70V Uni
Hoja de datos
1.690En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

SMB (DO-214AA)
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
Hoja de datos
2.258En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-220FP-3
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor
Hoja de datos
637En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

GaN FETs GaN SMD/SMT PowerFLAT-8
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor
Hoja de datos
792En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

GaN FETs GaN SMD/SMT PowerFLAT-8
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
Hoja de datos
693En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 100
: 3.000

GaN FETs GaN SMD/SMT PowerFLAT-8
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor
Hoja de datos
652En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

GaN FETs GaN SMD/SMT DPAK-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
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88En existencias
3.000Se espera el 02-10-2026
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-4