Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600W 4kW Transil SMA 5V to 70V Bi
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3.200En existencias
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: 5.000

SMA (DO-214AC)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 400W 188V Unidirect
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8.752En existencias
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: 5.000

SMA (DO-214AC)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Transil
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8.813En existencias
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: 2.500

SMB (DO-214AA)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 3000W Transil 22V 0.2uA 15kV 8kV BI
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2.427En existencias
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: 2.500

SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 5000 W, 24 V TVS in SMC
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2.226En existencias
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: 2.500

SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 4 Amp Zener SuperMESH
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1.463En existencias
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: 1.000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 420 mOhm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP package
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1.043En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220FP-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 200V 15A Pwr MOSFET
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1.912En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
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434En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT
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580En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate H series 650V 80A HiSpd
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320En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 72 mOhm typ., 45 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 H
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1.451En existencias
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: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2
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1.744En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 4.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package
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1.814En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V 3.5 mOhm typ 90 A
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1.267En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75 Volt 120 Amp
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718En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 6.2 A
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684En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Rectificadores High Effecientcy Rectifier
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3.457En existencias
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: 1.000

Rectifiers SMD/SMT D2-PAK

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
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637En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
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393En existencias
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MOSFETs Si Through Hole
STMicroelectronics Triacs Hi temp 10A Triacs
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2.489En existencias
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Triacs SMD/SMT D2PAK
STMicroelectronics Triacs Hi temp 12A Triacs
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1.539En existencias
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Triacs Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Triacs 4.0 Amp 600 Volt
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5.415En existencias
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Triacs SMD/SMT DPAK
STMicroelectronics SCR 12 Amp 600 Volt
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2.364En existencias
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SCRs Through Hole TO-220
STMicroelectronics SCR THYRISTOR
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2.173En existencias
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SCRs Through Hole TO-220-3