TO-247-4 Semiconductores

Resultados: 446
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM
Hoja de datos
2.234En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 31A N-CH SIC
Hoja de datos
491En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 1200V/9MOSICFETDGG3TO
Hoja de datos
593En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3
Hoja de datos
1.037En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 30

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 70MOHM 1200V M3
Hoja de datos
217En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 14MOHM 1200V
Hoja de datos
461En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 10

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
Hoja de datos
459En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET
Hoja de datos
576En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies IGBTs 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-4 package
Hoja de datos
318En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

onsemi MOSFETs de SiC 650V/40MOSICFETG3TO247-4
Hoja de datos
3.280En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V
Hoja de datos
1.476En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 30


onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V
Hoja de datos
1.387En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 40

Wolfspeed MOSFETs de SiC 1.2kV 75mOHMS E3M AUTO AECQ101
Hoja de datos
368En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

onsemi MOSFETs de SiC 1200V/40MOSICFETG3TO247-4
Hoja de datos
630En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V N-Channel SuperFET III MOSFET
Hoja de datos
125En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC Transistor SiC MOSFET 650V 80m 3rd Gen TO-247-4L
Hoja de datos
860En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
181En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 750V 34A N-CH SIC
Hoja de datos
750En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 650V
Hoja de datos
1.589En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 650V
Hoja de datos
400En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi MOSFETs de SiC SIC MOSFET 900V TO247-4L 60MOHM
Hoja de datos
314En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

onsemi MOSFETs de SiC 1200V/53MOSICFETG4TO247-4
Hoja de datos
759En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package
Hoja de datos
525En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi IGBTs FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 75A TO247-4L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
Hoja de datos
330En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
Hoja de datos
317En existencias
Min.: 1
Mult.: 1