PowerFLAT-8 Transistores

Resultados: 20
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor 728En existencias
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: 3.000

GaN FETs GaN SMD/SMT PowerFLAT-8
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor 768En existencias
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: 3.000

GaN FETs GaN SMD/SMT PowerFLAT-8
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor 637En existencias
Min.: 1
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: 3.000

GaN FETs GaN SMD/SMT PowerFLAT-8
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor 792En existencias
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: 3.000

GaN FETs GaN SMD/SMT PowerFLAT-8
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor 693En existencias
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Máx.: 100
: 3.000

GaN FETs GaN SMD/SMT PowerFLAT-8
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel logic level 100 V, 4.6 mOhm max., 119 A STripFET F8 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package 700En existencias
Min.: 1
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Máx.: 50
: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode 40V, 1.1mohm 290A Automotive STripFET F8 Power MOSFET 2.980En existencias
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: 3.000

MOSFETs SMD/SMT PowerFLAT-8

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel logic level 40 V, 1.0 mOhm max., 304 A, STripFET F8 Power MOSFET 2.028En existencias
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: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8


STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-Channel Enhancement Mode Logic Level 40V, 1mOhm, 305A STripFET F8 273En existencias
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: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 0.005 Ohm typ., 107 A STripFET F7 Power MOSFET 12.000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 80 V, 5.6 mOhm typ., 95 A, STripFET F7 Power MOSFET in a Po
3.000Se espera el 24-08-2026
Min.: 1
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: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8


STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 100 V, 4.6 mOhms max., 125 A STripFET F8 Power MOSFET
5.956Se espera el 24-08-2026
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: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 11.3 mOhm typ., 12 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3.3 package Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel logic level 40V 2.2 mOhm 167A STripFET F8 PowerMOSFET Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 1
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: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 300 mOhm typ., 10 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 p Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Min.: 3.000
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: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 9 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 3.000
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: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 30 V, 25 mOhm typ, 10 A STripFET H6 Power MOSFET in a Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 3.000
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 220 mOhm typ., 13 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 220 mOhm typ., 10 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 1
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel logic level 60 V, 1.3 mOhm max., 268 A, STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8