MOSFETs MOSFETs de SiC

Resultados: 161
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Paquete / Cubierta Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial


Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package 1.139En existencias
$34.474
$23.161
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole 1 Channel 1.2 kV 127 A 14 mOhms - 10 V, + 23 V 4.2 V 110 nC - 55 C + 150 C 455 W Enhancement
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 75mO, 1200V, TO-247-4, 175C capable, Industrial 670En existencias
$9.957
$5.810
$5.355
$5.058
$4.625
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 32 A 90 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 53 nC - 40 C + 175 C 136 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package 313En existencias
$28.436
$21.236
$18.365
$17.374
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole 1 Channel 1.2 kV 98 A 19 mOhms - 10 V, + 23 V 4.2 V 83 nC - 55 C + 150 C 375 W Enhancement
Central Semiconductor MOSFETs de SiC 1700V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC 17En existencias
$45.058
$36.867
$32.572
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.7 kV 26 A 40 mOhms 20 V 2.4 V - 55 C + 175 C 28 W Depletion
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 12mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET 1.614En existencias
$70.646
$65.770
$63.936
$63.925
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 111 A 12 mOhms - 10 V, + 22 V 2.7 V 288 nC - 55 C + 175 C 567 W Enhancement
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7XL, Industrial 661En existencias
$14.788
$8.374
$8.305
$8.260
$7.724
Min.: 1
Mult.: 1
SMD/SMT 1 Channel 1.2 kV 64 A 53.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 94 nC - 40 C + 150 C 272 W Enhancement
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET 45mohm, 650V TO-263-7XL, Industrial 601En existencias
$12.190
$6.767
$6.448
$6.414
$5.993
Min.: 1
Mult.: 1
SMD/SMT 1 Channel 650 V 47 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 61 nC - 40 C + 150 C 147 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 1.019En existencias
Cinta cortada
$11.552
$6.391
$5.993
$5.901
Envase tipo carrete
$5.674
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 45 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 175 C 183 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 1.000En existencias
Cinta cortada
$7.098
$3.748
$2.768
$2.757
Envase tipo carrete
$2.757
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 17 A 217 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 27 nC - 55 C + 175 C 85 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 1.995En existencias
Cinta cortada
$10.709
$6.232
$5.753
$5.389
Envase tipo carrete
$5.127
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 39 A 74 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 28 nC - 55 C + 175 C 161 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 753En existencias
Cinta cortada
$7.679
$4.500
$4.101
$3.862
Envase tipo carrete
$3.703
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 24 A 141 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 35 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 861En existencias
Cinta cortada
$8.465
$5.320
$4.876
$4.591
Envase tipo carrete
$4.546
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 33 A 94 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 175 C 140 W Enhancement CoolSiC
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 1700V 450mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET 1.702En existencias
$8.214
$7.383
$7.075
$7.064
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.7 kV 7 A 450 mOhms - 5 V, + 15 V 2.7 V 13 nC - 55 C + 175 C 70 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO263 1.2KV 75A N-CH SIC 994En existencias
Cinta cortada
$31.786
$22.079
$22.068
Envase tipo carrete
$20.621
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
SMD/SMT TO-263-7LA 1 Channel 1.2 kV 75 A 23.4 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C Enhancement
SemiQ MOSFETs de SiC Gen3 1200V, 20mohm SiC MOSFET, TO-247-4L 391En existencias
$14.332
$8.602
$8.590
$7.405
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4L 1 Channel 1.2 kV 280 A 25 mOhms - 4.5 V, + 18 V 4 V 234 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 900mO, 1700V, TO-263-7 T&R, Industrial 2.412En existencias
Cinta cortada
$6.756
$3.817
$3.304
$2.746
Envase tipo carrete
$2.506
$2.085
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1700 V 4.4 A 1.25 Ohms - 8 V, + 20 V 4.2 V 8 nC - 55 C + 175 C 41 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package 918En existencias
750Se espera el 07-01-2027
Cinta cortada
$16.690
$9.672
$9.490
Envase tipo carrete
$9.034
Min.: 1
Mult.: 1
: 750
SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 1 Channel 1.2 kV 82 A 67 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 63.4 nC - 55 C + 175 C 405 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package 1.503En existencias
750En pedido
Cinta cortada
$14.138
$10.231
$8.522
$7.599
Envase tipo carrete
$7.098
Min.: 1
Mult.: 1
: 750
SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 1 Channel 1.2 kV 64 A 89 mOhms - 10 V, + 25 C 5.1 V 48.7 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package 425En existencias
Cinta cortada
$13.147
$7.360
$7.086
$6.619
Envase tipo carrete
$6.619
Min.: 1
Mult.: 1
: 750
SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 1 Channel 1.2 kV 56 A 104 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 42.4 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package 314En existencias
750Se espera el 30-11-2026
Cinta cortada
$11.040
$6.072
$5.639
$5.263
Envase tipo carrete
$5.263
Min.: 1
Mult.: 1
: 750
SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 1 Channel 1.2 kV 43 A 138 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 32.8 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package 2.150En existencias
Cinta cortada
$9.695
$5.263
$4.831
$4.728
Envase tipo carrete
$4.432
Min.: 1
Mult.: 1
: 750
SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 1 Channel 1.2 kV 31 A 205 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 23.2 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 228En existencias
240Se espera el 30-11-2026
$32.606
$26.101
$22.569
$21.373
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole PG-TO247-4-U02 1 Channel 1.2 kV 16 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 267En existencias
$21.680
$16.519
$13.762
$12.259
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole PG-TO247-4-U02 1 Channel 1.2 kV 80 A 29 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 329 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 310En existencias
$18.012
$13.717
$11.427
$10.185
$8.647
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole PG-TO247-4-U02 1 Channel 1.2 kV 69 A 34 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 60 nC - 55 C + 175 C 289 W Enhancement CoolSiC
IXYS MOSFETs de SiC 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L 900En existencias
Cinta cortada
$14.788
$8.374
$8.260
$7.827
Envase tipo carrete
$7.827
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7L 1 Channel 650 V 111 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement