.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

RF Power MOSFET Semiconductores

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Tipos de Semiconductores

Lista Imágenes

Resultados: 337

Filtros aplicados:

Tipo = RF Power MOSFET

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 175W 15dB 175MHz

SD2941-10W
STMicroelectronics
1: $93.874
19En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SD2941-10W

N.º de artículo de Mouser
511-SD2941-10W

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 175W 15dB 175MHz

Hoja de datos

19En existencias

$93.874

$76.205

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch 65 Volt 5 Amp

SD57045
STMicroelectronics
1: $108.335
3En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SD57045

N.º de artículo de Mouser
511-SD57045

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch 65 Volt 5 Amp

Hoja de datos

3En existencias

$108.335

$90.014

$81.538

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-400MHz 5 Watts 28Volt Gain 11dB

MRF134
MACOM
1: $104.612
5En existencias
360En pedido

N.º de artículo del Fabricante
MRF134

N.º de artículo de Mouser
937-MRF134

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-400MHz 5 Watts 28Volt Gain 11dB

Obtenga más información

Hoja de datos

5En existencias

360En pedido

$104.612

$87.017

$85.439

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-500MHz 4Watts 28Volt Gain 16dB

MRF160
MACOM
1: $117.400
5En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRF160

N.º de artículo de Mouser
937-MRF160

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-500MHz 4Watts 28Volt Gain 16dB

Obtenga más información

Hoja de datos

5En existencias

$117.400

$98.154

$95.252

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 150Watts 28Volt 10dB

MRF275G
MACOM
1: $372.561
5En existencias
40Se espera el 05-02-2027

N.º de artículo del Fabricante
MRF275G

N.º de artículo de Mouser
937-MRF275G

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 150Watts 28Volt 10dB

Obtenga más información

Hoja de datos

5En existencias

40Se espera el 05-02-2027

$372.561

$314.603

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 100Watts 28Volt 10dB

UF28100V
MACOM
1: $377.704
14En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF28100V

N.º de artículo de Mouser
937-UF28100V

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 100Watts 28Volt 10dB

Hoja de datos

14En existencias

$377.704

$318.946

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,40W,28V,100-500MHz

UF2840P
MACOM
1: $154.125
2En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF2840P

N.º de artículo de Mouser
937-UF2840P

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,40W,28V,100-500MHz

Hoja de datos

2En existencias

$154.125

$128.801

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications

MWT-PH31F
CML Micro
1: $33.496
20En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MWT-PH31F

N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH31F

CML Micro

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications

Hoja de datos

20En existencias

$33.496

$31.014

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications

MWT-PH32F
CML Micro
1: $40.511
9En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MWT-PH32F

N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH32F

CML Micro

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications

Hoja de datos

9En existencias

$40.511

$37.514

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

MWT-PH33F
CML Micro
10: $18.226
30En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MWT-PH33F

N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH33F

CML Micro

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

Hoja de datos

30En existencias

$18.226

$18.194

$14.976

$14.051

Ver

Min.: 10
Mult.: 10

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LDMOS 2-stage power MMIC

BLM7G1822S-40PBGY
Ampleon
1: $47.095
43En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLM7G1822S-40PBGY

N.º de artículo de Mouser
94-BLM7G1822S-40PBGY

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LDMOS 2-stage power MMIC

Hoja de datos

43En existencias

Cinta cortada

$47.095

$40.732

$38.723

Envase tipo carrete

$34.022

$33.412

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 100

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PTVA120251EA-V2-R0
MACOM
1: $56.013
7En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
PTVA120251EA-V2-R0

N.º de artículo de Mouser
941-PTVA120251EA2R0

NRND

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

Hoja de datos

7En existencias

Cinta cortada

$56.013

$53.478

Envase tipo carrete

$53.478

$49.903

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 50

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V

MRF101BN
NXP Semiconductors
1: $41.090
49En existencias
500Se espera el 08-10-2026
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRF101BN

N.º de artículo de Mouser
771-MRF101BN

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V

Hoja de datos

49En existencias

500Se espera el 08-10-2026

$41.090

$33.433

$32.992

$30.373

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V

AFM906NT1
NXP Semiconductors
1: $3.902
49En existencias
1.000En pedido
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
AFM906NT1

N.º de artículo de Mouser
841-AFM906NT1

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V

Hoja de datos

49En existencias

1.000En pedido

Cinta cortada

$3.902

$2.934

$2.692

$2.429

Ver

Envase tipo carrete

$2.145

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 31 W, 13.6 V

AFT05MS031NR1
NXP Semiconductors
1: $25.409
10En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
AFT05MS031NR1

N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MS031NR1

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 31 W, 13.6 V

Hoja de datos

10En existencias

Cinta cortada

$25.409

$20.340

$18.867

$18.205

Ver

Envase tipo carrete

$16.659

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 500

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 7 W, 7.5 V

AFT09MS007NT1
NXP Semiconductors
1: $8.098
20En existencias
6.000Se espera el 04-08-2026
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
AFT09MS007NT1

N.º de artículo de Mouser
841-AFT09MS007NT1

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 7 W, 7.5 V

Hoja de datos

20En existencias

6.000Se espera el 04-08-2026

Cinta cortada

$8.098

$6.205

$5.353

$4.974

Ver

Envase tipo carrete

$3.902

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1090 MHz, 10 W, 50 V

MRF6V10010NR4
NXP Semiconductors
1: $186.728
1En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRF6V10010NR4

N.º de artículo de Mouser
841-MRF6V10010NR4

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1090 MHz, 10 W, 50 V

Hoja de datos

1En existencias

Cinta cortada

$186.728

$158.395

$150.939

$148.930

Envase tipo carrete

$138.508

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 100

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Single N-CDMA Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 880 MHz, 14 W Avg., 28 V

MRFE6S9060NR1
NXP Semiconductors
1: $103.003
Plazo de entrega 53 Semanas
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRFE6S9060NR1

N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6S9060NR1

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Single N-CDMA Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 880 MHz, 14 W Avg., 28 V

Hoja de datos

Plazo de entrega 53 Semanas

Cinta cortada

$103.003

$85.965

$81.716

$80.864

Ver

Envase tipo carrete

$73.482

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 500

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source

ARF461BG
Microchip Technology
1: $62.281
30En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ARF461BG

N.º de artículo de Mouser
494-ARF461BG

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source

Hoja de datos

30En existencias

$62.281

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) NFET SC88 60V 295MA 1.6OH

NVJD5121NT1G-M06
onsemi
1: $463
16.597En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVJD5121NT1G-M06

N.º de artículo de Mouser
863-NVJD5121NT1G-M06

onsemi

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) NFET SC88 60V 295MA 1.6OH

Hoja de datos

16.597En existencias

Cinta cortada

$463

$283

$179

$134

$119

Envase tipo carrete

$111

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PTFC270101M-V1-R1K
MACOM
1: $30.531
1En existencias
Pedido especial de fábrica

N.º de artículo del Fabricante
PTFC270101M-V1-R1K

N.º de artículo de Mouser
941-PTFC270101M1RK

Pedido especial de fábrica

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

1En existencias

Cinta cortada

$30.531

Ver

Envase tipo carrete

$26.071

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 300W 20dB 30MHz

SD2933W
STMicroelectronics
1: $133.249
1.025En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SD2933W

N.º de artículo de Mouser
511-SD2933W

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 300W 20dB 30MHz

Hoja de datos

1.025En pedido

$133.249

$114.308

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-175MHz 80Watts 28Volt Gain 13dB

MRF173
MACOM
1: $158.921
150Se espera el 25-12-2026

N.º de artículo del Fabricante
MRF173

N.º de artículo de Mouser
937-MRF173

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-175MHz 80Watts 28Volt Gain 13dB

Obtenga más información

Hoja de datos

150Se espera el 25-12-2026

$158.921

$132.807

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V

MRF300BN
NXP Semiconductors
1: $91.970
232En pedido
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRF300BN

N.º de artículo de Mouser
771-MRF300BN

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V

Hoja de datos

232En pedido

$91.970

$76.626

$72.146

$68.139

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-200MHz 45Watts 28Volt Gain 17dB

MRF171A
MACOM
1: $151.286
50Se espera el 06-08-2026

N.º de artículo del Fabricante
MRF171A

N.º de artículo de Mouser
937-MRF171A

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-200MHz 45Watts 28Volt Gain 17dB

Obtenga más información

Hoja de datos

50Se espera el 06-08-2026

$151.286

$126.424

Min.: 1
Mult.: 1

RF Power MOSFET Semiconductores

Tipos de Semiconductores

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte