Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 150Watts 28Volt Gain 8dB
UF28150J
MACOM
1:
$639.848
20 En existencias
N.º de artículo de Mouser
937-UF28150J
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 150Watts 28Volt Gain 8dB
20 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
CML Micro MWT-PH27F71
MWT-PH27F71
CML Micro
1:
$58.937
1 En existencias
N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH27F71
CML Micro
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
1 En existencias
1
$58.937
10
$58.937
25
$51.017
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
10
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PTVA030121EA-V1-R0
MACOM
1:
$51.344
39 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
941-PTVA030121EA1R0
NRND
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
39 En existencias
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
50
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
RF5L08350CB4
STMicroelectronics
1:
$184.929
110 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
511-RF5L08350CB4
NRND
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
110 En existencias
1
$184.929
10
$147.552
120
$147.552
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
120
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF981S/SOT467/TRAY
BLF981SU
Ampleon
1:
$145.196
55 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
94-BLF981SU
Nuevo producto
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF981S/SOT467/TRAY
55 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF981/SOT467/TRAY
BLF981U
Ampleon
1:
$141.789
26 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo del Fabricante
BLF981U
N.º de artículo de Mouser
94-BLF981U
Nuevo producto
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF981/SOT467/TRAY
26 En existencias
1
$141.789
10
$119.640
25
$110.974
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP981/TO270/REEL
BLP981XY
Ampleon
1:
$67.550
43 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
94-BLP981XY
Nuevo producto
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP981/TO270/REEL
43 En existencias
1
$67.550
10
$55.834
25
$52.911
100
$51.701
200
$50.008
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
100
Detalles
GaN FETs CLP24H4S30P/DFN-6.5X7/REEL
CLP24H4S30PXY
Ampleon
1:
$81.853
82 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
94-CLP24H4S30PXY
Nuevo producto
Ampleon
GaN FETs CLP24H4S30P/DFN-6.5X7/REEL
82 En existencias
1
$81.853
10
$68.034
25
$64.542
100
$62.639
200
$61.671
500
Ver
500
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
100
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor
RF2L16180CB4
STMicroelectronics
1:
$184.929
20 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
511-RF2L16180CB4
NRND
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor
20 En existencias
1
$184.929
10
$147.552
120
$147.552
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
120
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz
RF5L15120CB4
STMicroelectronics
1:
$206.647
18 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
511-RF5L15120CB4
NRND
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz
18 En existencias
1
$206.647
10
$165.999
100
$165.999
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
100
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V
AFT05MS004NT1
NXP Semiconductors
1:
$5.679
19.716 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MS004NT1
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V
19.716 En existencias
1
$5.679
10
$3.702
25
$3.250
50
$3.071
1.000
$2.282
2.000
Ver
100
$2.903
250
$2.640
500
$2.429
2.000
$2.230
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1.000
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
PD57030-E
STMicroelectronics
1:
$52.448
511 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-PD57030-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
511 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
SD2931-10W
STMicroelectronics
1:
$98.480
719 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-SD2931-10W
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
719 En existencias
1
$98.480
10
$78.235
100
$73.997
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch MOS HF/VHF/ RF 300W 15dB 175MHz
360°
+5 imágenes
SD2932W
STMicroelectronics
1:
$213.136
89 En existencias
N.º de artículo del Fabricante
SD2932W
N.º de artículo de Mouser
511-SD2932W
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch MOS HF/VHF/ RF 300W 15dB 175MHz
89 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
GaN FETs DC-3.5GHz 100W 28V GaN
TGF2929-FL
Qorvo
1:
$727.612
63 En existencias
N.º de artículo de Mouser
772-TGF2929-FL
Qorvo
GaN FETs DC-3.5GHz 100W 28V GaN
63 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
MRF101AN
NXP Semiconductors
1:
$46.748
887 En existencias
2.000 En pedido
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
771-MRF101AN
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
887 En existencias
2.000 En pedido
1
$46.748
10
$38.197
25
$37.230
50
$33.423
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
MRF300AN
NXP Semiconductors
1:
$92.044
435 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
771-MRF300AN
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
435 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 7 W, 7.5 V
AFM907NT1
NXP Semiconductors
1:
$6.889
10.000 En existencias
7.000 Se espera el 29-07-2026
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
841-AFM907NT1
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 7 W, 7.5 V
10.000 En existencias
7.000 Se espera el 29-07-2026
1
$6.889
10
$4.512
25
$3.828
50
$3.555
1.000
$2.819
2.000
Ver
100
$3.323
250
$3.124
500
$2.955
2.000
$2.755
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1.000
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast Broadband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 70 W, 12.5 V
AFT05MP075NR1
NXP Semiconductors
1:
$47.915
522 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MP075NR1
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast Broadband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 70 W, 12.5 V
522 En existencias
1
$47.915
10
$38.986
25
$36.588
50
$36.094
100
Ver
500
$32.445
100
$34.233
250
$33.864
500
$32.445
1.000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
500
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 31 W, 13.6 V
AFT05MS031GNR1
NXP Semiconductors
1:
$24.872
2.103 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MS031GNR1
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 31 W, 13.6 V
2.103 En existencias
1
$24.872
10
$19.908
25
$18.468
50
$17.816
100
Ver
500
$16.301
100
$17.216
250
$16.743
500
$16.301
1.000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
500
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V
MRF1K50HR5
NXP Semiconductors
1:
$430.846
64 En existencias
100 Se espera el 12-10-2026
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
841-MRF1K50HR5
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V
64 En existencias
100 Se espera el 12-10-2026
1
$430.846
10
$373.182
25
$358.795
50
$350.108
100
Ver
100
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
50
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
MRF1K50NR5
NXP Semiconductors
1:
$376.190
28 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
841-MRF1K50NR5
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
28 En existencias
1
$376.190
10
$324.772
25
$311.931
50
$304.191
100
Ver
100
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
50
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-600 MHz, 1250 W CW, 50 V
MRFE6VP61K25HR5
NXP Semiconductors
1:
$458.053
83 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP61K25HR5
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-600 MHz, 1250 W CW, 50 V
83 En existencias
Embalaje alternativo
1
$458.053
10
$395.961
25
$380.481
50
$371.110
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
50
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source
+1 imagen
ARF460AG
Microchip Technology
1:
$59.589
82 En existencias
N.º de artículo de Mouser
494-ARF460AG
Microchip Technology
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source
82 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source
+1 imagen
ARF463AP1G
Microchip Technology
1:
$47.358
392 En existencias
N.º de artículo de Mouser
494-ARF463AP1G
Microchip Technology
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source
392 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles