TO-247-3 Semiconductores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 74 Amps 200V 0.034 Rds
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Discrete MOSFET 90A 650V X3 TO247
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 78A 0.068Ohm PolarP3 Power MOSFET
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 47 Amps 600V 0.045 Rds
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 160 Amps 100V 6.9 Rds
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Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
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Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
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onsemi Diodos Schottky de SiC 1200V 20A AUTO SIC SBD
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V FRFET 95MO
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3
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Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS 7 500 V 140 mOhm TO-247
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STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky 2X15 Amp 45 Volt
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 11 Amp Zener SuperMESH
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A Auto 0.041 Ohm MDMesh M5
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.065 Ohm typ., 40 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 long l
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onsemi IGBTs 650V Field Stop Gen3 Trench IGBT
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IXYS MOSFETs de SiC TO247 1.7KV 4.4A N-CH SIC
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Infineon Technologies IGBTs 650V IGBT Trenchstop 5
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120 Amps 150V 0.016 Rds
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