Resultados: 1.189
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Mini-Circuits Amplificador de RF SMT Low Noise Amplifier, DC - 7 GHz, 50? 3.283En existencias
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: 500


Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 12V Vgs SC70-6 515.555En existencias
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: 3.000


Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds +/-12V Vgs AEC-Q101 Qualified 201.463En existencias
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: 3.000


Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified 130.679En existencias
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: 3.000

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 0.8A Id AEC-Q101 Qualified 181.173En existencias
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: 3.000

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 20V Vds SOT-363 127.420En existencias
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: 3.000

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET 30V 250MA 1.5OH 926.586En existencias
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Máx.: 850
: 3.000

Qorvo Amplificador de RF DC-5GHz NF 2.85dB Gain 16.9dB 18.668En existencias
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Máx.: 3.000
: 3.000


Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified 140.076En existencias
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: 3.000


Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V (D-S) -/+20V AEC-Q101 Qualified 295.656En existencias
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: 3.000


Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified 308.499En existencias
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: 3.000


Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 3A 3W AEC-Q101 Qualified 138.084En existencias
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: 3.000


Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SC70-6 92.793En existencias
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: 3.000


Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 2PCH 12V 1.14A 135.204En existencias
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: 3.000

Nexperia Traducción - Niveles de tensión NXS0101GW-Q100/SOT363/SC-88 2.534En existencias
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: 3.000


Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 P-CH 20V 3A 59.532En existencias
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: 3.000

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 40V 200mW 32.545En existencias
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Máx.: 370
: 3.000

Mini-Circuits Amplificador de RF ML AMPL / SURF MOUNT / RoHS 708En existencias
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: 500


Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 40 / 40V 200mW 35.222En existencias
6.000Se espera el 09-04-2027
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Máx.: 950
: 3.000

ROHM Semiconductor Diodos de Conmutación de Señal Baja SW 80V 100MA 30.433En existencias
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: 3.000


onsemi Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) BIP N+N 150MA 8V FT=16G 6.696En existencias
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Máx.: 320
: 3.000

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SC88 20V 630MA 375MO 9.854En existencias
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: 3.000


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6 138.049En existencias
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: 3.000

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET 2-in-1 138.776En existencias
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: 3.000

ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N+P 30 20V 1A 7.250En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000