Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 60V 25.8A
SIR188LDP-T1-RE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 60V 25.8A
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 100A N-CH MOSFET
SIR512DP-T1-RE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 100A N-CH MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 80V 33.6A
SIR5802DP-T1-RE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 80V 33.6A
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SO8 P-CH 30V 14.3A
SI4153DY-T1-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SO8 P-CH 30V 14.3A
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Controlador de la interfaz I/O IC Single-Channel 1-Wire Master
DS2482S-100+T&R
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Analog Devices / Maxim Integrated
Controlador de la interfaz I/O IC Single-Channel 1-Wire Master
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Reloj de tiempo real 5ppm, I C Real-Time Clock with SRAM
DS3232MZ+TRL
Analog Devices / Maxim Integrated
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Analog Devices / Maxim Integrated
Reloj de tiempo real 5ppm, I C Real-Time Clock with SRAM
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Interfaz con sensor Cold-Junction Compensated Thermocouple-t
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MAX31855KASA+T
Analog Devices / Maxim Integrated
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Interfaz con sensor Cold-Junction Compensated Thermocouple-t
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Interfaz con sensor Cold-Junction-Compensated K-Thermocouple-to-Digital Converter (0 C to +1024 C)
MAX6675ISA+
Analog Devices / Maxim Integrated
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Analog Devices / Maxim Integrated
Interfaz con sensor Cold-Junction-Compensated K-Thermocouple-to-Digital Converter (0 C to +1024 C)
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Reguladores de voltaje de conmutación 38 V, 2 A synchronous step-down converter with low quiescent current
L6982C33DR
STMicroelectronics
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STMicroelectronics
Reguladores de voltaje de conmutación 38 V, 2 A synchronous step-down converter with low quiescent current
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Amplificadores de detección de corriente High voltage, current sense amplifier with open drain comparator and ref
TSC200IYDT
STMicroelectronics
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Amplificadores de detección de corriente High voltage, current sense amplifier with open drain comparator and ref
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Amplificadores operacionales - Op Amps High bandwidth 8 MHz, rail-to-rail, 5 V cost-effective Op Amp
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TSL6202IYST
STMicroelectronics
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Amplificadores operacionales - Op Amps High bandwidth 8 MHz, rail-to-rail, 5 V cost-effective Op Amp
3.982 En existencias
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Controladores de puertas Automotive 120V 4A h alf-bridge driver w
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UCC27301AQDDARQ1
Texas Instruments
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Texas Instruments
Controladores de puertas Automotive 120V 4A h alf-bridge driver w
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 100V/-1
XP10C150M
YAGEO XSemi
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 100V/-1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 30V/-30
XP3700M
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XP3700M
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 30V/-30
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 17.4 A SO-8
XP3N5R0M
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -13 .3A SO-8
XP3P010M
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -13 .3A SO-8
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -9. 3A SO-8
XP3P020M
YAGEO XSemi
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N.º de artículo de Mouser 603-XP3P020M
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -9. 3A SO-8
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -5. 8A SO-8
XP3P050AM
YAGEO XSemi
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N.º de artículo de Mouser 603-XP3P050AM
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -5. 8A SO-8
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 18.5 A SO-8
XP4024EM
YAGEO XSemi
1:
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2.550 En existencias
N.º de artículo de Mouser 603-XP4024EM
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 18.5 A SO-8
2.550 En existencias
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -11 .3A SO-8
XP4459M
YAGEO XSemi
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N.º de artículo del Fabricante
XP4459M
N.º de artículo de Mouser 603-XP4459M
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -11 .3A SO-8
2.922 En existencias
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Detalles
IC de controladores de iluminación LED LED MV Int Switch SO-8 T&R 4K
AL8853AQS-13
Diodes Incorporated
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N.º de artículo de Mouser 621-AL8853AQS-13
Diodes Incorporated
IC de controladores de iluminación LED LED MV Int Switch SO-8 T&R 4K
3.879 En existencias
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$393
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Detalles
Amplificadores operacionales - Op Amps OpAmp General Purpose SO-8 T&R 4K
AS2348S-13
Diodes Incorporated
1:
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N.º de artículo de Mouser 621-AS2348S-13
Diodes Incorporated
Amplificadores operacionales - Op Amps OpAmp General Purpose SO-8 T&R 4K
2.845 En existencias
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Detalles
Amplificadores de aislamiento 50mV Isolation Amplifier
ACPL-C72A-500E
Broadcom / Avago
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Broadcom / Avago
Amplificadores de aislamiento 50mV Isolation Amplifier
969 En existencias
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Detalles
Amplificadores de aislamiento 50mV Isolation Amplifier
ACPL-C72B-000E
Broadcom / Avago
1:
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695 En existencias
N.º de artículo de Mouser 630-ACPL-C72B-000E
Broadcom / Avago
Amplificadores de aislamiento 50mV Isolation Amplifier
695 En existencias
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Interfaz IC CAN IN VEHICLE NETWORK ICS
TLE9350BVSJXTMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser 726-TLE9350BVSJXTMA1
Infineon Technologies
Interfaz IC CAN IN VEHICLE NETWORK ICS
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$631
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Carrete :2.500
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