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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS

onsemi Traducción - Niveles de tensión 2 BITTRANSLATOR 2.058En existencias
17.500En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1.956
: 2.500

Diotec Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, SO-8, 90V, 8A, 150C, N 3.920En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000

NXP Semiconductors Interfaz IC CAN VeLIO Certified, High-Speed CAN Transceivers with Standby Mode 7.412En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET 22.137En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6.000
: 3.000

STMicroelectronics EEPROM 2-Mbit serial I2C bus EEPROM with configurable device address 2.232En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

STMicroelectronics Controladores de puerta con aislamiento galvánico Automotive grade galvanically isolated 4 A single gate driver 848En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

STMicroelectronics Controladores de puerta con aislamiento galvánico Automotive grade galvanically isolated 4 A single gate driver 899En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

STMicroelectronics IC de seguridad/autenticación Secure authentication companion device for consumables, and connected objects 2.451En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

STMicroelectronics Amplificadores operacionales - Op Amps Very high accuracy (20uV) automotive grade, zero drift, 3 MHz,36 V op amp 2.331En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

STMicroelectronics Amplificadores operacionales - Op Amps Very high accuracy (20uV) automotive grade, zero drift, 3 MHz,36 V op amp 4.954En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Nexperia Controladores de puertas NGD4300D/SOT96/SO8 2.604En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 80 V (D-S) MOSFET 13.713En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6.000
: 3.000

THAT Preamplificadores de micrófono High-Perform. Audio Preamp 0dB SOIC-8 6.608En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

NXP Semiconductors Interfaz IC CAN VeLIO Certified, High-Speed CAN Transceivers with Standby Mode 2.555En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Diodes Incorporated Amplificadores operacionales - Op Amps OpAmp General Purpose SO-8 T&R 2.5K 6.708En existencias
7.500Se espera el 31-08-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2.500
: 2.500


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET 9.186En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET 6.223En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000

NXP Semiconductors Controladores de conmutación Dual Synchronous Rectification controller 2.319En existencias
5.000Se espera el 31-08-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

NXP Semiconductors Transceptores LIN LIN 2.1/SAE J2602/ISO17987 transceiver 10.323En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

NXP Semiconductors Interfaz IC CAN High-speed CAN transceiver 5.934En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

NXP Semiconductors Interfaz IC CAN High-speed CAN transceiver 12.153En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 150-V (D-S) MOSFET SO-8, 89 m a. 10V 6.745En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 5.000
: 2.500

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SO8 100V 55.9A N CHAN 9.904En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 150V Vds 20Vgs 144A Rds .0062 4.754En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6.000
: 3.000


Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET 3.359En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2.500
: 2.500