BUK7Q N-Channel MOSFET in MLPAK33-WF Package

Nexperia BUK7Q N-Channel MOSFETs in an MLPAK33-WF Package (SOT8002-3D) use Trench 9 technology. Qualified to meet AEC-Q101 requirements at 175°C, they offer a small footprint for compact designs. Nexperia BUK7Q has side-wettable flanks that provide robust solder joints and automated optical inspection.

Resultados: 3
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7Q4R9-40H/SOT8002/MLPAK33 700En existencias
Cinta cortada
$1.265
$584
$517
$399
Envase tipo carrete
$304
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT MLPAK33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 70 A 4.9 mOhms 20 V 3.6 V 29 nC - 55 C + 175 C 84 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7Q6R0-40H/SOT8002/MLPAK33 618En existencias
Cinta cortada
$1.367
$974
$606
$418
Envase tipo carrete
$271
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT MLPAK33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 73 A 6 mOhms 20 V 3.6 V 22 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7Q7R5-40H/SOT8002/MLPAK33 750En existencias
Cinta cortada
$1.014
$465
$410
$314
Envase tipo carrete
$237
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT MLPAK33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 55 A 7.5 mOhms 20 V 3.6 V 17 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Reel, Cut Tape