Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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StrongIRFET™ Power MOSFETs

Infineon StrongIRFET™ Power MOSFET family is optimized for low R_DS(on) and high current capability. These devices are ideal for low-frequency applications requiring performance and ruggedness. These MOSFETs have the highest current-carrying capability in the industry. This feature leads to increased robustness and reliability for high power density applications which require high efficiency and reliability.

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Resultados: 27

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Calificación

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Calificación	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V IRF100P219AKMA1 Infineon Technologies 1: $8.567 4.788En existencias 400En pedido	N.º de artículo del Fabricante IRF100P219AKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IRF100P219AKMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 100v 150v strongirfet power mosfets	Hoja de datos	4.788En existencias 400En pedido	$8.567 $4.603 $4.215 $3.794	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole		N-Channel	1 Channel	100 V	203 A	1.7 mOhms	20 V	3.8 V	168 nC	- 55 C	+ 175 C	341 W	Enhancement			Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IPF012N06NF2SATMA1 Infineon Technologies 1: $7.371 770En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPF012N06NF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPF012N06NF2SATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	770En existencias	Cinta cortada $7.371 $3.725 $3.133 $3.110 Envase tipo carrete $3.110 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	TO-263-7	N-Channel	1 Channel	60 V	282 A	1.2 mOhms	20 V	2.1 V	155 nC	- 55 C	+ 175 C	250 W	Enhancement		StrongIRFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TISON-8 BSC0925ND Infineon Technologies 1: $2.210 6.510En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante BSC0925ND N.º de artículo de Mouser 726-BSC0925ND NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TISON-8	Hoja de datos	6.510En existencias	Cinta cortada $2.210 $1.056 $910 $745 Ver Envase tipo carrete $586 $682 $624 $586 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TISON-8	N-Channel	2 Channel	30 V	40 A	4.2 mOhms, 4.2 mOhms	20 V	1.2 V	17 nC	- 55 C	+ 150 C	30 W	Enhancement		OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V IRF150P221AKMA1 Infineon Technologies 1: $10.060 1.931En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF150P221AKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IRF150P221AKMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 100v 150v strongirfet power mosfets	Hoja de datos	1.931En existencias	$10.060 $5.662 $4.831 $4.557	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	150 V	186 A	4.5 mOhms	20 V	4.6 V	80 nC	- 55 C	+ 175 C	341 W	Enhancement			Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V IRFI4212H-117PXKMA1 Infineon Technologies 1: $3.156 1.124En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRFI4212H-117PXKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IRFI4212H117PXKM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V Obtenga más información sobre Infineon Technologies ir strongirfet	Hoja de datos	1.124En existencias	$3.156 $1.914 $1.492 $1.287	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole		N-Channel	2 Channel	100 V	11 A	72.5 mOhms	20 V	5 V	12 nC	- 55 C	+ 150 C	18 W	Enhancement			Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V IRFP4110PBFXKMA1 Infineon Technologies 1: $6.813 7.687En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRFP4110PBFXKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IRFP4110PBFXKMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 100v 150v strongirfet power mosfets	Hoja de datos	7.687En existencias	$6.813 $3.577 $3.270 $2.711 Ver $2.632 $2.552 Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247AC-3	N-Channel	1 Channel	100 V	180 A	4.5 mOhms	20 V	2 V	150 nC	- 55 C	+ 175 C	370 W	Enhancement			Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V IRFP4368PBFXKMA1 Infineon Technologies 1: $9.547 2.628En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRFP4368PBFXKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IRFP4368PBFXKMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V Obtenga más información sobre Infineon Technologies ir strongirfet	Hoja de datos	2.628En existencias	$9.547 $6.722 $5.434 $4.819 $4.272	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247AC-3	N-Channel	1 Channel	75 V	195 A	1.85 mOhms	20 V	4 V	380 nC	- 55 C	+ 175 C	520 W	Enhancement			Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V IRF100P218AKMA1 Infineon Technologies 1: $11.290 13.684En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF100P218AKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IRF100P218AKMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 100v 150v strongirfet power mosfets	Hoja de datos	13.684En existencias	$11.290 $6.870 $6.266 $5.765	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole		N-Channel	1 Channel	100 V	209 A	1.28 mOhms	20 V	3.8 V	330 nC	- 55 C	+ 175 C	556 W	Enhancement			Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB IRFB7545PBF Infineon Technologies 1: $2.529 47.166En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRFB7545PBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFB7545PBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB Obtenga más información sobre Infineon Technologies ir strongirfet	Hoja de datos	47.166En existencias	$2.529 $1.230 $1.093 $869 Ver $792 $785 $778	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	60 V	95 A	4.9 mOhms	20 V	3.7 V	75 nC	- 55 C	+ 175 C	125 W	Enhancement		StrongIRFET	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V Infineon Technologies IRFP4310ZPBFXKMA1 IRFP4310ZPBFXKMA1 Infineon Technologies 1: $4.967 1.520En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRFP4310ZPBFXKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IRFP4310ZPBFXKMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 100v 150v strongirfet power mosfets	Hoja de datos	1.520En existencias	$4.967 $3.258 $2.427 $2.028 Ver $1.880 $1.766	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247AC-3	N-Channel	1 Channel	100 V	120 A	6 mOhms	20 V	4 V	120 nC	- 55 C	+ 175 C	280 W	Enhancement			Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V IPD122N10N3GATMA1 Infineon Technologies 1: $2.495 11.876En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD122N10N3GATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD122N10N3GATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies ir strongirfet	Hoja de datos	11.876En existencias	Cinta cortada $2.495 $1.208 $1.079 $858 $824 Envase tipo carrete $715 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	100 V	59 A	12.2 mOhms	20 V	2 V	26 nC	- 55 C	+ 175 C	94 W	Enhancement		OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V IRF150P220AKMA1 Infineon Technologies 1: $12.760 1.405En existencias 1.200Se espera el 11-02-2027	N.º de artículo del Fabricante IRF150P220AKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IRF150P220AKMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 100v 150v strongirfet power mosfets	Hoja de datos	1.405En existencias 1.200Se espera el 11-02-2027	$12.760 $7.120 $6.574 $6.448	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole		N-Channel	1 Channel	150 V	203 A	2.7 mOhms	20 V	4.6 V	160 nC	- 55 C	+ 175 C	556 W	Enhancement			Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V IRFP4568PBFXKMA1 Infineon Technologies 1: $9.615 2.244En existencias 3.600Se espera el 10-06-2027	N.º de artículo del Fabricante IRFP4568PBFXKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IRFP4568PBFXKMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 100v 150v strongirfet power mosfets	Hoja de datos	2.244En existencias 3.600Se espera el 10-06-2027	$9.615 $6.767 $5.480 $4.853 Ver $4.010 $3.908	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247AC-3	N-Channel	1 Channel	150 V	171 A	5.9 mOhms	20 V	3 V	151 nC	- 55 C	+ 175 C	517 W	Enhancement			Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(120V 300V) AUIRFP4568 Infineon Technologies 1: $22.239 674En existencias	N.º de artículo del Fabricante AUIRFP4568 N.º de artículo de Mouser 942-AUIRFP4568	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(120V 300V) Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 100v 150v strongirfet power mosfets	Hoja de datos	674En existencias	$22.239 $15.403 $12.840 $11.746 $10.835	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	150 V	171 A	4.8 mOhms	30 V	3 V	227 nC	- 55 C	+ 175 C	517 W	Enhancement	AEC-Q101		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 120A 2.5 mOhm HEXFET 90nC 143W IRFB7440PBF Infineon Technologies 1: $2.837 4.907En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRFB7440PBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFB7440PBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 120A 2.5 mOhm HEXFET 90nC 143W Obtenga más información sobre Infineon Technologies ir strongirfet	Hoja de datos	4.907En existencias	$2.837 $1.629 $1.242 $988 $862	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	40 V	120 A	2.5 mOhms	20 V	1.8 V	135 nC	- 55 C	+ 175 C	143 W	Enhancement		StrongIRFET	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg IRFR1018ETRPBF Infineon Technologies 1: $2.324 3.756En existencias 12.000Se espera el 31-12-2026 NRND	N.º de artículo del Fabricante IRFR1018ETRPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFR1018ETRPBF NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg	Hoja de datos	3.756En existencias 12.000Se espera el 31-12-2026	Cinta cortada $2.324 $1.115 $998 $791 Envase tipo carrete $668 Ver $780 $639 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	60 V	79 A	7.1 mOhms	20 V	1.8 V	69 nC	- 55 C	+ 175 C	110 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 270A 2.4mOhm 91nC Log Lvl IRLS3036TRLPBF Infineon Technologies 1: $5.332 1.392En existencias 4.000Se espera el 18-11-2027 NRND	N.º de artículo del Fabricante IRLS3036TRLPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRLS3036TRLPBF NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 270A 2.4mOhm 91nC Log Lvl	Hoja de datos	1.392En existencias 4.000Se espera el 18-11-2027	Cinta cortada $5.332 $2.746 $2.495 $2.017 Envase tipo carrete $2.017 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	60 V	270 A	2.4 mOhms	16 V	2.5 V	140 nC	- 55 C	+ 175 C	380 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V Infineon Technologies IRFP4468PBFXKMA1 IRFP4468PBFXKMA1 Infineon Technologies 1: $9.661 2.602En existencias 2.400Se espera el 24-12-2026	N.º de artículo del Fabricante IRFP4468PBFXKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IRFP4468PBFXKMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 100v 150v strongirfet power mosfets	Hoja de datos	2.602En existencias 2.400Se espera el 24-12-2026	$9.661 $5.275 $4.853 $4.306	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247AC-3	N-Channel	1 Channel	100 V	290 A	2.6 mOhms	20 V	2 V	360 nC	- 55 C	+ 175 C	520 W	Enhancement			Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V ISC028N04NM5ATMA1 Infineon Technologies 1: $1.663 335En existencias 15.000Se espera el 17-06-2027	N.º de artículo del Fabricante ISC028N04NM5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC028N04NM5ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	335En existencias 15.000Se espera el 17-06-2027	Cinta cortada $1.663 $922 $681 $533 $497 Envase tipo carrete $377 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TDSON-FL-8	N-Channel	1 Channel	40 V	121 A	2.8 mOhms	20 V	2.2 V	29 nC	- 55 C	+ 175 C	75 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 41nC IRFH8318TRPBF Infineon Technologies 1: $1.322 918En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRFH8318TRPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFH8318TRPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 41nC Obtenga más información sobre Infineon Technologies ir strongirfet	Hoja de datos	918En existencias	Cinta cortada $1.322 $638 $563 $435 Envase tipo carrete $333 Ver $415 $373 $313 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4.000	Si	SMD/SMT	PQFN-8	N-Channel	1 Channel	30 V	120 A	4.6 mOhms	20 V	1.8 V	41 nC	- 55 C	+ 150 C	3.6 W	Enhancement		StrongIRFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 195A, 1.8 mOhm 150 nC Qg, TO-262 IRFSL7437PBF Infineon Technologies 1: $4.637 900En existencias 1.000Se espera el 15-07-2027	N.º de artículo del Fabricante IRFSL7437PBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFSL7437PBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 195A, 1.8 mOhm 150 nC Qg, TO-262 Obtenga más información sobre Infineon Technologies ir strongirfet	Hoja de datos	900En existencias 1.000Se espera el 15-07-2027	$4.637 $2.358 $2.130 $1.743 Ver $1.675 $1.663	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-262-3	N-Channel	1 Channel	40 V	250 A	1.8 mOhms	20 V	3.9 V	225 nC	- 55 C	+ 175 C	230 W	Enhancement		StrongIRFET	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS BSC011N03LSATMA1 Infineon Technologies 1: $2.598 59.350En pedido	N.º de artículo del Fabricante BSC011N03LSATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSC011N03LSATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	59.350En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: BSC011N03LSATMA1 Existencias: 0 En pedido: 9.350 Se espera el 07-01-2027 25.000 Se espera el 06-05-2027 25.000 Se espera el 05-08-2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada $2.598 $1.276 $1.114 $895 Ver Envase tipo carrete $713 $818 $764 $713 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	30 V	230 A	1.1 mOhms	20 V	2 V	72 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement		OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 100V 51A 25mOhm 66.7nCAC IRFP3710PBF Infineon Technologies 1: $4.580 33.408En pedido	N.º de artículo del Fabricante IRFP3710PBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFP3710PBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 100V 51A 25mOhm 66.7nCAC Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 100v 150v strongirfet power mosfets	Hoja de datos	33.408En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IRFP3710PBF Existencias: 0 En pedido: 1.808 Se espera el 30-11-2026 31.600 Se espera el 06-05-2027 Plazo de entrega de fábrica: 26 Semanas	$4.580 $2.529 $2.165 $1.868 Ver $1.823 $1.811	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	100 V	51 A	25 mOhms	20 V	1.8 V	66.7 nC	- 55 C	+ 175 C	180 W	Enhancement			Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V StrongIRFET 240A, .75mOhm,305nC IRFS7430TRL7PP Infineon Technologies 1: $6.448 23.980En pedido	N.º de artículo del Fabricante IRFS7430TRL7PP N.º de artículo de Mouser 942-IRFS7430TRL7PP	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V StrongIRFET 240A, .75mOhm,305nC Obtenga más información sobre Infineon Technologies ir strongirfet	Hoja de datos	23.980En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IRFS7430TRL7PP Existencias: 0 En pedido: 7.980 Se espera el 30-11-2026 16.000 A determinar Plazo de entrega de fábrica: 21 Semanas	Cinta cortada $6.448 $3.372 $3.076 $2.609 Envase tipo carrete $2.609 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	TO-263-7	N-Channel	1 Channel	40 V	522 A	750 mOhms	20 V	3 V	305 nC	- 55 C	+ 175 C	375 W	Enhancement		StrongIRFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2PAK-7 IRLS3036TRL7PP Infineon Technologies 1: $6.255 1.450En pedido NRND	N.º de artículo del Fabricante IRLS3036TRL7PP N.º de artículo de Mouser 942-IRLS3036TRL7PP NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2PAK-7	Hoja de datos	1.450En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IRLS3036TRL7PP Existencias: 0 En pedido: 650 Se espera el 26-11-2026 800 A determinar Plazo de entrega de fábrica: 17 Semanas	Cinta cortada $6.255 $3.258 $2.962 $2.700 Envase tipo carrete $2.404 $2.381 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-7	N-Channel	1 Channel	60 V	300 A	1.9 mOhms	16 V	2.5 V	160 nC	- 55 C	+ 175 C	380 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel