Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

MOSFETs de potencia automotrices OptiMOS™ 7 de 80V

Infineon Technologies OptiMOS™ 7 80V Automotive Power MOSFETs are built with Infineon’s leading-edge, power semiconductor technology. These MOSFETs are designed specifically for the high performance, quality, and robustness needed for demanding automotive applications. The OptiMOS™ 7 80V MOSFETs operate with a ±20V_GS gate source voltage and a temperature range of -55°C to 175°C. These MOSFETs are offered in top-side cooled SSO10T 5x7mm2 SMD package. The SSO10T package helps users achieve advancements in cooling and power density. The 80V power MOSFETs are MSL-1 rated, RoHS compliant, and 100% avalanche tested. These power MOSFETs are ideal for general automotive applications.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 16

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 3.60 m max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7), OptiMOS 7 IAUCN08S7N036TATMA1 Infineon Technologies 1: $3.612 5.869En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN08S7N036TATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN08S7N036TAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 3.60 m max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7), OptiMOS 7 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 80v automotive mosfets	Hoja de datos	5.869En existencias	Cinta cortada $3.612 $1.800 $1.618 $1.310 $1.287 Envase tipo carrete $1.185	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	LHDSO-10	N-Channel	1 Channel	80 V	129 A	3.6 mOhms	20 V	3.2 V	36 nC	- 55 C	+ 175 C	118 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V OptiMOS 7 Automotive MOSFET, TOLL (10x12) IAUTN08S7N006ATMA1 Infineon Technologies 1: $10.367 1.344En existencias 2.000Se espera el 06-05-2027 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUTN08S7N006ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUTN08S7N006ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V OptiMOS 7 Automotive MOSFET, TOLL (10x12) Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 80v automotive mosfets	Hoja de datos	1.344En existencias 2.000Se espera el 06-05-2027	Cinta cortada $10.367 $5.662 $5.218 $5.184 $4.751 Envase tipo carrete $4.227	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	PG-HSOF-8	N-Channel	1 Channel	40 V	905 A	0.29 mOhms	20 V	3 V	268 nC	- 55 C	+ 175 C	357 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor IAUCN08S7L024ATMA1 Infineon Technologies 1: $3.851 4.637En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN08S7L024ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN08S7L024ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 80v automotive mosfets	Hoja de datos	4.637En existencias	Cinta cortada $3.851 $1.925 $1.743 $1.413 Ver Envase tipo carrete $1.287 $1.390 $1.344 $1.287	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	177 A	2.4 mOhms	16 V	2 V	65.2 nC	- 55 C	+ 175 C	148 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor IAUCN08S7L033ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.985 1.810En existencias 5.000Se espera el 07-12-2026 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN08S7L033ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN08S7L033ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 80v automotive mosfets	Hoja de datos	1.810En existencias 5.000Se espera el 07-12-2026	Cinta cortada $2.985 $1.470 $1.322 $1.052 Ver Envase tipo carrete $916 $1.026 $981 $916	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	130 A	3.3 mOhms	16 V	2 V	44.3 nC	- 55 C	+ 175 C	118 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 1.94 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7 IAUCN08S7N019TATMA1 Infineon Technologies 1: $4.774 4.994En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN08S7N019TATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN08S7N019TAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 1.94 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 80v automotive mosfets	Hoja de datos	4.994En existencias	Cinta cortada $4.774 $2.427 $2.199 $1.834 Envase tipo carrete $1.732	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	PG-LHDSO-10-2	N-Channel	1 Channel	80 V	223 A	1.94 mOhms	20 V	3.2 V	68 nC	- 55 C	+ 175 C	180 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 2.44 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T IAUCN08S7N024TATMA1 Infineon Technologies 1: $4.272 4.842En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN08S7N024TATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN08S7N024TAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 2.44 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 80v automotive mosfets	Hoja de datos	4.842En existencias	Cinta cortada $4.272 $2.153 $1.948 $1.584 Envase tipo carrete $1.492	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	PG-LHDSO-10-1	N-Channel	1 Channel	80 V	186 A	2.44 mOhms	20 V	3.2 V	54 nC	- 55 C	+ 175 C	157 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 4.54 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7 IAUCN08S7N045TATMA1 Infineon Technologies 1: $3.395 4.892En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN08S7N045TATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN08S7N045TAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 4.54 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 80v automotive mosfets	Hoja de datos	4.892En existencias	Cinta cortada $3.395 $1.698 $1.515 $1.230 Envase tipo carrete $1.053 Ver $1.185 $1.039	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	PG-LHDSO-10-1	N-Channel	1 Channel	80 V	103 A	4.54 mOhms	20 V	3.2 V	27 nC	- 55 C	+ 175 C	98 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor IAUCN10S7L040ATMA1 Infineon Technologies 1: $3.817 9.752En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN10S7L040ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN10S7L040ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 80v automotive mosfets	Hoja de datos	9.752En existencias	Cinta cortada $3.817 $2.244 $1.709 $1.424 $1.390 Envase tipo carrete $1.242	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	1 Channel	100 V	130 A	3.3 mOhms	16 V	2 V	44.3 nC	- 55 C	+ 175 C	118 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor IAUZN08S7L177ATMA1 Infineon Technologies 1: $1.663 5.885En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUZN08S7L177ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUZN08S7L177ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 80v automotive mosfets	Hoja de datos	5.885En existencias	Cinta cortada $1.663 $777 $690 $538 Envase tipo carrete $387 Ver $508 $461 $340	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	35 A	17.7 mOhms	16 V	2 V	11.8 nC	- 55 C	+ 175 C	45 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor IAUZN08S7N046ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.905 9.599En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUZN08S7N046ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUZN08S7N046ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 80v automotive mosfets	Hoja de datos	9.599En existencias	Cinta cortada $2.905 $1.413 $1.265 $1.011 Ver Envase tipo carrete $815 $934 $873 $815	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	99 A	4.6 mOhms	20 V	3.2 V	27.2 nC	- 55 C	+ 175 C	94 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor IAUZN10S7N078ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.598 4.662En existencias 5.000Se espera el 28-01-2027 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUZN10S7N078ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUZN10S7N078ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 80v automotive mosfets	Hoja de datos	4.662En existencias 5.000Se espera el 28-01-2027	Cinta cortada $2.598 $1.265 $1.129 $899 Ver Envase tipo carrete $759 $868 $812 $759	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	1 Channel	100 V	76 A	7.8 mOhms	20 V	3.2 V	22.2 nC	- 55 C	+ 175 C	94 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor IAUCN08S7L018ATMA1 Infineon Technologies 1: $4.398 107En existencias 5.000Se espera el 05-11-2026 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN08S7L018ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN08S7L018ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 80v automotive mosfets	Hoja de datos	107En existencias 5.000Se espera el 05-11-2026	Cinta cortada $4.398 $2.222 $2.017 $1.652 $1.618 Envase tipo carrete $1.538	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	210 A	1.8 mOhms	20 V	2 V	79.9 nC	- 55 C	+ 175 C	169 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor IAUZN10S7L289ATMA1 Infineon Technologies 1: $1.538 4.519En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUZN10S7L289ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUZN10S7L289ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 80v automotive mosfets	Hoja de datos	4.519En existencias	Cinta cortada $1.538 $718 $637 $496 Envase tipo carrete $370 Ver $488 $477 $361	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	1 Channel	100 V	27 A	28.9 mOhms	16 V	2 V	10.9 nC	- 55 C	+ 175 C	45 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor IAUCN08S7L013ATMA1 Infineon Technologies 1: $5.548 39.979En pedido Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN08S7L013ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN08S7L013ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 80v automotive mosfets	Hoja de datos	39.979En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IAUCN08S7L013ATMA1 Existencias: 0 En pedido: 19.979 Se espera el 26-11-2026 20.000 Se espera el 07-01-2027 Plazo de entrega de fábrica: 26 Semanas	Cinta cortada $5.548 $2.860 $2.598 $2.256 $2.176 Envase tipo carrete $2.119	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	293 A	1.26 mOhms	20 V	2 V	120 nC	- 55 C	+ 175 C	219 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 1.63 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7 IAUCN08S7N016TATMA1 Infineon Technologies 1: $5.218 27.347Se espera el 18-02-2027 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN08S7N016TATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN08S7N016TAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 1.63 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 80v automotive mosfets	Hoja de datos	27.347Se espera el 18-02-2027	Cinta cortada $5.218 $2.677 $2.427 $2.073 Envase tipo carrete $1.937	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	PG-LHDSO-10-3	N-Channel	1 Channel	80 V	262 A	1.63 mOhms	20 V	3.2 V	83 nC	- 55 C	+ 175 C	205 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 TOLL Automotive Power MOSFET, 80 V IAUTN08S7N007ATMA1 Infineon Technologies 1: $9.661 3.875Se espera el 16-11-2026 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUTN08S7N007ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUTN08S7N007ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 TOLL Automotive Power MOSFET, 80 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 80v automotive mosfets	Hoja de datos	3.875Se espera el 16-11-2026	Cinta cortada $9.661 $5.241 $4.819 $4.728 Envase tipo carrete $4.409	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	80 V	539 A	0.75 mOhms	20 V	3.2 V	195 nC	- 55 C	+ 175 C	357 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape