Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

600V/650V CoolMOS™ CE N-Ch Power MOSFETs

Infineon 600V/650V CoolMOS™ CE N-Channel Power MOSFETs are designed according to the superjunction principle (SJ) and conceived to fulfill consumer requirements. These 600V/650V CoolMOS™ MOSFETs are cost optimized to meet typical requirements in consumer with no compromise on proven CoolMOS™ quality and reliability while still been price attractive. These devices target low power chargers for mobile devices and power tools, LCD, LED TV and LED lighting applications.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 18

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD60R400CEAUMA1 Infineon Technologies 1: $1.698 3.920En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPD60R400CEAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R400CEAUMA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	3.920En existencias	Cinta cortada $1.698 $925 $772 $622 $566 Envase tipo carrete $509 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	14.7 A	400 mOhms	20 V	3 V	32 nC	- 40 C	+ 150 C	112 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD60R1K0CEAUMA1 Infineon Technologies 1: $1.185 7.220En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPD60R1K0CEAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R1K0CEAUMA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	7.220En existencias	Cinta cortada $1.185 $545 $482 $371 Envase tipo carrete $265 Ver $355 $260 $259 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	6.8 A	1 Ohms	20 V	2.5 V	13 nC	- 40 C	+ 150 C	61 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPN70R1K4P7SATMA1 Infineon Technologies 1: $1.128 1.033En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPN70R1K4P7SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPN70R1K4P7SATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1.033En existencias	Cinta cortada $1.128 $516 $456 $358 Envase tipo carrete $279 Ver $264 $239 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	SOT-223-3	N-Channel	1 Channel	700 V	4 A	1.15 Ohms	16 V	2.5 V	4.7 nC	- 40 C	+ 150 C	6.2 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPU80R900P7AKMA1 Infineon Technologies 1: $2.313 1.411En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPU80R900P7AKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPU80R900P7AKMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1.411En existencias	$2.313 $1.037 $931 $779 Ver $723 $722 $662	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-251-3	N-Channel	1 Channel	800 V	6 A	900 mOhms	20 V	2.5 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	45 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD70R1K4P7SAUMA1 Infineon Technologies 1: $1.196 30.078En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD70R1K4P7SAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD70R1K4P7AUMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	30.078En existencias	Cinta cortada $1.196 $550 $486 $375 Envase tipo carrete $295 Ver $360 $262 $257 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	700 V	4 A	1.15 Ohms	16 V	2.5 V	4.7 nC	- 40 C	+ 150 C	22.7 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD65R400CEAUMA1 Infineon Technologies 1: $1.868 7.352En existencias 7.500Se espera el 06-05-2027 NRND	N.º de artículo del Fabricante IPD65R400CEAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD65R400CEAUMA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	7.352En existencias 7.500Se espera el 06-05-2027	Cinta cortada $1.868 $883 $786 $617 Envase tipo carrete $502 $478 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	650 V	15.1 A	400 mOhms	20 V	2.5 V	39 nC	- 55 C	+ 150 C	118 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPN60R1K0CEATMA1 Infineon Technologies 1: $1.162 2.742En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPN60R1K0CEATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPN60R1K0CEATMA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	2.742En existencias	Cinta cortada $1.162 $533 $472 $362 Envase tipo carrete $283 $248 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	SOT-223-3	N-Channel	1 Channel	600 V	6.8 A	2.34 Ohms	20 V	2.5 V	13 nC	- 40 C	+ 150 C	5 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPN60R1K5CEATMA1 Infineon Technologies 1: $957 1.722En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPN60R1K5CEATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPN60R1K5CEATMA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	1.722En existencias	Cinta cortada $957 $437 $386 $295 Envase tipo carrete $227 Ver $293 $198 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	SOT-223-3	N-Channel	1 Channel	600 V	5 A	3.51 Ohms	20 V	2.5 V	9.4 nC	- 40 C	+ 150 C	5 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPU60R1K5CEAKMA2 Infineon Technologies 1: $1.139 2.918En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPU60R1K5CEAKMA2 N.º de artículo de Mouser 726-IPU60R1K5CEAKMA2 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	2.918En existencias	$1.139 $485 $431 $352 Ver $330 $286 $273 $257	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-251-3	N-Channel	1 Channel	650 V	5 A	1.5 Ohms	20 V	3 V	9.4 nC	- 40 C	+ 150 C	49 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD65R650CEAUMA1 Infineon Technologies 1: $1.846 1.098En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPD65R650CEAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD65R650CEAUMA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	1.098En existencias	Cinta cortada $1.846 $869 $774 $669 Envase tipo carrete $464 Ver $617 $435 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	650 V	10.1 A	650 mOhms	20 V	2.5 V	23 nC	- 40 C	+ 150 C	86 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD60R360P7SAUMA1 Infineon Technologies 1: $1.868 397En existencias 17.500En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPD60R360P7SAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R360P7SAUMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	397En existencias 17.500En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IPD60R360P7SAUMA1 Existencias: 397 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 2.500 Se espera el 10-12-2026 5.000 Se espera el 25-02-2027 10.000 Se espera el 13-05-2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada $1.868 $1.038 $764 $599 $550 Envase tipo carrete $428 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	9 A	300 mOhms	20 V	3 V	13 nC	- 40 C	+ 150 C	41 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7A TO220FP-3 IPA60R650CEXKSA1 Infineon Technologies 1: $2.017 75En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPA60R650CEXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA60R650CEXKSA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7A TO220FP-3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	75En existencias	$2.017 $960 $857 $674 Ver $648 $617 $608 $551	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	7 A	650 mOhms	20 V	2.5 V	20.5 nC	- 40 C	+ 150 C	28 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPA65R400CEXKSA1 Infineon Technologies 1: $2.279 551En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPA65R400CEXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA65R400CEXKSA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	551En existencias	$2.279 $1.093 $997 $790 Ver $770 $742 $733 $651	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	15.1 A	940 mOhms	20 V	3 V	39 nC	- 55 C	+ 150 C	31 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD60R1K5CEAUMA1 Infineon Technologies 1: $1.208 1.338En existencias 5.000Se espera el 07-01-2027 NRND	N.º de artículo del Fabricante IPD60R1K5CEAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R1K5CEAUMA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	1.338En existencias 5.000Se espera el 07-01-2027	Cinta cortada $1.208 $553 $489 $376 Envase tipo carrete $298 Ver $369 $262 $259 $243 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	5 A	1.5 Ohms	20 V	3 V	9.4 nC	- 40 C	+ 150 C	49 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD60R650CEAUMA1 Infineon Technologies 1: $1.629 2.462En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPD60R650CEAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R650CEAUMA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	2.462En existencias	Cinta cortada $1.629 $762 $677 $526 Envase tipo carrete $401 Ver $501 $366 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	9.9 A	540 mOhms	20 V	2.5 V	20.5 nC	- 40 C	+ 150 C	82 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD70R900P7SAUMA1 Infineon Technologies 1: $1.344 12.477Se espera el 18-02-2027	N.º de artículo del Fabricante IPD70R900P7SAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD70R900P7AUMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	12.477Se espera el 18-02-2027	Cinta cortada $1.344 $714 $546 $448 $424 Envase tipo carrete $325 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	700 V	6 A	740 mOhms	16 V	2.5 V	6.8 nC	- 40 C	+ 150 C	30.5 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.3A TO220FP-3 IPA60R400CEXKSA1 Infineon Technologies 1: $2.438 461Se espera el 10-12-2026 NRND	N.º de artículo del Fabricante IPA60R400CEXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA60R400CEXKSA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.3A TO220FP-3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	461Se espera el 10-12-2026	$2.438 $1.276 $948 $735 Ver $663 $632 $622 $608	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220FP-3	N-Channel	1 Channel	600 V	14.7 A	890 mOhms	20 V	3 V	32 nC	- 40 C	+ 150 C	31 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPA60R360P7SXKSA1 Infineon Technologies 1: $2.404 2.000Se espera el 22-02-2027	N.º de artículo del Fabricante IPA60R360P7SXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA60R360P7SXKSA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	2.000Se espera el 22-02-2027	$2.404 $1.265 $990 $784 Ver $755 $656 $631 $598	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	9 A	300 mOhms	20 V	3 V	13 nC	- 40 C	+ 150 C	22 W	Enhancement	CoolMOS	Tube

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