Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 7

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V IPT063N15N5ATMA1 Infineon Technologies 1: $7.690 1.661En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPT063N15N5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT063N15N5ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	1.661En existencias	Cinta cortada $7.690 $4.090 $3.942 $3.589 $3.293 Envase tipo carrete $3.293 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	150 V	122 A	6.3 mOhms	20 V	4.6 V	47 nC	- 55 C	+ 175 C	214 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V IPT039N15N5ATMA1 Infineon Technologies 1: $8.419 1.727En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPT039N15N5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT039N15N5ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	1.727En existencias	Cinta cortada $8.419 $4.512 $4.136 $3.942 $3.680 Envase tipo carrete $3.680	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	150 V	190 A	4.3 mOhms	20 V	4.6 V	78 nC	- 55 C	+ 175 C	319 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V IPT044N15N5ATMA1 Infineon Technologies 1: $8.248 2.381En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPT044N15N5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT044N15N5ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	2.381En existencias	Cinta cortada $8.248 $5.525 $4.443 $3.942 $3.737 Envase tipo carrete $3.486 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	150 V	174 A	4.4 mOhms	20 V	4.6 V	67 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V Infineon Technologies IPP076N15N5XKSA1 IPP076N15N5XKSA1 Infineon Technologies 1: $6.266 404En existencias 1.500En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPP076N15N5XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP076N15N5XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	404En existencias 1.500En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IPP076N15N5XKSA1 Existencias: 404 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 500 Se espera el 31-12-2026 1.000 Se espera el 11-02-2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	$6.266 $4.113 $3.065 $2.563 Ver $2.370 $2.222	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	150 V	112 A	7.6 mOhms	20 V	4.6 V	49 nC	- 55 C	+ 175 C	214 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V IPT054N15N5ATMA1 Infineon Technologies 1: $8.055 2.640En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPT054N15N5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT054N15N5ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	2.640En existencias	Cinta cortada $8.055 $5.389 $4.329 $3.851 $3.646 Envase tipo carrete $3.406 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	150 V	143 A	5.4 mOhms	20 V	4.6 V	55 nC	- 55 C	+ 175 C	250 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V BSC093N15NS5SCATMA1 Infineon Technologies 1: $6.448 4.000Se espera el 03-06-2027	N.º de artículo del Fabricante BSC093N15NS5SCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-S93N15NS5SCATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	4.000Se espera el 03-06-2027	Cinta cortada $6.448 $4.227 $3.110 $2.768 $2.449 Envase tipo carrete $2.449 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4.000	Si	SMD/SMT	WSON-8	N-Channel	1 Channel	150 V	89 A	9.3 mOhms	20 V	3 V	33 nC	- 55 C	+ 175 C	167 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V IQD063N15NM5CGATMA1 Infineon Technologies 1: $7.405 Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas	N.º de artículo del Fabricante IQD063N15NM5CGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQD063N15NM5CGAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas	Cinta cortada $7.405 $4.136 $3.589 $3.361 Ver Envase tipo carrete $3.099 $3.338 $3.315 $3.099	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TTFN-9	N-Channel	1 Channel	150 V	148 A	6.32 Ohms	10 V	3 V	48 nC	- 55 C	+ 150 C	278 W	Enhancement		Reel, Cut Tape

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