Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 18

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V IPTC026N12NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $8.681 7En existencias 3.600Se espera el 12-11-2026	N.º de artículo del Fabricante IPTC026N12NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPTC026N12NM6ATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	7En existencias 3.600Se espera el 12-11-2026	Cinta cortada $8.681 $5.412 $4.432 $4.056 $3.680 Envase tipo carrete $3.680 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.800	Si	SMD/SMT	HDSOP-16	N-Channel	1 Channel	120 V	222 A	2.6 mOhms	20 V	3.1 V	70 nC	- 55 C	+ 175 C	278 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V IPT017N12NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $9.456 4.636En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPT017N12NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT017N12NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	4.636En existencias	Cinta cortada $9.456 $6.653 $5.389 $4.785 $4.534 Envase tipo carrete $4.238 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	120 V	331 A	1.7 mOhms	20 V	2.6 V	113 nC	- 55 C	+ 175 C	395 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V ISC030N12NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $7.542 9.996En existencias 5.000Se espera el 30-11-2026	N.º de artículo del Fabricante ISC030N12NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC030N12NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	9.996En existencias 5.000Se espera el 30-11-2026	Cinta cortada $7.542 $4.329 $3.657 $3.327 Ver Envase tipo carrete $2.677 $3.076 $2.928 $2.677	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TSON-8	N-Channel	1 Channel	120 V	194 A	3.7 mOhms	20 V	3.6 V	59 nC	- 55 C	+ 175 C	250 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V ISC037N12NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $5.446 10.522En existencias	N.º de artículo del Fabricante ISC037N12NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC037N12NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	10.522En existencias	Cinta cortada $5.446 $2.825 $2.563 $2.210 Ver Envase tipo carrete $1.937 $2.130 $2.051 $1.937	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TDSON-8FL	N-Channel	1 Channel	120 V	163 A	3.7 mOhms	20 V	3.6 V	46 nC	- 55 C	+ 175 C	214 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V IPP022N12NM6AKSA1 Infineon Technologies 1: $9.399 1.289En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP022N12NM6AKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP022N12NM6AKSA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	1.289En existencias	$9.399 $5.229 $4.808 $4.101	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	120 V	203 A	2.6 mOhms	20 V	3.1 V	113 nC	- 55 C	+ 175 C	395 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V IPTC017N12NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $9.821 1.451En existencias 12.600Se espera el 28-01-2027	N.º de artículo del Fabricante IPTC017N12NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPTC017N12NM6ATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	1.451En existencias 12.600Se espera el 28-01-2027	Cinta cortada $9.821 $5.343 $4.910 $4.831 $4.568 Envase tipo carrete $4.568	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.800	Si	SMD/SMT	HDSOP-16	N-Channel	1 Channel	120 V	331 A	1.7 mOhms	20 V	3.6 V	113 nC	- 55 C	+ 175 C	395 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V ISC032N12LM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $5.788 2.581En existencias	N.º de artículo del Fabricante ISC032N12LM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC032N12LM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	2.581En existencias	Cinta cortada $5.788 $2.996 $2.723 $2.575 $2.438 Envase tipo carrete $2.244	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	120 V	170 A	9 mOhms	20 V	1.7 V	33 nC	- 55 C	+ 175 C	211 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V ISC073N12LM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $3.874 6.278En existencias 10.000En pedido	N.º de artículo del Fabricante ISC073N12LM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC073N12LM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	6.278En existencias 10.000En pedido	Cinta cortada $3.874 $1.937 $1.754 $1.424 $1.401 Envase tipo carrete $1.401 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 2.000 : 5.000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	120 V	86 A	7.3 mOhms	20 V	2.2 V	14.4 nC	- 55 C	+ 175 C	125 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V ISC078N12NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $3.817 4.105En existencias	N.º de artículo del Fabricante ISC078N12NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC078N12NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	4.105En existencias	Cinta cortada $3.817 $1.903 $1.720 $1.401 Ver Envase tipo carrete $1.276 $1.379 $1.322 $1.276 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	SuperSO-8	N-Channel	1 Channel	120 V	85 A	7.8 mOhms	20 V	3.1 V	21 nC	- 55 C	+ 175 C	125 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V ISC104N12LM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.803 11.440En existencias 10.000Se espera el 26-08-2027	N.º de artículo del Fabricante ISC104N12LM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC104N12LM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	11.440En existencias 10.000Se espera el 26-08-2027	Cinta cortada $2.803 $1.458 $1.333 $1.080 $1.065 Envase tipo carrete $835 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 5.000 : 5.000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	120 V	63 A	10.4 mOhms	20 V	2.2 V	10.4 nC	- 55 C	+ 175 C	94 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V ISC110N12NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.803 3.796En existencias	N.º de artículo del Fabricante ISC110N12NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC110N12NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	3.796En existencias	Cinta cortada $2.803 $1.367 $1.230 $977 Ver Envase tipo carrete $839 $947 $918 $839	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	SuperSO-8	N-Channel	1 Channel	120 V	62 A	11 mOhms	20 V	3.1 V	15.4 nC	- 55 C	+ 175 C	94 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V ISC320N12LM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.096 10.000En existencias 10.000Se espera el 30-11-2026	N.º de artículo del Fabricante ISC320N12LM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC320N12LM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	10.000En existencias 10.000Se espera el 30-11-2026	Cinta cortada $2.096 $1.208 $908 $717 Envase tipo carrete $564 $555 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	120 V	24 A	15.1 mOhms	20 V	3.7 V	31 nC	- 55 C	+ 175 C	43 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V IPB022N12NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $9.809 332En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB022N12NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB022N12NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	332En existencias	Cinta cortada $9.809 $6.676 $4.899 $4.853 Envase tipo carrete $4.500	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3	N-Channel	1 Channel	120 V	167 A	2.5 mOhms	20 V	3.1 V	113 nC	- 55 C	+ 175 C	395 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V ISZ106N12LM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.301 69.820En pedido	N.º de artículo del Fabricante ISZ106N12LM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISZ106N12LM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	69.820En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: ISZ106N12LM6ATMA1 Existencias: 0 En pedido: 4.820 Se espera el 26-11-2026 65.000 Se espera el 28-01-2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada $2.301 $1.104 $988 $783 $756 Envase tipo carrete $632 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	120 V	62 A	10.6 mOhms	20 V	2.2 V	10.4 nC	- 55 C	+ 175 C	94 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V IPTG017N12NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $8.750 3.470En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPTG017N12NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPTG017N12NM6ATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	3.470En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IPTG017N12NM6ATMA1 Existencias: 0 En pedido: 1.670 Se espera el 05-11-2026 1.800 Se espera el 26-11-2026 Plazo de entrega de fábrica: 17 Semanas	Cinta cortada $8.750 $5.856 $4.705 $4.193 $3.703 Envase tipo carrete $3.703	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.800	Si	SMD/SMT	HSOG-8	N-Channel	1 Channel	120 V	331 A	1.7 mOhms	20 V	3.1 V	113 nC	- 55 C	+ 175 C	395 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V ISZ330N12LM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $1.777 Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas	N.º de artículo del Fabricante ISZ330N12LM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISZ330N12LM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas	Cinta cortada $1.777 $962 $721 $582 Ver Envase tipo carrete $418 $541 $540 $418	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	120 V	24 A	33 mOhms	20 V	2.2 V	3.6 nC	- 55 C	+ 175 C	43 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V Infineon Technologies IPB133N12NM6ATMA1 IPB133N12NM6ATMA1 Infineon Technologies 1.000: $1.401 Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas	N.º de artículo del Fabricante IPB133N12NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB133N12NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas	Envase tipo carrete $1.401 $1.367	Min.: 1.000 Mult.: 1.000 : 1.000	Si																Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V Infineon Technologies IPB035N12NM6ATMA1 IPB035N12NM6ATMA1 Infineon Technologies 1.000: $3.042 Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas	N.º de artículo del Fabricante IPB035N12NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB035N12NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas	Envase tipo carrete $3.042 $2.962	Min.: 1.000 Mult.: 1.000 : 1.000	Si	SMD/SMT	TO-263-3	N-Channel	1 Channel	120 V	138 A	3.5 mOhms	20 V	3.6 V	58 nC	- 55 C	+ 175 C	246 W	Enhancement		Reel

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