Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 18

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC037N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $4.985
14.501En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC037N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC037N12NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Obtenga más información

Hoja de datos

14.501En existencias

Cinta cortada

$4.985

$3.071

$2.345

$2.040

Ver

Envase tipo carrete

$1.767

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8FL

N-Channel

1 Channel

120 V

163 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC110N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.598
4.795En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC110N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC110N12NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

4.795En existencias

Cinta cortada

$2.598

$1.672

$1.136

$961

Ver

Envase tipo carrete

$764

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

SuperSO-8

N-Channel

1 Channel

120 V

62 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

3.1 V

15.4 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPT017N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $8.045
4.623En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT017N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT017N12NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Obtenga más información

Hoja de datos

4.623En existencias

Cinta cortada

$8.045

$5.437

$3.965

$3.807

$3.555

Envase tipo carrete

$3.555

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

120 V

331 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.6 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

395 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPP022N12NM6AKSA1
Infineon Technologies
1: $8.193
1.565En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP022N12NM6AKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP022N12NM6AKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

1.565En existencias

$8.193

$4.407

$4.049

$3.639

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

120 V

203 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.1 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

395 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPTC017N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $9.066
3.531En existencias
3.600Se espera el 29-07-2026

N.º de artículo del Fabricante
IPTC017N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPTC017N12NM6ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Obtenga más información

Hoja de datos

3.531En existencias

3.600Se espera el 29-07-2026

Cinta cortada

$9.066

$6.173

$4.533

$4.459

$4.165

Envase tipo carrete

$4.165

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.800

SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

1 Channel

120 V

331 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

395 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPTC026N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $7.772
1.250En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPTC026N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPTC026N12NM6ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

1.250En existencias

Cinta cortada

$7.772

$5.248

$3.818

$3.397

Envase tipo carrete

$3.397

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.800

SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

1 Channel

120 V

222 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.1 V

70 nC

- 55 C

+ 175 C

278 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC032N12LM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $5.343
3.500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC032N12LM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC032N12LM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

3.500En existencias

Cinta cortada

$5.343

$3.544

$2.514

$2.198

$2.061

Envase tipo carrete

$2.061

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

120 V

170 A

9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.7 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

211 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC073N12LM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.576
10.351En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC073N12LM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC073N12LM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Obtenga más información

Hoja de datos

10.351En existencias

Cinta cortada

$3.576

$2.335

$1.620

$1.315

Ver

Envase tipo carrete

$1.199

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

120 V

86 A

7.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

14.4 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC078N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.523
6.705En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC078N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC078N12NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

6.705En existencias

Cinta cortada

$3.523

$2.293

$1.588

$1.294

Ver

Envase tipo carrete

$1.167

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

SuperSO-8

N-Channel

1 Channel

120 V

85 A

7.8 mOhms

- 20 V, 20 V

3.1 V

21 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC104N12LM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.734
17.727En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC104N12LM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC104N12LM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Obtenga más información

Hoja de datos

17.727En existencias

Cinta cortada

$2.734

$1.767

$1.209

$963

Envase tipo carrete

$858

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

120 V

63 A

10.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

10.4 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC320N12LM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.935
5.340En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC320N12LM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC320N12LM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

5.340En existencias

Cinta cortada

$1.935

$1.230

$817

$649

Envase tipo carrete

$530

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

120 V

24 A

15.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.7 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

43 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPB022N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $9.055
342En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB022N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB022N12NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

342En existencias

Cinta cortada

$9.055

$6.163

$4.522

$4.480

Envase tipo carrete

$4.154

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3

N-Channel

1 Channel

120 V

167 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.1 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

395 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPTG017N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $7.267
76En existencias
3.600En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPTG017N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPTG017N12NM6ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

76En existencias

3.600En pedido

Cinta cortada

$7.267

$4.890

$3.544

$3.323

$3.113

Envase tipo carrete

$3.113

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.800

SMD/SMT

HSOG-8

N-Channel

1 Channel

120 V

331 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.1 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

395 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC030N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $6.773
14En existencias
5.000Se espera el 20-08-2026

N.º de artículo del Fabricante
ISC030N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC030N12NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Obtenga más información

Hoja de datos

14En existencias

5.000Se espera el 20-08-2026

Cinta cortada

$6.773

$4.491

$3.281

$2.987

Ver

Envase tipo carrete

$2.471

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TSON-8

N-Channel

1 Channel

120 V

194 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

59 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISZ106N12LM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.366
25.000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
ISZ106N12LM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISZ106N12LM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Obtenga más información

Hoja de datos

25.000En pedido

Cinta cortada

$2.366

$1.462

$977

$775

Ver

Envase tipo carrete

$584

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

120 V

62 A

10.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

10.4 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISZ330N12LM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.809
7.495Se espera el 25-03-2027

N.º de artículo del Fabricante
ISZ330N12LM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISZ330N12LM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Obtenga más información

Hoja de datos

7.495Se espera el 25-03-2027

Cinta cortada

$1.809

$1.115

$733

$575

Ver

Envase tipo carrete

$374

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

120 V

24 A

33 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

3.6 nC

- 55 C

+ 175 C

43 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPB133N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1.000: $1.325
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPB133N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB133N12NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

Envase tipo carrete

$1.325

$1.262

$1.252

Min.: 1.000
Mult.: 1.000

: 1.000

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPB035N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1.000: $2.808
Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPB035N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB035N12NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas

Envase tipo carrete

$2.808

$2.734

Min.: 1.000
Mult.: 1.000

: 1.000

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

120 V

138 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

58 nC

- 55 C

+ 175 C

246 W

Enhancement

Reel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte