Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

StrongIRFET™ 2 Power MOSFETs

Infineon Technologies StrongIRFET™ 2 Power MOSFETs are N-channel, normal level, and 100% avalanche tested MOSFETs. The Infineon StrongIRFET 2 MOSFETs are optimized for a wide range of applications. The MOSFETs offer a V_DS range of 80V to 100V and an R_DS(on) from 2.4mΩ to 8.2mΩ.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 74

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IPB029N06NF2SATMA1 Infineon Technologies 1: $4.500 1.524En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB029N06NF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB029N06NF2SATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	1.524En existencias	Cinta cortada $4.500 $2.279 $2.062 $1.595 Envase tipo carrete $1.595 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	60 V	120 A	2.9 mOhms	20 V	2.1 V	68 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IPF016N06NF2SATMA1 Infineon Technologies 1: $6.437 5.751En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPF016N06NF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPF016N06NF2SATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	5.751En existencias	Cinta cortada $6.437 $3.361 $3.065 $2.598 Envase tipo carrete $2.598 Ver $2.586 Presupuesto MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	TO-263-7	N-Channel	1 Channel	60 V	223 A	1.7 mOhms	20 V	2.1 V	108 nC	- 55 C	+ 175 C	188 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IPB013N06NF2SATMA1 Infineon Technologies 1: $6.961 777En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB013N06NF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB013N06NF2SATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	777En existencias	Cinta cortada $6.961 $3.475 $2.917 $2.882 Envase tipo carrete $2.882 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	60 V	198 A	1.3 mOhms	20 V	2.1 V	203 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V IPD029N04NF2SATMA1 Infineon Technologies 1: $2.620 2.943En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD029N04NF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD029N04NF2SATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	2.943En existencias	Cinta cortada $2.620 $1.276 $1.138 $907 $852 Envase tipo carrete $766 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	40 V	131 A	2.9 mOhms	20 V	2.1 V	45 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IPD038N06NF2SATMA1 Infineon Technologies 1: $3.156 3.328En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD038N06NF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD038N06NF2SATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	3.328En existencias	Cinta cortada $3.156 $1.549 $1.401 $1.120 $1.086 Envase tipo carrete $988 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	60 V	120 A	3.85 mOhms	20 V	2.1 V	45 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IPF012N06NF2SATMA1 Infineon Technologies 1: $7.371 770En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPF012N06NF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPF012N06NF2SATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	770En existencias	Cinta cortada $7.371 $3.725 $3.133 $3.110 Envase tipo carrete $3.110 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	TO-263-7	N-Channel	1 Channel	60 V	282 A	1.2 mOhms	20 V	2.1 V	155 nC	- 55 C	+ 175 C	250 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IPB015N06NF2SATMA1 Infineon Technologies 1: $6.494 2.047En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB015N06NF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB015N06NF2SATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	2.047En existencias	Cinta cortada $6.494 $3.395 $3.099 $2.632 Envase tipo carrete $2.632 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	60 V	195 A	1.5 mOhms	20 V	2.1 V	155 nC	- 55 C	+ 175 C	250 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IPP016N08NF2SAKMA1 Infineon Technologies 1: $5.172 1.990En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP016N08NF2SAKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP016N08NF2SAKM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	1.990En existencias	$5.172 $2.746 $2.381 $2.028 $1.880	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole		N-Channel	1 Channel	80 V	196 A	1.6 mOhms	20 V	3.8 V	170 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IPP016N06NF2SAKMA1 Infineon Technologies 1: $3.099 1.665En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP016N06NF2SAKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-P016N06NF2SAKMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	1.665En existencias	$3.099 $1.652 $1.492 $1.196 Ver $1.129 $1.123 $1.069	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	60 V	194 A	1.6 mOhms	20 V	2.1 V	155 nC	- 55 C	+ 175 C	250 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V IPF009N04NF2SATMA1 Infineon Technologies 1: $4.591 943En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPF009N04NF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPF009N04NF2SATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	943En existencias	Cinta cortada $4.591 $2.336 $2.108 $1.641 Envase tipo carrete $1.641 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	TO-263-7	N-Channel	1 Channel	40 V	302 A	900 uOhms	20 V	2.1 V	210 nC	- 55 C	+ 175 C	375 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IPT012N08NF2SATMA1 Infineon Technologies 1: $6.745 1.648En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPT012N08NF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT012N08NF2SATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	1.648En existencias	Cinta cortada $6.745 $3.543 $3.236 $2.928 $2.768 Envase tipo carrete $2.768 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.800	Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	80 V	351 A	1.23 mOhms	20 V	2.2 V	170 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IPP019N06NF2SAKMA1 Infineon Technologies 1: $3.065 8.552En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP019N06NF2SAKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-P019N06NF2SAKMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	8.552En existencias	$3.065 $1.504 $1.356 $1.081 Ver $996 $948	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	60 V	185 A	1.9 mOhms	20 V	2.1 V	108 nC	- 55 C	+ 175 C	188 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7 IRFS7434TRL7PP Infineon Technologies 1: $5.993 5.167En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRFS7434TRL7PP N.º de artículo de Mouser 942-IRFS7434TRL7PP	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7 Obtenga más información sobre Infineon Technologies ir strongirfet	Hoja de datos	5.167En existencias	Cinta cortada $5.993 $3.110 $2.837 $2.358 Envase tipo carrete $2.358 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	TO-263-7	N-Channel	1 Channel	40 V	240 A	1 mOhms	20 V	3 V	210 nC	- 55 C	+ 150 C	245 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V IPP050N10NF2SAKMA1 Infineon Technologies 1: $3.714 1.335En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP050N10NF2SAKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP050N10NF2SAKM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	1.335En existencias	$3.714 $1.857 $1.675 $1.356 $1.310	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	100 V	110 A	5 mOhms	20 V	3.8 V	51 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IPF017N08NF2SATMA1 Infineon Technologies 1: $6.551 415En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPF017N08NF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPF017N08NF2SATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	415En existencias	Cinta cortada $6.551 $3.429 $3.133 $2.666 Envase tipo carrete $2.632 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	TO-263-7	N-Channel	1 Channel	80 V	259 A	1.7 mOhms	20 V	2.2 V	124 nC	- 55 C	+ 175 C	250 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V IPF050N10NF2SATMA1 Infineon Technologies 1: $3.839 1.206En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPF050N10NF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPF050N10NF2SATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	1.206En existencias	Cinta cortada $3.839 $1.925 $1.732 $1.333 Envase tipo carrete $1.287 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	TO-263-7	N-Channel	1 Channel	100 V	117 A	5.05 mOhms	20 V	2.2 V	51 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IPF039N08NF2SATMA1 Infineon Technologies 1: $4.295 768En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPF039N08NF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPF039N08NF2SATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	768En existencias	Cinta cortada $4.295 $2.165 $1.960 $1.515 Envase tipo carrete $1.504 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	TO-263-7	N-Channel	1 Channel	80 V	126 A	3.9 mOhms	20 V	2.2 V	54 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK IPB023N03LF2SATMA1 Infineon Technologies 1: $2.882 777En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IPB023N03LF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB023N03LF2SATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon stongirfet 2 30v mosfets	Hoja de datos	777En existencias	Cinta cortada $2.882 $1.401 $1.196 $947 Envase tipo carrete $836 Ver $819 $807 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	TO-263-3	N-Channel	1 Channel	30 V	119 A	2.35 mOhms	20 V	2.35 V	24 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V IPB012N04NF2SATMA1 Infineon Technologies 1: $4.090 1.301En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB012N04NF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB012N04NF2SATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	1.301En existencias	Cinta cortada $4.090 $2.415 $1.857 $1.424 Envase tipo carrete $1.413 $1.367 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	40 V	197 A	1.25 mOhms	20 V	2.1 V	159 nC	- 55 C	+ 175 C	250 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency IPD020N03LF2SATMA1 Infineon Technologies 1: $3.019 8.801En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD020N03LF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD020N03LF2SATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon stongirfet 2 30v mosfets	Hoja de datos	8.801En existencias	Cinta cortada $3.019 $1.937 $1.322 $1.119 Envase tipo carrete $936 Ver $991 $889	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	TO-252-3	N-Channel	1 Channel	30 V	143 A	2.05 mOhms	20 V	2.35 V	33 nC	- 55 C	+ 175 C	136 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency IPD023N03LF2SATMA1 Infineon Technologies 1: $2.768 2.818En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD023N03LF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD023N03LF2SATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon stongirfet 2 30v mosfets	Hoja de datos	2.818En existencias	Cinta cortada $2.768 $1.356 $1.208 $964 Envase tipo carrete $857 Ver $939 $825	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	TO-252-3	N-Channel	1 Channel	30 V	137 A	2.35 mOhms	20 V	2.35 V	24 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK IPB018N03LF2SATMA1 Infineon Technologies 1: $3.714 711En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IPB018N03LF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB018N03LF2SATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon stongirfet 2 30v mosfets	Hoja de datos	711En existencias	Cinta cortada $3.714 $1.857 $1.675 $1.287 Envase tipo carrete $1.230	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	TO-263-3	N-Channel	1 Channel	30 V	125 A	1.8 mOhms	20 V	2.35 V	46 nC	- 55 C	+ 175 C	167 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK IPB020N03LF2SATMA1 Infineon Technologies 1: $3.680 774En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IPB020N03LF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB020N03LF2SATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon stongirfet 2 30v mosfets	Hoja de datos	774En existencias	Cinta cortada $3.680 $1.834 $1.652 $1.265 Envase tipo carrete $1.208	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	TO-263-3	N-Channel	1 Channel	30 V	122 A	2.05 mOhms	20 V	2.35 V	33 nC	- 55 C	+ 175 C	136 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency IPD030N03LF2SATMA1 Infineon Technologies 1: $2.541 3.415En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD030N03LF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD030N03LF2SATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon stongirfet 2 30v mosfets	Hoja de datos	3.415En existencias	Cinta cortada $2.541 $1.230 $1.101 $876 Envase tipo carrete $763 Ver $844 $735	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	TO-252-3	N-Channel	1 Channel	30 V	99 A	3.05 mOhms	20 V	2.35 V	16 nC	- 55 C	+ 175 C	83 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency IPD040N03LF2SATMA1 Infineon Technologies 1: $2.130 3.693En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD040N03LF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD040N03LF2SATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon stongirfet 2 30v mosfets	Hoja de datos	3.693En existencias	Cinta cortada $2.130 $1.016 $908 $717 Envase tipo carrete $615 Ver $692 $575	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	TO-252-3	N-Channel	1 Channel	30 V	73 A	4.05 mOhms	20 V	2.35 V	13 nC	- 55 C	+ 175 C	75 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape