U-MOSVII-H MOSFETs

Toshiba U-MOSVII-H MOSFETs are logic-level gate drive and low-voltage gate drive devices offered in both single-channel and dual-channel variants. These devices have a drain-source voltage range of 12V to 60V and a continuous drain current range from 0.15m to 9.0A. Toshiba U-MOSVII-H MOSFETs are offered in a wide range of compact, surface-mounted package types, making them ideal for high-density applications.

Resultados: 44
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: 1.4A, VDSS: 20V
Hoja de datos
68.834En existencias
50.000Se espera el 29-07-2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 10.000

Si SMD/SMT CST3-3 N-Channel 1 Channel 20 V 1.4 A 840 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) WCSP6C S-MOS TRSTR Pd=0mW F=1MHz
Hoja de datos
51.796En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT WCSP6C-6 N-Channel 1 Channel 12 V 7 A 14.4 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 5.4 nC - 55 C + 150 C 1.6 W Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET 2-in-1
Hoja de datos
138.776En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 60 V 170 mA 3.9 Ohms, 3.9 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 270 pC - 55 C + 150 C 285 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UDFN6B N-CH 30V 6A
Hoja de datos
5.251En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT UDFN-6B N-Channel 1 Channel 30 V 6 A 46 mOhms - 12 V, 20 V 2.5 V 2.5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS 4.5GD
Hoja de datos
9.324En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si N-Channel 2 Channel U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 155 m at 10 V, SOT-23F
Hoja de datos
2.076En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT TSOP-6F N-Channel 1 Channel 60 V 2 A 87 mOhms 20 V 2.1 V 2.66 nC + 150 C 3 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 155 m at 10 V, UDFN6B
Hoja de datos
2.100En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT TSOP-6F N-Channel 1 Channel 60 V 2 A 171 mOhms 20 V 2.1 V 1.84 nC + 150 C 3 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 30V 6A 20V VGSS
Hoja de datos
Comentarios de Producto
61.858En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si N-Channel 1 Channel AEC-Q100 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET
Hoja de datos
43.866En existencias
234.000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 40 V 2 A 185 mOhms - 8 V, 8 V 850 mV + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal Nch MOSFET ID: 0.15A
Hoja de datos
6.730En existencias
213.000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-416-3 N-Channel 1 Channel 60 V 170 mA 2.8 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 350 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal Nch MOSFET
Hoja de datos
335.477En existencias
40.000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 10.000

Si SMD/SMT CST3-3 N-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 1.05 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 600 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.3A VDSS=60V
Hoja de datos
Comentarios de Producto
189.281En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-416-3 N-Channel 1 Channel 60 V 300 mA 1.05 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 600 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET N-Channel
Hoja de datos
84.145En existencias
84.000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT ES6-6 N-Channel 2 Channel 20 V 800 mA 235 mOhms, 235 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 1 nC - 55 C + 150 C 250 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS
Hoja de datos
2.369En existencias
12.000Se espera el 27-07-2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si N-Channel 2 Channel U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET 4A 30V 2-in-1
Hoja de datos
23.235En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 2 Channel 30 V 4 A 112 mOhms - 12 V, 12 V 1 V - 55 C + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V
Hoja de datos
Comentarios de Producto
53.621En existencias
48.000Se espera el 16-11-2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 2 Channel 30 V 4 A 39.1 mOhms - 8 V, 12 V 400 mV 3.2 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet
Hoja de datos
357.824En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 390 pC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3A VDSS=20V
Hoja de datos
2.080En existencias
18.000Se espera el 28-08-2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 20 V 3 A 51 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 2 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 0.8A 20VDSS 55pF
Hoja de datos
2.017En existencias
60.000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-416-3 N-Channel 1 Channel 20 V 800 mA 235 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 82 m at 10 V, UDFN6B
Hoja de datos
2.030En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT UDFN-6B N-Channel 1 Channel 60 V 2 A 87 mOhms 20 V 2.1 V 2.66 nC + 150 C 3 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 6A 30VDSS 340pF
Hoja de datos
Comentarios de Producto
2.690En existencias
15.000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 6 A 56 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 2.7 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q100 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet
Hoja de datos
Comentarios de Producto
4.614En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 30 V 3 A 95 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 1.7 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V
Hoja de datos
Comentarios de Producto
254.750En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 30 V 4 A 56 mOhms - 8 V, 12 V 1 V 2.2 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 82 m at 10 V, SOT-23F
Hoja de datos
2.030En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 60 V 2 A 87 mOhms 20 V 2.1 V 2.66 nC + 150 C 1.8 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 82 m at 10 V, TSOP6F
Hoja de datos
1.736En existencias
6.000Se espera el 14-08-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 60 V 2 A 171 mOhms 20 V 2.1 V 1.84 nC + 150 C 1.7 W Enhancement Reel, Cut Tape