U-MOSVII-H MOSFETs

Toshiba U-MOSVII-H MOSFETs are logic-level gate drive and low-voltage gate drive devices offered in both single-channel and dual-channel variants. These devices have a drain-source voltage range of 12V to 60V and a continuous drain current range from 0.15m to 9.0A. Toshiba U-MOSVII-H MOSFETs are offered in a wide range of compact, surface-mounted package types, making them ideal for high-density applications.

Resultados: 44
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) WCSP6C S-MOS TRSTR Pd=0mW F=1MHz 51.796En existencias
Cinta cortada
$991
$455
$401
$306
Envase tipo carrete
$236
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT WCSP6C-6 N-Channel 1 Channel 12 V 7 A 14.4 mOhms 8 V 400 mV 5.4 nC - 55 C + 150 C 1.6 W Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 4A 30VDSS 200pF 11.540En existencias
39.000Se espera el 30-10-2026
Cinta cortada
$490
$214
$188
$140
Envase tipo carrete
$104
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si N-Channel 1 Channel U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS 4.5GD 8.938En existencias
Cinta cortada
$763
$343
$301
$222
Envase tipo carrete
$161
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si N-Channel 2 Channel U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 82 m at 10 V, TSOP6F 7.895En existencias
Cinta cortada
$365
$158
$138
$101
Envase tipo carrete
$74,1
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 60 V 2 A 171 mOhms 20 V 2.1 V 1.84 nC + 150 C 1.7 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 82 m at 10 V, UDFN6B 2.830En existencias
Cinta cortada
$456
$204
$178
$132
Envase tipo carrete
$98
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT UDFN-6B N-Channel 1 Channel 60 V 2 A 87 mOhms 20 V 2.1 V 2.66 nC + 150 C 3 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 155 m at 10 V, SOT-23F 2.927En existencias
Cinta cortada
$535
$239
$210
$156
Envase tipo carrete
$116
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT TSOP-6F N-Channel 1 Channel 60 V 2 A 87 mOhms 20 V 2.1 V 2.66 nC + 150 C 3 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 155 m at 10 V, TSOP6F 5.980En existencias
3.000Se espera el 23-10-2026
Cinta cortada
$410
$181
$158
$117
Envase tipo carrete
$86,6
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT UDFN-6B N-Channel 1 Channel 60 V 2 A 171 mOhms 20 V 2.1 V 1.84 nC + 150 C 3 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 155 m at 10 V, UDFN6B 3.000En existencias
Cinta cortada
$490
$214
$188
$140
Envase tipo carrete
$104
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT TSOP-6F N-Channel 1 Channel 60 V 2 A 171 mOhms 20 V 2.1 V 1.84 nC + 150 C 3 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET 229.808En existencias
Cinta cortada
$592
$257
$226
$167
Envase tipo carrete
$114
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 40 V 2 A 185 mOhms 8 V 850 mV + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 0.8A 20VDSS 55pF 53.482En existencias
Cinta cortada
$444
$196
$171
$128
Envase tipo carrete
$93,4
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-416-3 N-Channel 1 Channel 20 V 800 mA 235 mOhms 8 V 400 mV 1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal Nch MOSFET ID: 0.15A 153.195En existencias
Cinta cortada
$216
$93,4
$80,9
$59,2
Envase tipo carrete
$39,9
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-416-3 N-Channel 1 Channel 60 V 170 mA 2.8 Ohms 20 V 1.1 V 350 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 30V 6A 20V VGSS
55.354En existencias
Cinta cortada
$592
$263
$230
$173
Envase tipo carrete
$130
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si N-Channel 1 Channel AEC-Q100 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V
183.735En existencias
Cinta cortada
$456
$204
$178
$132
Envase tipo carrete
$98
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 30 V 4 A 56 mOhms - 8 V, 12 V 1 V 2.2 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal FET 0.8A 20V 0.84ohm 29.500En existencias
152.000En pedido
Cinta cortada
$661
$456
$289
$182
Envase tipo carrete
$105
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 8.000
Si SMD/SMT SOT-723-3 N-Channel 1 Channel 20 V 800 mA 235 mOhms 8 V 400 mV + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal Nch MOSFET 244.702En existencias
20.000Se espera el 23-10-2026
Cinta cortada
$262
$116
$101
$74,1
Envase tipo carrete
$44,4
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 10.000
Si SMD/SMT CST3-3 N-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 1.05 Ohms 20 V 1.1 V 600 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET N-Channel 149.841En existencias
8.000En pedido
Cinta cortada
$695
$477
$302
$190
Envase tipo carrete
$123
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000
Si SMD/SMT ES6-6 N-Channel 2 Channel 20 V 800 mA 235 mOhms, 235 mOhms 8 V 400 mV 1 nC - 55 C + 150 C 250 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS 14.188En existencias
Cinta cortada
$843
$383
$336
$255
Envase tipo carrete
$195
$170
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si N-Channel 2 Channel U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V
42.715En existencias
66.000Se espera el 21-12-2026
Cinta cortada
$797
$361
$318
$240
Envase tipo carrete
$183
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 2 Channel 30 V 4 A 39.1 mOhms - 8 V, 12 V 400 mV 3.2 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET 2in1 ESD Protected
200.431En existencias
609.000En pedido
Cinta cortada
$262
$116
$101
$74,1
Envase tipo carrete
$53,5
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 60 V 300 mA 1.5 Ohms 20 V 1.1 V 390 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET 377.986En existencias
Cinta cortada
$194
$83,2
$72,9
$52,4
Envase tipo carrete
$33
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 200 mA 3.9 Ohms 20 V 1.1 V 270 pC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet 710.910En existencias
105.000En pedido
Cinta cortada
$194
$84,3
$72,9
$52,4
Envase tipo carrete
$33
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 1.5 Ohms 20 V 1.1 V 390 pC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 6A 30VDSS 340pF
14.194En existencias
Cinta cortada
$638
$286
$251
$188
Envase tipo carrete
$141
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 6 A 56 mOhms 20 V 2.5 V 2.7 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q100 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet
1.590En existencias
3.000Se espera el 24-03-2027
Cinta cortada
$570
$253
$221
$166
Envase tipo carrete
$124
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 30 V 3 A 95 mOhms 20 V 1.3 V 1.7 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3A VDSS=20V 2.741En existencias
15.000En pedido
Cinta cortada
$706
$311
$272
$204
Envase tipo carrete
$121
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 20 V 3 A 51 mOhms 8 V 400 mV 2 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 82 m at 10 V, SOT-23F 1.570En existencias
3.000Se espera el 24-03-2027
Cinta cortada
$399
$178
$155
$115
Envase tipo carrete
$84,3
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 60 V 2 A 87 mOhms 20 V 2.1 V 2.66 nC + 150 C 1.8 W Enhancement Reel, Cut Tape