OptiMOS™ 6 150V Automotive MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 150V Automotive MOSFETs offer a robust design with enhanced electrical testing. The N-channel MOSFETs are AEC-Q101 qualified for automotive applications and supply a 175A or 245A continuous drain current.

Resultados: 6
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLL (10x12)
Hoja de datos
5.204En existencias
Cinta cortada
$11.119
$6.118
$5.685
$5.377
Envase tipo carrete
$5.377
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
Si SMD/SMT PG-HSOF-8-1 N-Channel 1 Channel 150 V 245 A 2.5 mOhms 20 V 4 V 107 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLT (10x15)
Hoja de datos
3.784En existencias
Cinta cortada
$12.692
$7.075
$6.767
$6.403
Envase tipo carrete
$6.403
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.800
Si SMD/SMT PG-HDSOP-16-1 N-Channel 1 Channel 150 V 245 A 2.5 mOhms 20 V 4 V 107 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 3.8 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLT (10x15)
Hoja de datos
825En existencias
Cinta cortada
$10.869
$6.813
$6.289
$6.277
Envase tipo carrete
$6.050
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.800
Si SMD/SMT PG-HSOG-8-1 N-Channel 1 Channel 150 V 245 A 2.5 mOhms 20 V 4 V 107 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 3.8 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLL (10x12)
Hoja de datos
3.562En existencias
Cinta cortada
$9.262
$5.013
$4.603
$4.466
$4.227
Envase tipo carrete
$4.227
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
Si SMD/SMT PG-HSOF-8-1 N-Channel 1 Channel 150 V 170 A 3.8 mOhms 20 V 4 V 107 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLG (10x12)
Hoja de datos
1.712En existencias
Cinta cortada
$10.197
$5.571
$5.115
$5.081
$4.796
Envase tipo carrete
$4.796
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.800
Si SMD/SMT PG-HSOG-8-1 N-Channel 1 Channel 150 V 170 A 3.8 mOhms 20 V 4 V 67 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 3.8 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLT (10x15)
Hoja de datos
1.715En existencias
Cinta cortada
$10.402
$5.685
$5.241
$5.218
$4.933
Envase tipo carrete
$4.933
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.800
Si SMD/SMT PG-HDSOP-16-1 N-Channel 1 Channel 150 V 170 A 3.8 mOhms 20 V 4 V 67 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape