Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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800V CoolMOS™ P7 MOSFETs

Infineon 800V CoolMOS™ P7 MOSFETs combine best-in-class performance with ease-of-use. The P7 set a new benchmark in 800V super junction technologies. The transistors offer up to 0.6 percent efficiency gain and 2°C to 8°C lower MOSFET temperature. The transistors feature optimized device parameters like over 50% reduction in Eoss and Qg, reduced Ciss and Coss. The CoolMOS P7 also enable higher power density designs through lower switching losses and better DPAK RDS(on) products. The CoolMOS P7 are a perfect fit for low-power SMPS applications.

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Resultados: 30

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPD80R360P7ATMA1 Infineon Technologies 1: $3.839 4.600En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD80R360P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD80R360P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	4.600En existencias	Cinta cortada $3.839 $1.925 $1.732 $1.401 $1.367 Envase tipo carrete $1.287 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	13 A	310 mOhms	20 V	2.5 V	30 nC	- 55 C	+ 150 C	84 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPD80R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.039 8.670En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD80R1K2P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD80R1K2P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	8.670En existencias	Cinta cortada $2.039 $970 $865 $681 Envase tipo carrete $554 Ver $631 $541	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	4.5 A	1 Ohms	20 V	2.5 V	11 nC	- 55 C	+ 150 C	37 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPD80R2K4P7ATMA1 Infineon Technologies 1: $1.584 9.128En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD80R2K4P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD80R2K4P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	9.128En existencias	Cinta cortada $1.584 $743 $661 $515 Envase tipo carrete $412 Ver $502 $383	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	2.5 A	2 Ohms	20 V	2.5 V	7.5 nC	- 55 C	+ 150 C	22 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPD80R750P7ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.472 4.448En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD80R750P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD80R750P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	4.448En existencias	Cinta cortada $2.472 $1.196 $1.068 $849 $787 Envase tipo carrete $706	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	7 A	640 mOhms	20 V	2.5 V	17 nC	- 55 C	+ 150 C	51 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPD80R900P7ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.290 7.426En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD80R900P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD80R900P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	7.426En existencias	Cinta cortada $2.290 $1.101 $983 $779 $743 Envase tipo carrete $637	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	6 A	770 mOhms	20 V	2.5 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	45 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPA80R900P7XKSA1 Infineon Technologies 1: $2.586 1.216En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA80R900P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA80R900P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1.216En existencias	$2.586 $1.253 $1.121 $857 Ver $780 $752	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	6 A	770 mOhms	20 V	2.5 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	26 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPU80R900P7AKMA1 Infineon Technologies 1: $2.313 1.411En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPU80R900P7AKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPU80R900P7AKMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1.411En existencias	$2.313 $1.037 $931 $779 Ver $723 $722 $662	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-251-3	N-Channel	1 Channel	800 V	6 A	900 mOhms	20 V	2.5 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	45 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPD80R1K4P7ATMA1 Infineon Technologies 1: $1.641 2.877En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD80R1K4P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD80R1K4P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	2.877En existencias	Cinta cortada $1.641 $960 $819 $651 Envase tipo carrete $520 Ver $578 $496	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	4 A	1.4 Ohms	30 V	3 V	10 nC	- 55 C	+ 150 C	32 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPA80R450P7XKSA1 Infineon Technologies 1: $3.429 1.431En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA80R450P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA80R450P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1.431En existencias	$3.429 $1.698 $1.344 $1.136 Ver $1.128 $1.106	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	11 A	450 mOhms	30 V	3 V	24 nC	- 55 C	+ 150 C	29 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPA80R600P7XKSA1 Infineon Technologies 1: $3.030 1.318En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA80R600P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA80R600P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1.318En existencias	$3.030 $1.492 $1.333 $1.046 Ver $970 $934	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	8 A	510 mOhms	20 V	2.5 V	20 nC	- 55 C	+ 150 C	28 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPA80R750P7XKSA1 Infineon Technologies 1: $2.905 7.574En existencias 500En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPA80R750P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA80R750P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	7.574En existencias 500En pedido	$2.905 $1.413 $1.299 $1.031 $839	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	7 A	640 mOhms	20 V	2.5 V	17 nC	- 55 C	+ 150 C	27 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPD80R280P7ATMA1 Infineon Technologies 1: $4.170 7.135En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD80R280P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD80R280P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	7.135En existencias	Cinta cortada $4.170 $2.336 $2.119 $1.754 $1.743 Envase tipo carrete $1.641 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 2.500 : 2.500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	17 A	280 mOhms	30 V	3 V	36 nC	- 50 C	+ 150 C	101 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPD80R600P7ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.894 5.291En existencias 5.000Se espera el 28-01-2027	N.º de artículo del Fabricante IPD80R600P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD80R600P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	5.291En existencias 5.000Se espera el 28-01-2027	Cinta cortada $2.894 $1.458 $1.265 $1.040 Envase tipo carrete $865 Ver $955 $843 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	8 A	510 mOhms	20 V	2.5 V	20 nC	- 55 C	+ 150 C	60 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPN80R600P7ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.632 2.982En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPN80R600P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPN80R600P7ATMA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	2.982En existencias	Cinta cortada $2.632 $1.287 $1.162 $918 $889 Envase tipo carrete $778 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	SOT-223-3	N-Channel	1 Channel	800 V	8 A	510 mOhms	30 V	3 V	20 nC	- 55 C	+ 150 C	7.4 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPD80R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies 1: $1.720 1.489En existencias 2.500Se espera el 05-11-2026	N.º de artículo del Fabricante IPD80R2K0P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD80R2K0P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1.489En existencias 2.500Se espera el 05-11-2026	Cinta cortada $1.720 $807 $718 $562 Envase tipo carrete $456 Ver $559 $426	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	3 A	1.7 Ohms	20 V	2.5 V	9 nC	- 55 C	+ 150 C	24 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPA80R1K4P7XKSA1 Infineon Technologies 1: $2.290 702En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA80R1K4P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA80R1K4P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	702En existencias	$2.290 $1.099 $983 $834 Ver $775 $737 $726 $656	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	4 A	1.4 Ohms	30 V	3 V	10 nC	- 55 C	+ 150 C	24 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPA80R280P7XKSA1 Infineon Technologies 1: $4.842 478En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA80R280P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA80R280P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	478En existencias	$4.842 $2.472 $2.244 $1.823 $1.811	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	17 A	280 mOhms	30 V	3 V	36 nC	- 55 C	+ 150 C	30 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPA80R360P7XKSA1 Infineon Technologies 1: $3.976 734En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA80R360P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA80R360P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	734En existencias	$3.976 $1.994 $1.800 $1.435 $1.390	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220FP-3	N-Channel	1 Channel	800 V	13 A	310 mOhms	20 V	2.5 V	30 nC	- 55 C	+ 150 C	30 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V CoolMOS P7PowerDevice IPD80R3K3P7ATMA1 Infineon Technologies 1: $1.470 4.447En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD80R3K3P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD80R3K3P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V CoolMOS P7PowerDevice Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	4.447En existencias	Cinta cortada $1.470 $685 $579 $459 Envase tipo carrete $408 Ver $458 $343 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	1.9 A	2.8 Ohms	20 V	2.5 V	5.8 nC	- 55 C	+ 150 C	18 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPD80R450P7ATMA1 Infineon Technologies 1: $3.475 159En existencias 10.000En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPD80R450P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD80R450P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	159En existencias 10.000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IPD80R450P7ATMA1 Existencias: 159 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 2.500 Se espera el 13-05-2027 7.500 Se espera el 27-05-2027 Plazo de entrega de fábrica: 46 Semanas	Cinta cortada $3.475 $1.948 $1.549 $1.219 $1.162 Envase tipo carrete $1.062 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	11 A	450 mOhms	30 V	3 V	24 nC	- 50 C	+ 150 C	73 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPD80R4K5P7ATMA1 Infineon Technologies 1: $1.390 3.652En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD80R4K5P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD80R4K5P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	3.652En existencias	Cinta cortada $1.390 $644 $555 $442 Envase tipo carrete $376 Ver $434 $317 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	1.5 A	4.5 Ohms	30 V	3 V	4 nC	- 50 C	+ 150 C	13 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPN80R1K4P7ATMA1 Infineon Technologies 1: $1.743 2.375En existencias 14.000En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPN80R1K4P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPN80R1K4P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	2.375En existencias 14.000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IPN80R1K4P7ATMA1 Existencias: 2.375 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 5.000 Se espera el 23-11-2026 9.000 Se espera el 03-12-2026 Plazo de entrega de fábrica: 20 Semanas	Cinta cortada $1.743 $818 $728 $570 Envase tipo carrete $453 Ver $448 $434 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	SOT-223-3	N-Channel	1 Channel	800 V	4 A	1.2 Ohms	20 V	2.5 V	10 nC	- 55 C	+ 150 C	7 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPN80R2K4P7ATMA1 Infineon Technologies 1: $1.470 663En existencias 6.000Se espera el 12-02-2027	N.º de artículo del Fabricante IPN80R2K4P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPN80R2K4P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	663En existencias 6.000Se espera el 12-02-2027	Cinta cortada $1.470 $687 $610 $474 Envase tipo carrete $374 Ver $463 $345	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	SOT-223-3	N-Channel	1 Channel	800 V	2.5 A	2 Ohms	30 V	3.5 V	7.5 nC	- 55 C	+ 150 C	500 mW	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPN80R4K5P7ATMA1 Infineon Technologies 1: $1.265 3.000En existencias 24.000En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPN80R4K5P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPN80R4K5P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	3.000En existencias 24.000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IPN80R4K5P7ATMA1 Existencias: 3.000 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 9.000 Se espera el 19-11-2026 15.000 Se espera el 10-12-2026 Plazo de entrega de fábrica: 19 Semanas	Cinta cortada $1.265 $582 $516 $399 Envase tipo carrete $311 Ver $385 $295 $278 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	SOT-223-3	N-Channel	1 Channel	800 V	1.5 A	3.8 Ohms	20 V	2.5 V	4 nC	- 55 C	+ 150 C	6 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPU80R4K5P7AKMA1 Infineon Technologies 1: $1.390 1.486En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPU80R4K5P7AKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPU80R4K5P7AKMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1.486En existencias	$1.390 $604 $537 $442 Ver $436 $407 $390 $374 $329	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-251-3	N-Channel	1 Channel	800 V	1.5 A	4.5 Ohms	30 V	3 V	4 nC	- 50 C	+ 150 C	13 W	Enhancement	CoolMOS	Tube

800V CoolMOS™ P7 MOSFETs

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500 mW
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7.4 W
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24 W
26 W
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84 W