Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
SI7625DN-T1-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
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1 Channel
30 V
35 A
5.6 mOhms
20 V
2.5 V
126 nC
- 55 C
+ 150 C
52 W
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V 3.6mOhm@10V 40A P-Ch G-III
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V 3.6mOhm@10V 40A P-Ch G-III
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12 V
1.1 V
225 nC
- 50 C
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT SI76
SI7615DN-T1-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT SI76
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PowerPAK-1212-8
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35 A
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12 V
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183 nC
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
SI7634BDP-T1-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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1.4 V
68 nC
- 55 C
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
SI7658ADP-T1-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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60 A
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1.2 V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 35A 52W
SI7629DN-T1-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 35A 52W
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PowerPAK-1212-8
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35 A
3.8 mOhms
12 V
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+ 150 C
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
SI7615CDN-T1-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
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SMD/SMT
PowerPAK-1212-8
P-Channel
1 Channel
20 V
35 A
7.2 mOhms
8 V
1 V
111 nC
- 55 C
+ 150 C
33 W
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
SI7619DN-T1-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
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Si
SMD/SMT
PowerPAK-1212-8
P-Channel
1 Channel
30 V
24 A
21 mOhms
25 V
1 V
32 nC
- 55 C
+ 150 C
27.8 W
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TrenchFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8S
SI7655ADN-T1-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8S
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SMD/SMT
PowerPAK-1212-8
P-Channel
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20 V
40 A
3.6 mOhms
12 V
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150 nC
- 50 C
+ 150 C
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TrenchFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
SI7633DP-T1-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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SMD/SMT
PowerPAK-SO-8
P-Channel
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20 V
60 A
5.5 mOhms
20 V
3 V
260 nC
- 55 C
+ 150 C
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TrenchFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 35A 37.9W 9.5mohm @ 10V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 35A 37.9W 9.5mohm @ 10V
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Si
SMD/SMT
PowerPAK-SO-8
N-Channel
1 Channel
30 V
35 A
9.5 mOhms
20 V
1 V
26 nC
- 55 C
+ 150 C
37.9 W
Enhancement
TrenchFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
SI7615ADN-T1-GE3
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15.000 Se espera el 07-12-2026
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78-SI7615ADN-T1-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
5.750 En existencias
15.000 Se espera el 07-12-2026
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Si
SMD/SMT
PowerPAK-1212-8
P-Channel
1 Channel
20 V
35 A
4.4 mOhms
12 V
1.5 V
122 nC
- 55 C
+ 150 C
52 W
Enhancement
TrenchFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
SI7623DN-T1-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
665 En existencias
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Si
SMD/SMT
PowerPAK-1212-8
P-Channel
1 Channel
20 V
35 A
3.1 mOhms
12 V
1.5 V
180 nC
- 55 C
+ 150 C
52 W
Enhancement
TrenchFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
SI7611DN-T1-GE3
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33.000 Se espera el 23-08-2027
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
39 En existencias
33.000 Se espera el 23-08-2027
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Si
SMD/SMT
PowerPAK-1212-8
P-Channel
1 Channel
40 V
18 A
25 mOhms
20 V
1 V
41 nC
- 50 C
+ 150 C
39 W
Enhancement
TrenchFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8
SI7613DN-T1-GE3
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2.500 En existencias
3.000 Se espera el 23-12-2027
N.º de artículo de Mouser
781-SI7613DN-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8
2.500 En existencias
3.000 Se espera el 23-12-2027
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Min.: 1
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3.000
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Si
SMD/SMT
PowerPAK-1212-8
P-Channel
1 Channel
20 V
35 A
14 mOhms
16 V
2.2 V
87 nC
- 50 C
+ 150 C
52.1 W
Enhancement
TrenchFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8
SI7617DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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184 En existencias
27.000 Se espera el 17-12-2026
N.º de artículo de Mouser
781-SI7617DN-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8
184 En existencias
27.000 Se espera el 17-12-2026
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3.000
Detalles
Si
SMD/SMT
PowerPAK-1212-8
P-Channel
1 Channel
30 V
35 A
12.3 mOhms
25 V
1.2 V
39 nC
- 55 C
+ 150 C
52 W
Enhancement
TrenchFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
SI7634BDP-T1-E3
Vishay Semiconductors
3.000:
$1.162
Plazo de entrega no en existencias 38 Semanas
N.º de artículo de Mouser
781-SI7634BDP-E3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Plazo de entrega no en existencias 38 Semanas
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Min.: 3.000
Mult.: 3.000
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3.000
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Si
SMD/SMT
PowerPAK-SO-8
N-Channel
1 Channel
30 V
40 A
5.4 mOhms
20 V
1.4 V
68 nC
- 55 C
+ 150 C
48 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 15A 3.9W 15.8mohm @ 10V
SI7652DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
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$539
No en existencias
N.º de artículo de Mouser
781-SI7652DP-GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 15A 3.9W 15.8mohm @ 10V
No en existencias
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Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Carrete :
3.000
Detalles
Si
SMD/SMT
PowerPAK-SO-8
N-Channel
1 Channel
30 V
15 A
15.8 mOhms
25 V
1.8 V
8.7 nC
- 55 C
+ 150 C
3.9 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 20A 27.5W
SI7684DP-T1-E3
Vishay / Siliconix
3.000:
$1.230
No en existencias
N.º de artículo de Mouser
781-SI7684DP-E3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 20A 27.5W
No en existencias
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Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Carrete :
3.000
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Si
TrenchFET
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 20A 27.5W 9.0mohm @ 10V
SI7684DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
3.000:
$1.230
No en existencias
N.º de artículo de Mouser
781-SI7684DP-GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 20A 27.5W 9.0mohm @ 10V
No en existencias
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Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Carrete :
3.000
Detalles
Si
TrenchFET
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 35A 37.9W 9.5mohm @ 10V
SI7686DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1:
$2.894
Plazo de entrega no en existencias 38 Semanas
N.º de artículo de Mouser
781-SI7686DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 35A 37.9W 9.5mohm @ 10V
Plazo de entrega no en existencias 38 Semanas
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Mult.: 1
Carrete :
3.000
Detalles
Si
SMD/SMT
PowerPAK-SO-8
N-Channel
1 Channel
30 V
35 A
9.5 mOhms
20 V
1 V
26 nC
- 55 C
+ 150 C
37.9 W
Enhancement
TrenchFET
Reel, Cut Tape, MouseReel