600V 4th Gen PrestoMOS™ Super Junction MOSFETs

ROHM Semiconductor 600V 4th Gen PrestoMOS™ Super Junction MOSFETs utilize original patented technology to accelerate the parasitic diode, achieving ultra-fast reverse recovery characteristics to achieve low power consumption. The PrestoMOS design enables a reduction in power loss of about 58% at light loads when compared with IGBT implementations. Additionally, raising the reference voltage needed to turn ON the MOSFET prevents self-turn-ON, which is one of the main causes of loss. The optimized built-in parasitic diode improves the soft recovery index specific to Super Junction MOSFETs, which reduces noise that can lead to malfunction.

Resultados: 14
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 39A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1.891En existencias
$4.480
$2.448
$2.229
$1.823
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 300 mOhms 30 V 6.5 V 21 nC - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 165A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1.985En existencias
$10.332
$5.665
$5.215
$4.941
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 71 mOhms 30 V 6.5 V 80 nC - 55 C + 150 C 100 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 12A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1.749En existencias
$4.699
$2.415
$2.196
$2.009
$1.888
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 185 mOhms 30 V 6 V 28 nC - 55 C + 150 C 62 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 105A N-CH MOSFET
Hoja de datos
890En existencias
$8.224
$4.447
$4.260
$3.997
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 35 A 114 mOhms 30 V 6.5 V 50 nC - 55 C + 150 C 347 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 231A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1.090En existencias
$17.655
$10.178
$10.145
Presupuesto
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 77 A 51 mOhms 30 V 6.5 V 108 nC - 55 C + 150 C 781 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 39A N-CH MOSFET
Hoja de datos
5.047En existencias
Cinta cortada
$3.975
$2.185
$1.976
$1.636
$1.625
Envase tipo carrete
$1.526
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500
Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 300 mOhms 30 V 6.5 V 21 nC - 55 C + 150 C 131 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO3P 650V 165A N-CH MOSFET
Hoja de datos
567En existencias
$10.881
$7.795
$7.389
$7.038
$6.950
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 71 mOhms 30 V 6.5 V 80 nC - 55 C + 150 C 99 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 10A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1.940En existencias
$3.975
$3.294
$2.624
$2.108
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 204 mOhms 30 V 6.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 61 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 77A 4th Gen, Fast Recover
Hoja de datos
700En existencias
$14.767
$9.168
$9.102
$8.619
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 51 Ohms 30 V 6.5 V 108 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 72A N-CH MOSFET
Hoja de datos
2.003En existencias
$7.126
$3.777
$3.448
$3.019
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 153 mOhms 30 V 6.5 V 38 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 72A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1.969En existencias
$6.423
$3.371
$3.074
$2.624
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 153 mOhms 30 V 6.5 V 38 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 165A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1.102En existencias
$14.713
$8.257
$7.938
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 55 A 71 mOhms 30 V 6.5 V 80 nC - 55 C + 150 C 543 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 105A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1.933En existencias
$6.708
$3.557
$3.250
$3.041
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 17 A 114 mOhms 30 V 6.5 V 50 nC - 55 C + 150 C 81 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 42A N-CH MOSFET
Hoja de datos
24En existencias
$5.116
$2.657
$2.405
$1.976
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 260 mOhms 30 V 6 V 20 nC - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Tube