STD65N160M9

STMicroelectronics
511-STD65N160M9
STD65N160M9

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 132 mOhm typ., 17 A MDmesh M9 Power MOSFET
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STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
650 V
17 A
160 mOhms
30 V
4.2 V
32 nC
- 55 C
+ 150 C
106 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: STMicroelectronics
Tiempo de caída: 7 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 4 ns
Serie: MDmesh M9
Cantidad de empaque de fábrica: 2500
Subcategoría: Transistors
Peso de la unidad: 330 mg
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Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

MDmesh™ M9 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ M9 Power MOSFETs feature enhanced device structure, low ON resistance, and low gate charge values. These power MOSFETs offer high reverse diode dv/dt and MOSFET dv/dt ruggedness, high power density, and low conduction losses. The MDmesh M9 Power MOSFETs also offer high switching speed, high efficiency, and low switching power losses. These power MOSFETs are designed with innovative high-voltage super-junction technology that delivers impressive Figure of Merit ((FoM). The high FoM enables higher power levels and density for more compact solutions. Typical applications include servers, telecom data centers, 5G power stations, microinverters, and fast chargers.

STD65N160M9 N-channel Power MOSFET

STMicroelectronics STD65N160M9 N-channel Power MOSFET is based on super-junction MDmesh M9 technology. The MOSFET is suitable for medium/high voltage featuring very low RDS(on) per area. The silicon-based M9 technology benefits from a multi-drain manufacturing process, allowing for an enhanced device structure. The resulting product has one of the lower on-resistance and reduced gate charge values among all silicon-based fast-switching super-junction Power MOSFETs. This makes it particularly suitable for applications that require superior power density and outstanding efficiency.

En existencias: 243

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
36 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-
Precio ext.:
$-
Est. Tarifa:
Empaque:
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Precio (CLP)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ †
$4.455 $4.455
$2.256 $22.560
$2.039 $203.900
$1.675 $837.500
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
$1.572 $3.930.000
† $5.000 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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