Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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TrenchFET® Gen V Power MOSFETs with VDS

Vishay / Siliconix TrenchFET^® Gen V Power MOSFETs increase power conversion efficiency with a very low R_DS x Q_g figure-of-merit (FOM). The Gen V Power MOSFETs have 80V, 100V, and 150V drain-source breakdown voltage options. The Gen V Power MOSFETs are available in a PowerPAK^® 1212-8SH or PowerPAK SO-8 single package.

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 80V 28.9A

SIR582DP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
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Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 80V 28.9A

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SIR588DP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
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SIHB100N65E-GE3
Vishay
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SIHH125N65E-T1-GE3
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SIHP100N65E-GE3
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SIHP125N65E-GE3
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SIR514DP-T1-BE3
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SIR516DP-T1-BE3
Vishay / Siliconix
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SIR516DP-T1-BE3

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SIR572DP-T1-BE3
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SIR574DP-T1-BE3
Vishay / Siliconix
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SIR574DP-T1-BE3

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Vishay / Siliconix

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$759

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SIR576DP-T1-BE3
Vishay / Siliconix
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SIR576DP-T1-BE3

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78-SIR576DP-T1-BE3

Vishay / Siliconix

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$2.324

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$801

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SIR578DP-T1-BE3
Vishay / Siliconix
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SIR578DP-T1-BE3

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78-SIR578DP-T1-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 150 C 8.8 M 10V

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$3.776

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$1.294

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SIR582DP-T1-BE3
Vishay / Siliconix
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SIR582DP-T1-BE3

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78-SIR582DP-T1-BE3

Vishay / Siliconix

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V

SIHG125N65E-GE3
Vishay
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SIHG125N65E-GE3

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78-SIHG125N65E-GE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V

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SIR584DP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
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SIR584DP-T1-RE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 80V 20.7A

SIR586DP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
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SIR586DP-T1-RE3

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625-SIR586DP-T1-RE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 80V 20.7A

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 150V 77.4A N-CH MOSFET

SIR570DP-T1-RE3
Vishay / Siliconix
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SIR570DP-T1-RE3

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78-SIR570DP-T1-RE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 150V 77.4A N-CH MOSFET

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PowerPAK SO-8

N-Channel

1 Channel

150 V

77.4 A

7.9 mOhms

20 V

4 V

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+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET

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SIR510DP-T1-RE3
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PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

100 V

126 A

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20 V

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104 W

Enhancement

TrenchFET

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SQA444CEJW-T1_GE3
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SQA444CEJW-T1_GE3

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Vishay Semiconductors

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PowerPAK SC-70W-6

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1 Channel

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Enhancement

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SISS52DN-T1-GE3
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SMD/SMT

PowerPAK1212-8S

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162 A

1.2 mOhms

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57 W

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TrenchFET

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SISS54DN-T1-GE3
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78-SISS54DN-T1-GE3

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$2.850

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SMD/SMT

PowerPAK-1212-8S

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1 Channel

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185.6 A

1.06 mOhms

- 12 V, 16 V

2.2 V

47.5 nC

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65.7 W

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TrenchFET® Gen V Power MOSFETs with VDS

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67.4 A
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93 A
100 A

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1.06 mOhms
1.2 mOhms
3.2 mOhms
3.25 mOhms
3.4 mOhms
3.5 mOhms
3.6 mOhms
5.3 mOhms
5.8 mOhms
7.2 mOhms
0.0074 Ohms
7.9 mOhms
8 mOhms
8.8 mOhms
10.8 mOhms
13.5 mOhms
16 mOhms
100 mOhms
120 mOhms