Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
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34 mOhms, 59 mOhms
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400 mV
10 nC, 13 nC
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2 Channel
20 V
2.1 A, 3.9 A
58 mOhms, 195 mOhms
8 V
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3.2 nC, 6 nC
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N-Channel, P-Channel
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4.5 A
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N-Channel, P-Channel
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8 V
400 mV
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SC-89-6
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350 mA, 500 mA
396 mOhms, 756 mOhms
8 V
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SMD/SMT
SOT-363-6
N-Channel, P-Channel
2 Channel
30 V
700 mA
388 mOhms, 890 mOhms
20 V
2.5 V
3 nC
- 55 C
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Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel, P-Channel
2 Channel
30 V
4.3 A, 6 A
47 mOhms, 89 mOhms
20 V
1 V
6 nC, 7.8 nC
- 55 C
+ 150 C
2.78 W
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TrenchFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N- & P- Channel 20V MOSFET
SIA519EDJ-T1-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N- & P- Channel 20V MOSFET
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Si
SMD/SMT
PowerPAK-SC70-6
N-Channel, P-Channel
2 Channel
20 V
4.5 A
40 mOhms, 90 mOhms
8 V
500 mV, 600 mV
3.7 nC, 5.3 nC
- 55 C
+ 150 C
7.8 W
Enhancement
TrenchFET, PowerPAK
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
SIA537EDJ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
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78-SIA537EDJ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
6.000 Se espera el 11-02-2027
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Si
SMD/SMT
SC-70-6
N-Channel, P-Channel
2 Channel
12 V, 20 V
4.5 A
23 mOhms, 44 mOhms
8 V
400 mV
16 nC, 25 nC
- 55 C
+ 150 C
7.8 W
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TrenchFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 12V Vgs 1206-8 ChipFET
SI5513CDC-T1-E3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 12V Vgs 1206-8 ChipFET
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51 Se espera el 10-06-2027
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SMD/SMT
ChipFET-8
N-Channel, P-Channel
2 Channel
20 V
3.7 A, 4 A
55 mOhms, 150 mOhms
12 V
600 mV
4.2 nC, 5.6 nC
- 55 C
+ 150 C
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TrenchFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N- & P-CH COMMON DRAIN + 200-V
SQUN702E-T1_GE3
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78-SQUN702E-T1_GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N- & P-CH COMMON DRAIN + 200-V
Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas
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Si
SMD/SMT
Triple die
N-Channel, P-Channel
3 Channel
40 V, 200 V
20 A, 30 A
9.2 mOhms, 30 mOhms, 60 mOhms
25 V
1.5 V, 2.5 V
14 nC, 23 nC, 30.2 nC
- 55 C
+ 175 C
48 W, 60 W
Enhancement
TrenchFET
Reel