Resultados: 3
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 500V 20A N-CH MOSFET
Hoja de datos
9.645En existencias
$8.658
$5.252
$4.500
$3.987
$3.782
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1.000
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 270 mOhms 20 V 2 V 210 nC - 55 C + 150 C 280 W Enhancement Tube

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 500V 20A N-CH MOSFET
Hoja de datos
2.378En existencias
4.500Se espera el 10-05-2027
$7.177
$3.931
$3.589
$2.985
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1.000
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 270 mOhms 30 V 2 V 105 nC - 55 C + 150 C 280 W Enhancement Tube

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 500V 20A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1.361En existencias
2.000En pedido
$9.855
$5.343
$4.705
$4.671
$3.646
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1.000
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 270 mOhms 20 V 2 V 120 nC - 55 C + 150 C 280 W Enhancement Tube