IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs have high blocking voltage with low on-state resistance [RDS(ON)]. The on-state resistance is between 25mΩ and 160mΩ, and the continuous drain current (ID) is between 20A and 111A. These devices offer high-speed switching with low capacitance and have an ultra-fast intrinsic body diode. These are available with a 650V or 1200V drain-source voltage (VDSS) rating. The IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are offered in three packages (TO-263-7L, TOLL-8, and TO-247-4L).

Resultados: 13
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
IXYS MOSFETs de SiC 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L
Hoja de datos
900En existencias
Cinta cortada
$14.788
$8.374
$8.260
$7.827
Envase tipo carrete
$7.827
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7L 1 Channel 650 V 111 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
IXYS MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO263
Hoja de datos
894En existencias
Cinta cortada
$8.898
$6.027
$4.398
Envase tipo carrete
$3.965
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 20 A 208 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement
IXYS MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO263-7L
Hoja de datos
870En existencias
Cinta cortada
$10.162
$5.548
$5.104
$4.728
Envase tipo carrete
$4.728
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO263-7L
Hoja de datos
900En existencias
Cinta cortada
$12.304
$6.836
$6.505
$6.084
Envase tipo carrete
$6.084
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS MOSFETs de SiC 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO-263-7L
Hoja de datos
813En existencias
Cinta cortada
$13.580
$8.943
$8.077
$7.348
Envase tipo carrete
$6.733
Presupuesto
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7L 1 Channel 1.2 kV 65 A 53 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement
IXYS MOSFETs de SiC 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TOLL
Hoja de datos
2.084En existencias
Cinta cortada
$14.788
$8.374
$8.260
$7.724
Envase tipo carrete
$7.724
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
SMD/SMT TOLL-8 1 Channel 650 V 111 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
IXYS MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TOLL
Hoja de datos
2.095En existencias
Cinta cortada
$10.048
$5.480
$5.036
$4.979
$4.717
Envase tipo carrete
$4.717
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
SMD/SMT TOLL-8 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TOLL
Hoja de datos
2.090En existencias
Cinta cortada
$12.156
$6.756
$6.403
$6.061
Envase tipo carrete
$6.061
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
SMD/SMT TTOLL-8 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS MOSFETs de SiC 650V 25mohm (100A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
Hoja de datos
520En existencias
$15.061
$8.545
$7.918
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4L 1 Channel 650 V 99 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 454 W Enhancement
IXYS MOSFETs de SiC TO247 1200V N CH 20A
Hoja de datos
542En existencias
Cinta cortada
$8.476
$4.546
$3.714
Envase tipo carrete
$3.714
Min.: 1
Mult.: 1
: 450
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 20 A 208 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement
IXYS MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO247-4L HV
Hoja de datos
550En existencias
$10.322
$5.639
$4.887
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO247-4L HV
Hoja de datos
550En existencias
$12.395
$8.545
$6.209
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS MOSFETs de SiC 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
Hoja de datos
537En existencias
Cinta cortada
$13.865
$8.955
$8.305
Envase tipo carrete
$7.246
$6.927
Min.: 1
Mult.: 1
: 450
Through Hole TO-247-4L 1 Channel 1.2 kV 65 A 52 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement