High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

Resultados: 70
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
onsemi MOSFETs de SiC 650V/40MOSICFETG3TO247-4
Hoja de datos
3.278En existencias
$22.558
$13.500
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 54 A 52 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 43 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 1700V/400MOSICFETG3TO263-7
Hoja de datos
694En existencias
800Se espera el 21-12-2026
Cinta cortada
$13.261
$9.376
$6.961
$6.585
Envase tipo carrete
$6.585
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 800
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.7 kV 7.6 A 410 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23.1 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/6MOSICFETG4TO247-4
Hoja de datos
576En existencias
$62.603
$44.671
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 600
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 120 A 5.9 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 164 nC - 55 C + 175 C 714 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 1200V/9MOSICFETG3TO247-4
Hoja de datos
367En existencias
$81.390
$64.221
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 120 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 4 V 234 nC - 55 C + 175 C 789 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO247-4
Hoja de datos
583En existencias
$14.697
$8.248
$7.656
$7.360
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 1200V/80MOSICFETG3TO24
Hoja de datos
1.142En existencias
$24.107
$14.708
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 33 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO220-3
Hoja de datos
902En existencias
$29.234
$18.798
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 5 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 650V/40MOSICFETG3TO247
Hoja de datos
1.166En existencias
$22.227
$13.250
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 54 A 42 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 1200V/40MOSICFETG3TO24
Hoja de datos
610En existencias
$33.620
$22.318
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO247-3
Hoja de datos
679En existencias
$13.774
$7.576
$7.565
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 300
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/18MOSICFETG4TO247
Hoja de datos
642En existencias
$15.916
$9.137
$9.057
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 600
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 81 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/60MOSICFETG4TO247-4
Hoja de datos
562En existencias
$15.016
$8.339
$7.975
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO220
Hoja de datos
475En existencias
$13.660
$7.872
$7.280
$6.779
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/33MOSICFETG4TO263
Hoja de datos
486En existencias
Cinta cortada
$17.328
$10.151
$9.604
Envase tipo carrete
$9.604
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 44 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/44MOSICFETG4TO263
Hoja de datos
648En existencias
Cinta cortada
$15.984
$9.148
$8.658
Envase tipo carrete
$8.658
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 35.6 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO247
Hoja de datos
627En existencias
$14.024
$8.032
$7.451
$7.132
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 12 V, + 12 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/60MOSICFETG4TO263
Hoja de datos
1.266En existencias
Cinta cortada
$8.966
$4.842
$4.796
$4.625
Envase tipo carrete
$4.625
$4.044
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 25.8 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/18MOSICFETG4TO263-7
Hoja de datos
278En existencias
Cinta cortada
$27.867
$20.815
$18.001
$16.132
Envase tipo carrete
$16.132
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 72 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 259 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO220
Hoja de datos
425En existencias
1.000Se espera el 28-12-2026
$30.293
$24.255
$20.974
$18.798
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1.000
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 1200V/40MOSICFETG3TO247-3
Hoja de datos
217En existencias
$33.472
$24.984
$24.893
$22.318
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO247-3
Hoja de datos
513En existencias
$30.476
$18.912
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 300
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/60MOSICFETG4TO247
Hoja de datos
1.258En existencias
$17.431
$10.516
$8.955
$8.237
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/11MOSICFETG4TO263-7
Hoja de datos
287En existencias
Cinta cortada
$33.700
$26.693
$24.893
$22.512
Envase tipo carrete
$22.512
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7L 1 Channel 750 V 104 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 1200V/150MOSICFETG3TO2
Hoja de datos
355En existencias
Cinta cortada
$14.549
$8.351
$7.690
$7.280
Envase tipo carrete
$7.280
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 17 A 150 mOhms - 25 V, + 25 V 4.4 V 25.7 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 1200V/40MOSICFETG3TO24
Hoja de datos
381En existencias
$41.766
$31.057
$29.462
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET