Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
IPA60R170CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
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IPB60R070CFD7ATMA1

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$7.583

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Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
IPP65R041CFD7XKSA1

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Infineon Technologies

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$10.401

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Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
IPB60R040CFD7ATMA1

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Infineon Technologies

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5.134En existencias

Cinta cortada

$10.159

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Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
IPD60R145CFD7ATMA1

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Infineon Technologies

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3.163En existencias

Cinta cortada

$4.028

$2.156

$1.956

$1.609

Envase tipo carrete

$1.514

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R055CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: $10.002
421En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R055CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R055CFD7XKS

Infineon Technologies

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421En existencias

$10.002

$6.300

$5.553

$4.680

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TO-247-3

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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R105CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: $5.942
1.405En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R105CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R105CFD7ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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1.405En existencias

Cinta cortada

$5.942

$3.102

$2.829

$2.545

Envase tipo carrete

$2.398

Min.: 1
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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

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1 Channel

600 V

21 A

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Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPD60R170CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.660
2.425En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R170CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R170CFD7ATM

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2.425En existencias

Cinta cortada

$3.660

$1.851

$1.704

$1.378

Envase tipo carrete

$1.178

MouseReel Disponible

Min.: 1
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3.5 V

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R070CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: $7.783
800En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R070CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R070CFD7XKS

Infineon Technologies

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800En existencias

$7.783

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31 A

57 mOhms

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+ 150 C

156 W

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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R090CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: $7.057
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N.º de artículo del Fabricante
IPP60R090CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R090CFD7XKS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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642En existencias

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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
IPT60R045CFD7XTMA1

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Infineon Technologies

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HSOF-8

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600 V

52 A

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79 nC

- 55 C

+ 150 C

270 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R018CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: $20.476
180En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R018CFD7XKSA1

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726-IPW60R018CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

180En existencias

$20.476

$12.200

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

101 A

18 mOhms

20 V

3.5 V

251 nC

- 55 C

+ 150 C

416 W

Enhancement

Tube

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

6 A
8 A
9 A
11 A
14 A
16 A
18 A
21 A
22 A
24 A
25 A
28 A
31 A
33 A
36 A
38 A
40 A
44 A
50 A
52 A

18 mOhms
24 mOhms
26 mOhms
29 mOhms
35 mOhms
40 mOhms
41 mOhms
45 mOhms
55 mOhms
57 mOhms
60 mOhms
66 mOhms
70 mOhms
75 mOhms
90 mOhms
95 mOhms
105 mOhms
115 mOhms
125 mOhms
144 mOhms

24 W
26 W
32 W
52 W
75 W
76 W
83 W
85 W
92 W
95 W
106 W
124 W
125 W
127 W
140 W
147 W
156 W
160 W
171 W
178 W