IRLHS6242TRPBF

Infineon Technologies
942-IRLHS6242TRPBF
IRLHS6242TRPBF

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 1 N-CH HEXFET 11.7mOhms 14nC

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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PQFN 2x2 (DFN2020)
N-Channel
1 Channel
20 V
22 A
11.7 mOhms
- 12 V, 12 V
1.1 V
14 nC
- 55 C
+ 150 C
9.6 W
Enhancement
StrongIRFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Infineon Technologies
Configuración: Single
Tiempo de caída: 13 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 36 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 15 ns
Serie: N-Channel
Cantidad de empaque de fábrica: 4000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 19 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 5.8 ns
Peso de la unidad: 10,430 mg
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Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Taiwán
País de origen del ensamblaje:
China
País de difusión:
Reino Unido
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

Power MOSFETs

Infineon pioneered HEXFET power MOSFET technology, developing and introducing the first hexagonal topology MOSFETs in 1979. These developments were granted a broad patent just four years later, and since that time, most MOSFET manufacturers have licensed the designs and processes to enter this marketplace. IR products exhibit the lowest MOSFET on-resistance available on the market for similar components in their class, enabling power conversion subsystem designs that exhibit unequaled efficiency. IR combines state-of-the-art silicon technology with innovative packaging technology. IR POWIRTAB™, Super-220™, and Super-247™ packages allow up to 20A more current per device in the same footprint than standard packages, increasing power density. Compatible with standard surface-mount soldering techniques, IR's FlipFET® packaging technology offers a 100% silicon-to-footprint ratio with the same performance as a conventional package three times as big, making it the ideal solution for portable devices such as phones or notebook PCs. IR's DirectFET® packaging revolutionizes thermal management in the footprint of a standard SO-8 by drawing heat away from the board through the top of the package. As a result, DirectFET MOSFETs can double the current density while cutting thermal management costs in half in high-current circuits that power next-generation microprocessors.

Inductive Wireless Charging Solutions

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Wireless Charging Solutions

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Ultra Compact PQFN HEXFET® Power MOSFETs

Infineon Ultra Compact PQFN HEXFET® Power MOSFETs deliver an ultra-compact, high density and efficient solution for a wide variety of lower power applications including smartphones, tablet PCs, camcorders, digital still cameras, notebook PC, server and network communications equipment. 

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Empaque:
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Precio (CLP)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ †
$1.209 $1.209
$558 $5.580
$448 $44.800
$355 $177.500
$337 $337.000
$306 $612.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 4000)
$260 $1.040.000
$253 $2.024.000
$249 $5.976.000
† $5.000 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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