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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
Hoja de datos
35En existencias
25.500En pedido
Cinta cortada
$2.552
$1.618
$1.093
$885
$793
Envase tipo carrete
$793
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500
Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 80 V 119 A 3.5 mOhms 20 V 3.6 V 21 nC - 55 C + 170 C 107 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
Hoja de datos
10.410En existencias
37.500En pedido
Cinta cortada
$4.158
$2.700
$1.891
$1.584
$1.470
Envase tipo carrete
$1.390
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500
Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 80 V 201 A 1.9 mOhms 20 V 3.6 V 39 nC - 55 C + 175 C 164 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V SG NCH MOSFET TOLL
Hoja de datos
28.583En pedido
Cinta cortada
$10.003
$5.548
$5.093
$4.990
$4.443
Envase tipo carrete
$4.386
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 457 A 790 uOhms 20 V 3.6 V 174 nC - 55 C + 175 C 325 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel