Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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StrongIRFET™ 2 Power MOSFETs in 30V

Infineon Technologies StrongIRFET™ 2 Power MOSFETs in 30V are optimized for low and high switching frequencies, enabling design flexibility. These devices offer high power efficiency for improved overall system performance while having excellent robustness. Increased current ratings allow for higher current-carrying capability, eliminating the need to parallel multiple devices, translating to lower BOM costs and board savings. Applications include switch-mode power supplies (SMPS), motor drives, battery-powered devices, battery management, uninterruptible power supplies (UPS), light electric vehicles, power tools, gardening tools, adapters, and consumer applications.

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Resultados: 8

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Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency IPD020N03LF2SATMA1 Infineon Technologies 1: $2.910 8.951En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IPD020N03LF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD020N03LF2SATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon stongirfet 2 30v mosfets	Hoja de datos	8.951En existencias	Cinta cortada $2.910 $1.867 $1.274 $1.078 Envase tipo carrete $903 Ver $955 $856	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	TO-252-3	N-Channel	1 Channel	30 V	143 A	2.05 mOhms	20 V	2.35 V	33 nC	- 55 C	+ 175 C	136 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency IPD023N03LF2SATMA1 Infineon Technologies 1: $2.668 2.819En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IPD023N03LF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD023N03LF2SATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon stongirfet 2 30v mosfets	Hoja de datos	2.819En existencias	Cinta cortada $2.668 $1.307 $1.164 $929 Envase tipo carrete $826 Ver $905 $795	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	TO-252-3	N-Channel	1 Channel	30 V	137 A	2.35 mOhms	20 V	2.35 V	24 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency IPD030N03LF2SATMA1 Infineon Technologies 1: $2.448 3.717En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IPD030N03LF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD030N03LF2SATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon stongirfet 2 30v mosfets	Hoja de datos	3.717En existencias	Cinta cortada $2.448 $1.186 $1.061 $844 Envase tipo carrete $736 Ver $814 $708	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	TO-252-3	N-Channel	1 Channel	30 V	99 A	3.05 mOhms	20 V	2.35 V	16 nC	- 55 C	+ 175 C	83 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency IPD040N03LF2SATMA1 Infineon Technologies 1: $2.053 3.703En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IPD040N03LF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD040N03LF2SATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon stongirfet 2 30v mosfets	Hoja de datos	3.703En existencias	Cinta cortada $2.053 $979 $875 $691 Envase tipo carrete $593 Ver $677 $547	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	TO-252-3	N-Channel	1 Channel	30 V	73 A	4.05 mOhms	20 V	2.35 V	13 nC	- 55 C	+ 175 C	75 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK IPB023N03LF2SATMA1 Infineon Technologies 1: $2.778 782En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IPB023N03LF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB023N03LF2SATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon stongirfet 2 30v mosfets	Hoja de datos	782En existencias	Cinta cortada $2.778 $1.350 $1.153 $912 Envase tipo carrete $806 Ver $789 $777 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	TO-263-3	N-Channel	1 Channel	30 V	119 A	2.35 mOhms	20 V	2.35 V	24 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK IPB018N03LF2SATMA1 Infineon Technologies 1: $3.579 737En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IPB018N03LF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB018N03LF2SATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon stongirfet 2 30v mosfets	Hoja de datos	737En existencias	Cinta cortada $3.579 $1.790 $1.614 $1.241 Envase tipo carrete $1.186	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	TO-263-3	N-Channel	1 Channel	30 V	125 A	1.8 mOhms	20 V	2.35 V	46 nC	- 55 C	+ 175 C	167 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK IPB020N03LF2SATMA1 Infineon Technologies 1: $3.546 774En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IPB020N03LF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB020N03LF2SATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon stongirfet 2 30v mosfets	Hoja de datos	774En existencias	Cinta cortada $3.546 $1.768 $1.592 $1.219 Envase tipo carrete $1.164	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	TO-263-3	N-Channel	1 Channel	30 V	122 A	2.05 mOhms	20 V	2.35 V	33 nC	- 55 C	+ 175 C	136 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency IPD047N03LF2SATMA1 Infineon Technologies 1: $1.878 2.128En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IPD047N03LF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD047N03LF2SATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon stongirfet 2 30v mosfets	Hoja de datos	2.128En existencias	Cinta cortada $1.878 $892 $795 $644 Envase tipo carrete $536 Ver $638 $491	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	TO-252-3	N-Channel	1 Channel	30 V	71 A	4.7 mOhms	20 V	2.35 V	10 nC	- 55 C	+ 175 C	65 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape

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