Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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600V CoolMOS™ PFD7 SJ Power MOSFET

Infineon 600V CoolMOS™ PFD7 SJ Power MOSFETs are a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super-junction (SJ) principle and pioneered by Infineon. The CoolMOS™ PFD7 is an optimized platform tailored to target cost-sensitive applications in consumer markets, such as chargers, adapters, motor drives, lighting, etc. The series provides all the benefits of a fast-switching Super junction MOSFET, combined with an excellent price/performance ratio and state-of-the-art ease-of-use level. The technology meets the highest efficiency standards and supports high power density, enabling customers to go towards slim designs.

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Resultados: 18

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPLK60R600PFD7ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.552 4.655En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPLK60R600PFD7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPLK60R600PFD7AT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj pfd7 mosfets	Hoja de datos	4.655En existencias	Cinta cortada $2.552 $1.595 $1.050 $833 Envase tipo carrete $649 Ver $741 $677 $635	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	Thin-PAK-5	N-Channel	1 Channel	650 V	7 A	600 mOhms	20 V	4 V	8.5 nC	- 55 C	+ 150 C	45 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPN60R600PFD7SATMA1 Infineon Technologies 1: $1.720 80.997En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPN60R600PFD7SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPN60R600PFD7SAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj pfd7 mosfets	Hoja de datos	80.997En existencias	Cinta cortada $1.720 $807 $718 $559 $537 Envase tipo carrete $394	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	SOT-223-3	N-Channel	1 Channel	650 V	6 A	600 mOhms	20 V	4.5 V	8.5 nC	- 40 C	+ 150 C	7 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD60R210PFD7SAUMA1 Infineon Technologies 1: $3.076 3.157En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD60R210PFD7SAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R210PFD7SAU	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj pfd7 mosfets	Hoja de datos	3.157En existencias	Cinta cortada $3.076 $1.515 $1.367 $1.090 $1.069 Envase tipo carrete $957 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	TO-252-3-11	N-Channel	1 Channel	600 V	16 A	386 mOhms	20 V	4 V	23 nC	- 40 C	+ 150 C	64 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD60R1K0PFD7SAUMA1 Infineon Technologies 1: $1.754 3.496En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPD60R1K0PFD7SAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R1K0PFD7SAU NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj pfd7 mosfets	Hoja de datos	3.496En existencias	Cinta cortada $1.754 $860 $713 $561 Envase tipo carrete $400 Ver $496 $365 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	4.7 A	1.978 Ohms	20 V	4 V	6 nC	- 40 C	+ 150 C	26 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPA60R280P7SXKSA1 Infineon Technologies 1: $2.506 8.000En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA60R280P7SXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA60R280P7SXKSA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	8.000En existencias	$2.506 $1.219 $1.082 $860 Ver $824 $747 $719	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	12 A	214 mOhms	20 V	3 V	18 nC	- 40 C	+ 150 C	24 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPLK60R360PFD7ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.677 3.750En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPLK60R360PFD7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPLK60R360PFD7AT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj pfd7 mosfets	Hoja de datos	3.750En existencias	Cinta cortada $2.677 $1.504 $1.151 $929 $907 Envase tipo carrete $747	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	ThinPAK-5	N-Channel	1 Channel	650 V	8 A	360 mOhms	20 V	4 V	12.7 nC	- 55 C	+ 150 C	74 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPN60R1K0PFD7SATMA1 Infineon Technologies 1: $1.390 8.862En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPN60R1K0PFD7SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPN60R1K0PFD7SAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj pfd7 mosfets	Hoja de datos	8.862En existencias	Cinta cortada $1.390 $647 $574 $445 Envase tipo carrete $363 Ver $431 $358 $319	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	650 V	5.2 A	1 Ohms	20 V	4 V	6 nC	- 55 C	+ 150 C	31.3 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPN60R360PFD7SATMA1 Infineon Technologies 1: $2.142 5.568En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPN60R360PFD7SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPN60R360PFD7SAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj pfd7 mosfets	Hoja de datos	5.568En existencias	Cinta cortada $2.142 $1.019 $895 $702 Envase tipo carrete $570 Ver $665 $541 $535	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	SOT-223-3	N-Channel	1 Channel	650 V	10 A	360 mOhms	20 V	4 V	12.7 nC	- 40 C	+ 150 C	7 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPN60R1K5PFD7SATMA1 Infineon Technologies 1: $1.287 1.230En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPN60R1K5PFD7SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPN60R1K5PFD7SAT NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER	Hoja de datos	1.230En existencias	Cinta cortada $1.287 $595 $526 $407 Envase tipo carrete $318 Ver $385 $303 $285	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	SOT-223-3	N-Channel	1 Channel	650 V	3.6 A	1.5 Ohms	20 V	4 V	4.6 nC	- 40 C	+ 150 C	6 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD60R1K5PFD7SAUMA1 Infineon Technologies 1: $1.413 941En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPD60R1K5PFD7SAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R1K5PFD7SAU NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER	Hoja de datos	941En existencias	Cinta cortada $1.413 $659 $638 $501 Envase tipo carrete $365 Ver $463 $326 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	TO-252-3-11	N-Channel	1 Channel	600 V	3.6 A	2.9 Ohms	20 V	4 V	4.6 nC	- 40 C	+ 150 C	22 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPA60R360P7SXKSA1 Infineon Technologies 1: $2.404 1.351En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA60R360P7SXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA60R360P7SXKSA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1.351En existencias	$2.404 $1.265 $990 $784 Ver $755 $656 $631 $598	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	9 A	300 mOhms	20 V	3 V	13 nC	- 40 C	+ 150 C	22 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPAN60R125PFD7SXKSA1 Infineon Technologies 1: $4.455 39En existencias 1.000Se espera el 31-12-2026	N.º de artículo del Fabricante IPAN60R125PFD7SXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPAN60R125PFD7SX	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj pfd7 mosfets	Hoja de datos	39En existencias 1.000Se espera el 31-12-2026	$4.455 $2.575 $2.028 $1.652 $1.641	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220FP-3	N-Channel	1 Channel	600 V	25 A	235 mOhms	20 V	4 V	36 nC	- 40 C	+ 150 C	32 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPAN60R210PFD7SXKSA1 Infineon Technologies 1: $3.349 700En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPAN60R210PFD7SXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPAN60R210PFD7SX	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj pfd7 mosfets	Hoja de datos	700En existencias	$3.349 $1.652 $1.492 $1.196 Ver $1.151 $1.139 $1.072	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220FP-3	N-Channel	1 Channel	600 V	16 A	386 mOhms	20 V	4 V	23 nC	- 40 C	+ 150 C	25 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD60R360PFD7SAUMA1 Infineon Technologies 1: $2.313 159En existencias 5.000En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPD60R360PFD7SAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R360PFD7SAU	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj pfd7 mosfets	Hoja de datos	159En existencias 5.000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IPD60R360PFD7SAUMA1 Existencias: 159 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 2.500 Se espera el 27-05-2027 2.500 Se espera el 03-06-2027 Plazo de entrega de fábrica: 23 Semanas	Cinta cortada $2.313 $1.230 $956 $719 Envase tipo carrete $590 $578 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	10 A	715 mOhms	20 V	4 V	12.7 nC	- 40 C	+ 150 C	43 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD60R600PFD7SAUMA1 Infineon Technologies 1: $1.743 3.756En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD60R600PFD7SAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R600PFD7SAU	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj pfd7 mosfets	Hoja de datos	3.756En existencias	Cinta cortada $1.743 $819 $729 $571 Envase tipo carrete $464 $435	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	4.7 A	1.978 Ohms	20 V	4 V	6 nC	- 40 C	+ 150 C	26 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPN60R2K0PFD7SATMA1 Infineon Technologies 1: $1.230 2.625En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPN60R2K0PFD7SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPN60R2K0PFD7SAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj pfd7 mosfets	Hoja de datos	2.625En existencias	Cinta cortada $1.230 $570 $504 $388 Envase tipo carrete $303 Ver $375 $294 $269	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	SOT-223-3	N-Channel	1 Channel	650 V	3 A	2 Ohms	20 V	4 V	3.8 nC	- 40 C	+ 150 C	6 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD60R280PFD7SAUMA1 Infineon Technologies 1: $2.711 Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas	N.º de artículo del Fabricante IPD60R280PFD7SAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R280PFD7SAU	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj pfd7 mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas	Cinta cortada $2.711 $1.322 $1.162 $929 $882 Envase tipo carrete $747	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	12 A	549 mOhms	20 V	4 V	15.3 nC	- 40 C	+ 150 C	51 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPLK60R1K0PFD7ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.199 Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas	N.º de artículo del Fabricante IPLK60R1K0PFD7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPLK60R1K0PFD7AT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj pfd7 mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas	Cinta cortada $2.199 $1.379 $906 $719 Envase tipo carrete $561 Ver $639 $584 $548	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	ThinPAK-5	N-Channel	1 Channel	650 V	5.2 A	1 Ohms	20 V	4 V	6 nC	- 55 C	+ 150 C	31.3 W	Enhancement		Reel, Cut Tape

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