SiC MOSFETs

Littelfuse SiC MOSFETs are optimized for high-frequency, high-efficiency applications. These robust SiC MOSFETs offer low gate charges, low output capacitance, and low gate resistance for high-frequency switching. These devices also feature extremely low drain-source on-state resistance. The low gate charge and on-resistance of these MOSFETs translate into lower conduction and switching losses, respectively. Littelfuse offers in-house designed, developed, and manufactured SiC MOSFETs with extremely low gate charge and output capacitance, industry-leading performance, and ruggedness at all temperatures. Littelfuse SiC MOSFETs are available in a range of varieties, including 1200V in 80mΩ, 120mΩ, and 160mΩ versions.

Tipos de Semiconductores discretos
Cambiar Vista por categorías
Resultados: 5
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Littelfuse Diodos Schottky de SiC RECT 650V 20A SM SCHOTTKY
Hoja de datos
713En existencias
Cinta cortada
$8.807
$4.910
Envase tipo carrete
$4.910
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SiC Schottky Diodes SMD/SMT D2PAK-2 (TO-263-2)
IXYS MOSFETs de SiC TO247 1.7KV 4.4A N-CH SIC
Hoja de datos
1.753En existencias
$10.516
$6.505
$6.494
$6.198
Min.: 1
Mult.: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs de SiC 1200 V 160 mOhm SiC Mosfet
Hoja de datos
445En existencias
$14.230
$13.375
$11.712
$11.700
$11.598
Min.: 1
Mult.: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs de SiC 1200V 80mOhm SiC MOSFET
Hoja de datos
4En existencias
$28.505
$22.831
$19.744
Min.: 1
Mult.: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3
Littelfuse Diodos Schottky de SiC 650V/8A SiC SBD?TO263-2LAEC-Q101
Hoja de datos
No en existencias
SiC Schottky Diodes SMD/SMT D2PAK-2 (TO-263-2)